SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSA1123DA1-100.0000VAO Microchip Technology DSA1123DA1-100.0000VAO -
RFQ
ECAD 2222 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn 그래서 (톱) 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1123DA1-100.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC6331JI2AB-016.0000 Microchip Technology DSC6331JI2AB-016.0000 -
RFQ
ECAD 7910 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 16MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JI2AB-016.0000 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
OSC-1B2-14M4000000 Microchip Technology OSC-1B2-14M4000000 -
RFQ
ECAD 9051 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 10
DSC1123AI5-250.0000 Microchip Technology DSC1123AI5-250.0000 -
RFQ
ECAD 5329 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1123 250MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1101AI2-100.0000 Microchip Technology DSC1101AI2-100.0000 -
RFQ
ECAD 6729 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 100MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1001CI2-003.5795T Microchip Technology DSC1001CI2-003.5795T -
RFQ
ECAD 7528 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 3.5795 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VC-801-DAE-SAAN-2M17600000 Microchip Technology VC-801-DAE-SAAN-2M17600000 -
RFQ
ECAD 7208 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1030BI2-016.0000T Microchip Technology DSC1030BI2-016.0000T -
RFQ
ECAD 5530 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1030, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16MHz CMOS 3V 다운로드 150-DSC1030BI2-016.0000T 쓸모없는 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC1001BI2-075.0000T Microchip Technology DSC1001BI2-075.0000T -
RFQ
ECAD 8556 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 75MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6001HE1B-011.0592T Microchip Technology DSC6001HE1B-011.0592T -
RFQ
ECAD 3884 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6001 11.0592 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001HE1B-011.0592T 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VC-709-120-50M0000000TR Microchip Technology VC-709-120-50M0000000tr -
RFQ
ECAD 5925 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz lvpecl 2.5V - 영향을받지 영향을받지 150-VC-709-120-50M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 42MA 결정 ± 20ppm - - -
DSC1001CE2-050.0000 Microchip Technology DSC1001CE2-050.0000 -
RFQ
ECAD 7102 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA1101CL2-020.0000VAO Microchip Technology DSA1101CL2-020.0000VAO -
RFQ
ECAD 7536 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 20MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101CL2-020.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1001AE1-111.0000T Microchip Technology DSC1001AE1-111.0000T -
RFQ
ECAD 8554 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 111 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001DE1-024.5760 Microchip Technology DSC1001DE1-024.5760 -
RFQ
ECAD 1680 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 24.576 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS - ± 50ppm - 15µA
DSC6003JI2B-004.5160T Microchip Technology DSC6003JI2B-004.5160T -
RFQ
ECAD 8637 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6003 4.516 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6003JI2B-004.5160TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
MX553LBB148M500 Microchip Technology MX553LBB148M500 -
RFQ
ECAD 6809 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX553 148.5 MHz LVD 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 60 활성화/비활성화 90ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC1121AL5-170.0000T Microchip Technology DSC1121AL5-170.0000T -
RFQ
ECAD 6629 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 170 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 22MA MEMS ± 10ppm - - -
DSC1001DL5-049.5000 Microchip Technology DSC1001DL5-049.5000 -
RFQ
ECAD 3985 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 49.5MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DL5-049.5000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1001BL5-024.0000T Microchip Technology DSC1001BL5-024.0000T -
RFQ
ECAD 5695 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1121AE1-040.0000T Microchip Technology DSC1121AE1-040.0000T -
RFQ
ECAD 4242 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 40MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DSC1121AE1-040.0000TMCR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC2010FE2-B0003 Microchip Technology DSC2010FE2-B0003 -
RFQ
ECAD 5068 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2010 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC2010 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 35MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 125MHz, 155.52MHz - - -
DSC6011HI1B-016.0000T Microchip Technology DSC6011HI1B-016.0000T -
RFQ
ECAD 9278 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6011 16MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011HI1B-016.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VXM1-1KJ-18-24M0000000 Microchip Technology VXM1-1KJ-18-24M0000000 -
RFQ
ECAD 3769 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXM1 조각 활동적인 50 옴 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 2-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 24 MHz 근본적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VXM1-1KJ-18-24M0000000 귀 99 8541.60.0060 100 18pf ± 50ppm ± 10ppm
VXM2-9002-150M000000 Microchip Technology VXM2-9002-150M000000 -
RFQ
ECAD 1200 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXM2 조각 활동적인 80 옴 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 150MHz 세 세 오버 번째 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 100 - - ± 20ppm
VXM7-1149-49M1520000TR Microchip Technology VXM7-1149-49M1520000TR -
RFQ
ECAD 1869 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxm7 테이프 & tr (TR) 활동적인 40 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 49.152 MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VXM7-1149-49M1520000TR 귀 99 8541.60.0060 3,000 - - ± 20ppm
DSC1001CC2-033.0000 Microchip Technology DSC1001001CC2-033.0000 -
RFQ
ECAD 2944 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 33MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6023HI2A-00A7T Microchip Technology DSC6023HI2A-00A7T 1.1700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 4-VFLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 74.1758MHz, 74.25MHz - - -
DSC400-3133Q0080KE2T Microchip Technology DSC400-3133Q0080KE2T -
RFQ
ECAD 2776 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS, LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 148.35MHz 27MHz 25MHz 148.35MHz
VC-830-ECE-KAAN-156M250000 Microchip Technology VC-830-ECE-KAAN-156M250000 6.1800
RFQ
ECAD 2012 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-830 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz lvpecl 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-830-ECE-KAAN-156M250000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 66MA 결정 ± 50ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고