SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSC1001AI2-033.3333 Microchip Technology DSC1001AI2-033.3333 -
RFQ
ECAD 4395 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 33.3333 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1101CI2-150.0000T Microchip Technology DSC1101CI2-150.0000T -
RFQ
ECAD 3941 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 150MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1121BM2-016.0000T Microchip Technology DSC1121BM2-016.0000T -
RFQ
ECAD 8226 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 16MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC2011FI2-F0035 Microchip Technology DSC2011FI2-F0035 -
RFQ
ECAD 3054 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2011 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC2011 CMOS 1.65V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 25MHz 16MHz - -
DSC6021JI2A-009ST Microchip Technology DSC6021JI2A-009ST -
RFQ
ECAD 7650 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 4-VLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 20MHz, 25MHz - - -
VCC4-B3C-12M0000000 Microchip Technology VCC4-B3C-12M0000000 -
RFQ
ECAD 8625 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC4 조각 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 100ppm - - 30µA
DSC1033CE1-120.0000 Microchip Technology DSC1033CE1-120.0000 -
RFQ
ECAD 2139 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 120MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 5MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6003JL2B-032K768T Microchip Technology DSC6003JL2B-032K768T -
RFQ
ECAD 1074 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6003 32.768 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS - ± 25ppm - -
DSC1101AI2-027.0000 Microchip Technology DSC1101AI2-027.0000 -
RFQ
ECAD 1624 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1101 27 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 35MA MEMS - ± 25ppm - 95µA
VC-709-EDE-KAAN-125M000000 Microchip Technology VC-709-ede-kaan-125M000000 -
RFQ
ECAD 9994 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 17ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC1001BI2-004.0000 Microchip Technology DSC1001BI2-004.0000 0.9600
RFQ
ECAD 8491 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 4 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
MX553ANR602M083-TR Microchip Technology MX553ANR602M083-TR -
RFQ
ECAD 4757 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX553ANR602M083 602.083 MHz PECL 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX553ANR602M083-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC1204BL3-100M0000 Microchip Technology DSC1204BL3-100M0000 -
RFQ
ECAD 9727 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X4 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1204 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1204BL3-100M0000 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 40ma (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSC1001AI5-048.0000T Microchip Technology DSC1001AI5-048.0000T -
RFQ
ECAD 7404 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 48MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1004BI2-010.0000 Microchip Technology DSC1004BI2-010.0000 -
RFQ
ECAD 4371 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1004 10MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
HT-MM900AC-7F-JE-25M0000000 Microchip Technology HT-MM900AC-7F-JE-25M0000000 -
RFQ
ECAD 4232 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC6101HE1B-026.0000T Microchip Technology DSC6101HE1B-026.0000T -
RFQ
ECAD 3422 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 26 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101HE1B-026.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1001BE1-014.7456T Microchip Technology DSC1001BE1-014.7456T -
RFQ
ECAD 3094 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 14.7456 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - -
DSA1104CL1-156.2500TVAO Microchip Technology DSA1104CL1-156.2500TVAO -
RFQ
ECAD 8407 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1104 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 156.25 MHz HCSL 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSA1104CL1-156.2500TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 42MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1121CM1-025.0000 Microchip Technology DSC1121CM1-025.0000 -
RFQ
ECAD 5783 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1103BI2-100.0000 Microchip Technology DSC1103BI2-100.0000 -
RFQ
ECAD 9281 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC6101JE2B-013.0000 Microchip Technology DSC6101JE2B-013.0000 -
RFQ
ECAD 7561 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 13MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JE2B-013.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1123DI2-156.2500 Microchip Technology DSC1123DI2-156.2500 3.2100
RFQ
ECAD 851 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 156.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1001DI2-074.1758T Microchip Technology DSC1001DI2-074.1758T -
RFQ
ECAD 5564 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 74.1758 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001CI5-033.3300T Microchip Technology DSC1001CI5-033.3300T -
RFQ
ECAD 9680 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 33.33 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.9ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1001CI5-030.0000T Microchip Technology DSC1001CI5-030.0000T -
RFQ
ECAD 8119 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 30MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSA6331HI2AB-048.0000VAO Microchip Technology DSA6331HI2AB-048.0000VAO -
RFQ
ECAD 8014 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6331HI2AB-048.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 100
DSC1033DI1-050.0000 Microchip Technology DSC103333DI1-050.0000 -
RFQ
ECAD 2578 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC6011MI2B-004.0000T Microchip Technology DSC6011MI2B-004.0000T -
RFQ
ECAD 7547 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 4 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011MI2B-004.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1030BE1-024.5760 Microchip Technology DSC1030BE1-024.5760 -
RFQ
ECAD 6843 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1030, Puresilicon ™ 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1030 24.576 MHz CMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 10MA MEMS ± 50ppm - - 1µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고