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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
VCC1-F3F-24M4440000 Microchip Technology VCC1-F3F-24M4440000 -
RFQ
 ECAD 7777 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VCC1-H3D-25M0000000 Microchip Technology VCC1-H3D-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 2035 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6331JI3DB-008.0000T Microchip Technology DSC6331JI3DB-008.0000T -
RFQ
 ECAD 7743 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 8 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JI3DB-008.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - ± 1.50%, 50 스프레드 -
DSC6021MI2A-009V Microchip Technology DSC6021MI2A-009V -
RFQ
 ECAD 6287 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 4-VFLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 74.1758MHz, 74.25MHz - - -
DSC1121AI5-019.4400C Microchip Technology DSC1121AI5-019.4400C -
RFQ
 ECAD 1705 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 19.44 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
VC-708-ECW-FNXN-156M253906 Microchip Technology VC-708-ECW-FNXN-156M253906 -
RFQ
 ECAD 8408 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1001CI2-011.0592T Microchip Technology DSC1001CI2-011.0592T 1.4700
RFQ
 ECAD 175 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 11.0592 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1121NI5-100.0000 Microchip Technology DSC1121NI5-100.0000 -
RFQ
 ECAD 5479 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 100MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
VC-830-HCE-FAAN-156M250000 Microchip Technology VC-830-HCE-FAAN-156M250000 -
RFQ
 ECAD 3583 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-830 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz lvpecl 2.5V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-830-HCE-FAAN-156M250000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 66MA 결정 ± 25ppm - - -
DSC1001AC1-131.0720 Microchip Technology DSC1001AC1-131.0720 -
RFQ
 ECAD 9002 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 131.072 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
HT-MM900AC-2E-EE-100M000000 Microchip Technology HT-MM900AC-2E-EE-100M000000 -
RFQ
 ECAD 4372 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 100MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-HT-MM900AC-2E-EE-10000M00TR 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 5MA 결정 ± 20ppm - - -
DSC1224NL3-100M0000T Microchip Technology DSC1224NL3-100M0000T -
RFQ
 ECAD 7233 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1224 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz HCSL 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1224NL3-100M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 40ma (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
VCC1-1580-50M0000000 Microchip Technology VCC1-1580-50M0000000 -
RFQ
 ECAD 7723 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz CMOS 1.8V ~ 5V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-1580-50M0000000TR 귀 99 8541.60.0080 500 활성화/비활성화 30ma 결정 - - - 30µA
DSC1001DI5-080.0000 Microchip Technology DSC1001DI5-080.0000 2.7800
RFQ
 ECAD 558 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 80MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 8.7ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
VT-820-EFE-507A-24M0000000 Microchip Technology VT-820-EFE-507A-24M0000000 -
RFQ
 ECAD 2566 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50
DSC6331JI2AB-100.0000T Microchip Technology DSC6331JI2AB-100.0000T -
RFQ
 ECAD 4647 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6331 100MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JI2AB-100.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
VCC1-F3C-4M09600000 Microchip Technology VCC1-F3C-4M09600000 -
RFQ
 ECAD 3563 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VCC1-B3D-12M8000000 Microchip Technology VCC1-B3D-12M8000000 -
RFQ
 ECAD 9786 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VC-709-0030-156M250000 Microchip Technology VC-709-0030-156M250000 -
RFQ
 ECAD 3696 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz - - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-709-0030-156M250000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
DSC1001BL2-050.0000T Microchip Technology DSC1001BL2-050.0000T -
RFQ
 ECAD 2617 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA6101MI2B-024.0000TVAO Microchip Technology DSA6101MI2B-024.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 5484 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101MI2B-024.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1033DI2-019.6608T Microchip Technology DSC103333DI2-019.6608T -
RFQ
 ECAD 6064 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 19.6608 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC1033CE1-008.0000 Microchip Technology DSC103333CE1-008.0000 -
RFQ
 ECAD 6265 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 8 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC6111HI1B-050.0000 Microchip Technology DSC6111HI1B-050.0000 1.0440
RFQ
 ECAD 6180 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111HI1B-050.0000 100 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC6011JI1A-024.0000T Microchip Technology DSC6011JI1A-024.0000T -
RFQ
 ECAD 2215 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VXM1-9003-12M0000000 Microchip Technology VXM1-9003-12M0000000 0.8500
RFQ
 ECAD 226 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 조각 활동적인 VXM1-9003 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0050 100
DSC1004AI5-125.0000T Microchip Technology DSC1004AI5-125.0000T -
RFQ
 ECAD 9319 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1004 125MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSA1103CL2-100.0000VAO Microchip Technology DSA1103CL2-100.0000VAO -
RFQ
 ECAD 5764 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1103 100MHz LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1103CL2-100.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC6001CE1A-000.0000 Microchip Technology DSC6001CE1A-000.0000 -
RFQ
 ECAD 5636 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 50ppm
DSC6331JI2CB-027.0000 Microchip Technology DSC6331JI2CB-027.0000 -
RFQ
 ECAD 1119 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6331 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JI2CB-027.0000 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 1.00%, 00 스프레드 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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