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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
DSC400-0202Q0106KE1	-	RFQ	8639	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm				153.6MHz	155.46875MHz	-	-
DSC6021CI2A-009U	0.8800	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm				40MHz, 80MHz	-	-	-
DSC8123AI2	10.5200	RFQ	2500	마이크로 마이크로 기술	DSC8123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8123		LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4728	귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	32MA		MEMS	-		-						10MHz ~ 460 MHz	± 25ppm
DSC2011FL1-E0002T	-	RFQ	5867	마이크로 마이크로 기술	DSC2011	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2011		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		32MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm			23 MA	100MHz, 106.25MHz, 125MHz, 156.25MHz	25MHz, 50MHz, 100MHz, 125MHz, 156.25MHz	-	-
DSC6102HI2A-000.0000T	-	RFQ	2026	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)		MEMS	-		-						1MHz ~ 100MHz	± 25ppm
DSC400-0111Q0029KE2	-	RFQ	9382	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm				12.288MHz	11.2896MHz	11.2896MHz	-
DSC6061HI1B-01MCT	-	RFQ	1921	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)			4-VFLGA	xo (표준)	DSC6061		CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6061HI1B-01MTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 50ppm				-	-	-	-
DSC612PI3A-010K	1.5000	RFQ	1692	마이크로 마이크로 기술	DSC612	가방	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)			6-VFLGA	xo (표준)	DSC612		LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화		6MA	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 20ppm			1.5 µA	38.4MHz	32.768kHz	-	-
DSC6021CI2A-00GBT	-	RFQ	2198	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	mems (실리콘)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm				27.705MHz, 27.71MHz	-	-	-
DSC1204BA2-125M0000T	-	RFQ	1938	마이크로 마이크로 기술	DSC12X4	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	-	-	-	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1204	125MHz	HCSL	2.5V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		40ma (유형)		MEMS	-	± 25ppm	-	5µA
dsc6111ji1a-000.0000t	-	RFQ	8462	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)		MEMS	-		-	12 µA					1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC6021CE1A-0026	0.8200	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm				3.656MHz, 12MHz	-	-	-
DSC6003CI2A-000.0000	-	RFQ	7677	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)		MEMS	-		-						1MHz ~ 80MHz	± 25ppm
DSC6001CI2A-004.0000T	-	RFQ	4965	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		4 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
dsc6001me1a-000.0000t	-	RFQ	7046	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)		MEMS	-		-	12 µA					1MHz ~ 80MHz	± 50ppm
DSC1123AE2-148.3516T	-	RFQ	8300	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1123	148.3516 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		32MA		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC612RI3A-012V	-	RFQ	8414	마이크로 마이크로 기술	DSC612	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-VFLGA	xo (표준)	DSC612		LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화		6MA	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 20ppm			1.5 µA	14.316MHz	32.768kHz	-	-
DSC8101BI5 프로그램	12.8500	RFQ	6258	마이크로 마이크로 기술	DSC8101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	576-4685 프로그래밍 가능	귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	35MA		MEMS	-		-	95 µA					10MHz ~ 170MHz	± 10ppm
DSC1123BI2-010.0000T	-	RFQ	5910	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1123	10MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		32MA		MEMS	-	± 25ppm	-	22MA
DSC8101BL1 프로그래밍 가능	-	RFQ	6554	마이크로 마이크로 기술	DSC8101	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4686 프로그래밍 가능	귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	35MA		MEMS	-		-	95 µA					10MHz ~ 170MHz	± 50ppm
DSC6101HI1B-005.0000T	-	RFQ	5472	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6101HI1B-005.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000
vcc1-b3f-27m0950000tr	-	RFQ	9929	마이크로 마이크로 기술	VCC1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.075 "(1.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		27.095 MHz	CMOS	3.3v	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VCC1-B3F-27M0950000tr	귀 99	8541.60.0080	1,000	활성화/비활성화		20MA		결정	± 25ppm	-	-	30µA
DSC6013JI2A-000.0000	1.3600	RFQ	21	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)		MEMS	-		-	12 µA					1MHz ~ 80MHz	± 25ppm
DSC1001DI1-016.3840	1.1400	RFQ	394	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	16.384 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)		6.3ma		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
MX553EBG125M000-TR	-	RFQ	7773	마이크로 마이크로 기술	MX55	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX553EBG125M000	125MHz	LVD	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		90ma		결정	± 50ppm	-	-	-
DSA2033FI2-F0047TVAO	-	RFQ	3485	마이크로 마이크로 기술	DSA20XX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	mems (실리콘)			LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA2033FI2-F0047TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		38MA (유형)	0.037 "(0.95mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA	100MHz, 125MHz, 156.25MHz, 312.5MHz, 312.898MHz, 322.265625MHz, 439.597MHz, 450.688MHz	100MHz, 125MHz, 156.25MHz, 312.5MHz, 312.898MHz, 322.265625MHz, 439.597MHz, 450.688MHz	-	-
DSC1101AL5-080.0000	-	RFQ	3405	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1101	80MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)		35MA		MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC1001AL2-027.0000	1.4000	RFQ	3	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001	27 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4602	귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)		7.2MA		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1124DL1-100.0000	-	RFQ	5730	마이크로 마이크로 기술	DSC1124	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1124	100MHz	HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화		42MA		MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC8001BL5 프로그래밍 가능	-	RFQ	7356	마이크로 마이크로 기술	DSC8001	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	576-4660 프로그램 가능	귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	12.2MA		MEMS	-		-	15 µA					1MHz ~ 150MHz	± 10ppm

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²