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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	작동 작동	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	커패시턴스로드	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 주파수	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4
DSA6311JL1AB-054.0000TVAO	-	RFQ	7340	마이크로 마이크로 기술	DSA63XX	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		54 MHz		LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6311JL1AB-054.00000000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	± 0.25%, 센터 스프레드	1.5µA (()
DSA1123DA1-100.0000VAO	-	RFQ	2222	마이크로 마이크로 기술	DSA1123	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	그래서 (톱)		100MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1123DA1-100.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화		32MA		MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC6331JI2AB-016.0000	-	RFQ	7910	마이크로 마이크로 기술	DSC63XXB	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		16MHz		LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6331JI2AB-016.0000	귀 99	8542.39.0001	140	-		3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	± 0.25%, 센터 스프레드	-
OSC-1B2-14M4000000	-	RFQ	9051	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	10
DSC1123AI5-250.0000	-	RFQ	5329	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1123	250MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화		32MA		MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
DSC1101AI2-100.0000	-	RFQ	6729	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1101	100MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)		35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC1001CI2-003.5795T	-	RFQ	7528	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	3.5795 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
VC-801-DAE-SAAN-2M17600000	-	RFQ	7208	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1030BI2-016.0000T	-	RFQ	5530	마이크로 마이크로 기술	DSC1030, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		16MHz		CMOS	3V	다운로드				150-DSC1030BI2-016.0000T	쓸모없는		1,000	대기 (다운 전원)		3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	1µA
DSC1001BI2-075.0000T	-	RFQ	8556	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	75MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		8.7ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6001HE1B-011.0592T	-	RFQ	3884	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6001	11.0592 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC6001HE1B-011.0592T	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		1.3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	-
VC-709-120-50M0000000tr	-	RFQ	5925	마이크로 마이크로 기술	VC-709	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		50MHz		lvpecl	2.5V	-			영향을받지 영향을받지	150-VC-709-120-50M0000000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		42MA		결정	± 20ppm	-	-	-
DSC1001CE2-050.0000	-	RFQ	7102	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	50MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		7.2MA		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSA1101CL2-020.0000VAO	-	RFQ	7536	마이크로 마이크로 기술	DSA1101	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSA1101	20MHz		CMOS	2.25V ~ 3.63V	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSA1101CL2-020.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC1001AE1-111.0000T	-	RFQ	8554	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	111 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		7.5MA		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1001DE1-024.5760	-	RFQ	1680	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	24.576 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)		8ma		MEMS	-	± 50ppm	-	15µA
DSC6003JI2B-004.5160T	-	RFQ	8637	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6003	4.516 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6003JI2B-004.5160TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
MX553LBB148M500	-	RFQ	6809	마이크로 마이크로 기술	MX55	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX553	148.5 MHz		LVD	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	60	활성화/비활성화		90ma		결정	± 50ppm	-	-	-
DSC1121AL5-170.0000T	-	RFQ	6629	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	170 MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		22MA		MEMS	± 10ppm	-	-	-
DSC1001DL5-049.5000	-	RFQ	3985	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		49.5MHz		CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1001DL5-049.5000	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)		8ma		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1001BL5-024.0000T	-	RFQ	5695	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	24 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1121AE1-040.0000T	-	RFQ	4242	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1121	40MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DSC1121AE1-040.0000TMCR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		35MA		MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC2010FE2-B0003	-	RFQ	5068	마이크로 마이크로 기술	DSC2010	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2010			LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		35MA	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA		125MHz, 155.52MHz	-	-	-
DSC6011HI1B-016.0000T	-	RFQ	9278	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6011	16MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC6011HI1B-016.0000T	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		1.3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	-
VXM1-1KJ-18-24M0000000	-	RFQ	3769	마이크로 마이크로 기술	VXM1	조각	활동적인	50 옴	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	2-SMD,, 없음	MHZ 크리스탈		24 MHz	근본적인			-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VXM1-1KJ-18-24M0000000	귀 99	8541.60.0060	100		18pf				± 50ppm				± 10ppm
VXM2-9002-150M000000	-	RFQ	1200	마이크로 마이크로 기술	VXM2	조각	활동적인	80 옴	-	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.043 "(1.10mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	MHZ 크리스탈		150MHz	세 세 오버 번째			-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.60.0060	100		-				-				± 20ppm
VXM7-1149-49M1520000TR	-	RFQ	1869	마이크로 마이크로 기술	vxm7	테이프 & tr (TR)	활동적인	40	-	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	MHZ 크리스탈		49.152 MHz	근본적인			-			영향을받지 영향을받지	150-VXM7-1149-49M1520000TR	귀 99	8541.60.0060	3,000		-				-				± 20ppm
DSC1001001CC2-033.0000	-	RFQ	2944	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		0 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	33MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		7.2MA		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6023HI2A-00A7T	1.1700	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C		0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)			4-VFLGA	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 25ppm					74.1758MHz, 74.25MHz	-	-	-
DSC400-3133Q0080KE2T	-	RFQ	2776	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			LVCMOS, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm					148.35MHz	27MHz	25MHz	148.35MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²