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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
DSC6301HA1FB-020.0000T	-	RFQ	9933	마이크로 마이크로 기술	DSC63XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	-	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6301	20MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC6301HA1FB-020.0000T	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	± 2.50%, 50 스프레드	-
DSC1101AI2-125.0000T	-	RFQ	5754	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1101	125MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC1001DL2-027.0000	1.2900	RFQ	9226	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	27 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)		7.2MA		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6011JA3B-016K384T	-	RFQ	6728	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6011	16.384 kHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6011JA3B-016K384TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		1.3MA (유형)		MEMS	± 20ppm	-	-	-
VC-840-EAE-KAAN-32M7680000	-	RFQ	7510	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC613PI3A-0105T	-	RFQ	2596	마이크로 마이크로 기술	DSC613	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)			6-VFLGA	xo (표준)	DSC613		LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		6.5MA	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 20ppm			1.5 µA	25MHz	12MHz	32.768kHz	-
DSC1103CI2-125.0000T	-	RFQ	7330	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1103	125MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		32MA		MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC400-3333Q0089KE2	-	RFQ	3288	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm				148.35MHz	148.5MHz	-	-
DSA1001DL2-040.0000VAO	-	RFQ	2073	마이크로 마이크로 기술	DSA1001	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSA1001	40MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)		10.5MA		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC613NI2A-0106B	-	RFQ	2593	마이크로 마이크로 기술	DSC613	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)			6-VFLGA	xo (표준)	DSC613		LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	활성화/비활성화		6.5MA	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 25ppm			1.5 µA	19.2MHz	24MHz	32.768kHz	-
M911221CI1-125M0000	-	RFQ	4386	마이크로 마이크로 기술	M9112X1	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		125MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드				150-M911221CI1-125M0000	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		27MA (타이핑)		MEMS	± 50ppm	-	-	5µA
DSC2030FI2-B0022	-	RFQ	1157	마이크로 마이크로 기술	DSC2030	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-SMD,, 없음	mems (실리콘)			LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC2030FI2-B0022	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		32MA	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA	122.88MHz	156.25MHz	167.332MHz	155.52MHz
DSC1001BI2-014.3180T	-	RFQ	9902	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	14.318 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1001BI3-024.0000	-	RFQ	2884	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	24 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)		8ma		MEMS	± 20ppm	-	-	15µA
VXE4-1D1-14M3181800	-	RFQ	6666	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.60.0050	1,000
DSC1101BI2-050.0000	-	RFQ	6382	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1101	50MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)		35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC1101CE2-020.0000	-	RFQ	2426	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1101	20MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSA1101CL1-016.0000VAO	-	RFQ	1733	마이크로 마이크로 기술	DSA1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSA1101	16MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSA1101CL1-016.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		35MA		MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
DSC6111HI2B-004K000T	-	RFQ	7365	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6111	4 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
HT-MM900AC-9E-EE-12M0000000	-	RFQ	8500	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSA1121DL2-033.3333VAO	-	RFQ	6641	마이크로 마이크로 기술	DSA1121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSA1121	33.3333 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1121DL2-033.3333VAO	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화		35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC6122CI2A-00AV	0.8800	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	-		3MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm				74.1758MHz, 74.25MHz	-	-	-
DSC400-3331Q0098KE2	-	RFQ	3747	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		LVCMOS, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm				12MHz	50MHz	50MHz	50MHz
VCC1-F3F-33M3330000	-	RFQ	6436	마이크로 마이크로 기술	VCC1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.075 "(1.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		33.333 MHz	CMOS	3.3v	-			영향을받지 영향을받지	150-VCC1-F3F-33M3330000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		20MA		결정	± 25ppm	-	-	30µA
DSC1123AI5-270.0000T	-	RFQ	4822	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1123	270 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		22MA		MEMS	± 10ppm	-	-	-
dsc6102ci1a 프로그램 가능	-	RFQ	9626	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	3MA (유형)		MEMS	-		-						1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC400-33333Q0099KE1	-	RFQ	9293	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm				148.35MHz, 148.5MHz	156.25MHz	208.333333MHz	197.8MHz, 198MHz
VCC6-QAB-200M000000	-	RFQ	3817	마이크로 마이크로 기술	VCC6	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-10 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.063 "(1.60mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		200MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VCC6-QAB-200M000000TR	귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화		98ma		결정	± 50ppm	-	-	-
DSC6331CI1HA-033.3333	-	RFQ	9771	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		33.3333 MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	110	-		3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-0.50%, 50 스프레드	-
DSC6011HI2A-025.0000T	-	RFQ	1290	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		25MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²