SIC
close

결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
DSC6011CI1A-012.0000T Microchip Technology DSC6011CI1A-012.0000T -
RFQ
 ECAD 2393 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSA1001CL2-025.0000TVAO Microchip Technology DSA1001CL2-025.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 5696 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 25MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001CL2-025.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VC-820-EAE-FAAN-64M0000000 Microchip Technology VC-820-EAE-FAAN-64M0000000 -
RFQ
 ECAD 6278 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VC-806-0006-108M000000 Microchip Technology VC-806-0006-108M000000 -
RFQ
 ECAD 5779 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-806 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 108 MHz - - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-806-0006-108M000000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
VX-705-1021-204M800000 Microchip Technology VX-705-1021-204M800000 -
RFQ
 ECAD 5508 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VX-705 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.082 "(2.09mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 204.8 MHz - - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VX-705-1021-204M800000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
DSC1001CI2-003.5795 Microchip Technology DSC1001CI2-003.5795 -
RFQ
 ECAD 5233 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 3.5795 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1101NI1-050.0000T Microchip Technology DSC1101NI1-050.0000T -
RFQ
 ECAD 5103 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 50MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 95µA MEMS ± 50ppm - - -
DSA1223CL2-156M2500TVAO Microchip Technology DSA1223CL2-156M2500TVAO -
RFQ
 ECAD 1819 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - - - - xo (표준) 156.25 MHz - - - 영향을받지 영향을받지 150-DSA1223CL2-156M2500TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - - MEMS - - - -
DSC6001JA1B-009.9000 Microchip Technology DSC6001JA1B-009.9000 -
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 9.9 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JA1B-009.9000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1001DL2-012.5000 Microchip Technology DSC1001DL2-012.5000 -
RFQ
 ECAD 5452 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 12.5MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DL2-012.5000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
VX-805-ECE-KXCN-200M000000 Microchip Technology VX-805-ECE-KXCN-200M000000 -
RFQ
 ECAD 5155 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500
HTM6101CI1B-026.0000 Microchip Technology HTM6101CI1B-026.0000 -
RFQ
 ECAD 7096 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 htm61xx 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn TCXO 26 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-HTM6101CI1B-026.0000 110 활성화/비활성화 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1018CE2-040.0000T Microchip Technology DSC1018CE2-040.0000T -
RFQ
 ECAD 3784 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1018 40MHz CMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC1223CI3-148M5000 Microchip Technology DSC1223CI3-148M5000 -
RFQ
 ECAD 1576 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1223 148.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223CI3-148M5000 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
DSC1121AI5-019.4400C Microchip Technology DSC1121AI5-019.4400C -
RFQ
 ECAD 1705 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 19.44 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
VC-830-HCE-FAAN-156M250000 Microchip Technology VC-830-HCE-FAAN-156M250000 -
RFQ
 ECAD 3583 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-830 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz lvpecl 2.5V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-830-HCE-FAAN-156M250000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 66MA 결정 ± 25ppm - - -
DSC6331JI2CB-027.0000 Microchip Technology DSC6331JI2CB-027.0000 -
RFQ
 ECAD 1119 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6331 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JI2CB-027.0000 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 1.00%, 00 스프레드 -
DSC1121CM1-032.0000T Microchip Technology DSC1121CM1-032.0000T -
RFQ
 ECAD 4281 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 32 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
VC-708-ECW-FNXN-156M253906 Microchip Technology VC-708-ECW-FNXN-156M253906 -
RFQ
 ECAD 8408 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC6183ME2A-032K768 Microchip Technology DSC6183ME2A-032K768 -
RFQ
 ECAD 1559 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 32.768 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VCC1-H3C-30M0000000 Microchip Technology VCC1-H3C-30M0000000 -
RFQ
 ECAD 2026 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1121AI1-027.0000T Microchip Technology DSC1121AI1-027.0000T -
RFQ
 ECAD 6146 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 27 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 22MA MEMS ± 50ppm - - -
DSC1121BI5-022.5792T Microchip Technology DSC1121BI5-022.5792T -
RFQ
 ECAD 6816 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 22.5792 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS - ± 10ppm - 22MA
DSC1001CI2-011.0592T Microchip Technology DSC1001CI2-011.0592T 1.4700
RFQ
 ECAD 175 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 11.0592 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VVC2-BGD-40M0000000 Microchip Technology VVC2-BGD-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 1859 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1121NI5-100.0000 Microchip Technology DSC1121NI5-100.0000 -
RFQ
 ECAD 5479 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 100MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1001AC1-131.0720 Microchip Technology DSC1001AC1-131.0720 -
RFQ
 ECAD 9002 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 131.072 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1102BE1-156.2500 Microchip Technology DSC1102BE1-156.2500 -
RFQ
 ECAD 9839 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1102 156.25 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1001AE1-033.3333T Microchip Technology DSC1001AE1-033.3333T -
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 33.3333 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1101CM1-050.0000 Microchip Technology DSC1101CM1-050.0000 -
RFQ
 ECAD 6665 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 50MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다