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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSC1001BI2-127.8720T Microchip Technology DSC1001BI2-127.8720T -
RFQ
ECAD 7184 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 127.872 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1222DI2-121M1090 Microchip Technology DSC1222DI2-121M1090 -
RFQ
ECAD 1110 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1222 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 121.109 MHz lvpecl 2.5V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1222DI2-121M1090 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 50MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 23MA (유형)
DSC1001BI5-020.0000T Microchip Technology DSC1001BI5-020.0000T -
RFQ
ECAD 9239 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC6011MI2B-027.0000 Microchip Technology DSC6011MI2B-027.0000 -
RFQ
ECAD 7103 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011MI2B-027.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1001AE1-001.4850T Microchip Technology DSC1001AE1-001.4850T -
RFQ
ECAD 7645 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 1.485 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - -
DSC1001CI1-012.8000T Microchip Technology DSC1001CI1-012.8000T -
RFQ
ECAD 8567 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 12.8 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CI1-012.8000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6013JI1B-063.2200 Microchip Technology DSC6013JI1B-063.2200 -
RFQ
ECAD 6499 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 63.22 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6013JI1B-063.2200 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
VCC4A-1028-66M6660000TR Microchip Technology vcc4a-1028-66m6660000tr -
RFQ
ECAD 4661 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vcc4a 대부분 활동적인 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.666 MHz CMOS - 다운로드 150-vcc4a-1028-66m6660000tr 1 활성화/비활성화 - 결정 - - - 10µA
DSA1123CL2-100.0000VAO Microchip Technology DSA1123CL2-100.0000VAO -
RFQ
ECAD 9335 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1123 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSA1123CL2-100.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
VT-706-DFJ-2070-12M6883750 Microchip Technology VT-706-DFJ-2070-12M6883750 -
RFQ
ECAD 5753 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSA1001DL3-004.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL3-004.0000TVAO -
RFQ
ECAD 1524 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 4 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSC1122AI2-425.0000 Microchip Technology DSC1122AI2-425.0000 -
RFQ
ECAD 4429 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 425 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1213DI2-C0020 Microchip Technology DSC1213DI2-C0020 -
RFQ
ECAD 4014 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC1213 LVD 2.5V ~ 3.3V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1213DI2-C0020 귀 99 8542.39.0001 140 - 32MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm - - - -
MX555ABJ100M000 Microchip Technology MX555ABJ100M000 -
RFQ
ECAD 9124 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX555 100MHz HCSL 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 60 활성화/비활성화 95MA 결정 ± 50ppm - - -
DSC6101JI2A-037.5000T Microchip Technology DSC6101JI2A-037.5000T -
RFQ
ECAD 9645 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 37.5 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VCC4-F3D-14M7456000 Microchip Technology VCC4-F3D-14M7456000 -
RFQ
ECAD 6733 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSA6001JI1B-032K768VAO Microchip Technology DSA6001JI1B-032K768VAO -
RFQ
ECAD 9830 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 32.768 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6001JI1B-032K768VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1101CI2-060.0000T Microchip Technology DSC1101CI2-060.0000T -
RFQ
ECAD 4517 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 60MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS - ± 25ppm - 95µA
DSA6111JA1B-027.0000TVAO Microchip Technology DSA6111JA1B-027.00000000TVAO -
RFQ
ECAD 5680 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6111JA1B-027.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC1033DI1-033.0000 Microchip Technology DSC103333DI1-033.0000 -
RFQ
ECAD 3330 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1033BC1-012.0000 Microchip Technology DSC1033BC1-012.0000 -
RFQ
ECAD 3988 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 12MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1222DL3-156M2500 Microchip Technology DSC1222DL3-156M2500 -
RFQ
ECAD 1123 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X2 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 156.25 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.63V - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1222DL3-156M2500 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 50MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
DSC1001AE2-027.0000T Microchip Technology DSC1001AE2-027.0000T -
RFQ
ECAD 2408 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1224NL3-100M0000T Microchip Technology DSC1224NL3-100M0000T -
RFQ
ECAD 7233 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1224 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz HCSL 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1224NL3-100M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 40ma (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
HT-MM900AC-2E-EE-100M000000 Microchip Technology HT-MM900AC-2E-EE-100M000000 -
RFQ
ECAD 4372 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 100MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-HT-MM900AC-2E-EE-10000M00TR 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 5MA 결정 ± 20ppm - - -
VCC1-1580-50M0000000 Microchip Technology VCC1-1580-50M0000000 -
RFQ
ECAD 7723 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz CMOS 1.8V ~ 5V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-1580-50M0000000TR 귀 99 8541.60.0080 500 활성화/비활성화 30ma 결정 - - - 30µA
DSC6011HA2B-008.0000 Microchip Technology DSC6011HA2B-008.0000 -
RFQ
ECAD 6968 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011HA2B-008.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA
DSC1101AE3-090.3168 Microchip Technology DSC1101AE3-090.3168 -
RFQ
ECAD 9886 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1101 90.3168 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 35MA MEMS - ± 20ppm - 95µA
VCB1-F2D-1M00000000 Microchip Technology VCB1-F2D-1M00000000 -
RFQ
ECAD 4922 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
VXB1-1D2-24M0000000 Microchip Technology VXB1-1D2-24M0000000 -
RFQ
ECAD 5158 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고