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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
VX-705-1021-204M800000 Microchip Technology VX-705-1021-204M800000 -
RFQ
 ECAD 5508 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VX-705 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.082 "(2.09mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 204.8 MHz - - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VX-705-1021-204M800000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
DSC6001JA1B-009.9000 Microchip Technology DSC6001JA1B-009.9000 -
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 9.9 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JA1B-009.9000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
MX775EBB322M265 Microchip Technology MX775EBB322M265 -
RFQ
 ECAD 6372 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX77 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.048 "(1.22mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) 322.265 MHz LVD 2.5V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 150-MX775EBB322M265 귀 99 8541.60.0080 43 활성화/비활성화 180ma 결정 ± 50ppm - - -
VC-820-EAE-FAAN-64M0000000 Microchip Technology VC-820-EAE-FAAN-64M0000000 -
RFQ
 ECAD 6278 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1101NI1-050.0000T Microchip Technology DSC1101NI1-050.0000T -
RFQ
 ECAD 5103 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 50MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 95µA MEMS ± 50ppm - - -
DSC1018CE2-040.0000T Microchip Technology DSC1018CE2-040.0000T -
RFQ
 ECAD 3784 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1018 40MHz CMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1µA
VC-711-HDE-KAAN-200M000000 Microchip Technology VC-711-HDE-KAAN-200M000000 -
RFQ
 ECAD 3473 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1123NL2-100.0000 Microchip Technology DSC1123NL2-100.0000 3.2000
RFQ
 ECAD 4045 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 22MA MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001DL2-012.5000 Microchip Technology DSC1001DL2-012.5000 -
RFQ
 ECAD 5452 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 12.5MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DL2-012.5000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA1223CL2-156M2500TVAO Microchip Technology DSA1223CL2-156M2500TVAO -
RFQ
 ECAD 1819 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - - - - xo (표준) 156.25 MHz - - - 영향을받지 영향을받지 150-DSA1223CL2-156M2500TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - - MEMS - - - -
VX-805-ECE-KXCN-200M000000 Microchip Technology VX-805-ECE-KXCN-200M000000 -
RFQ
 ECAD 5155 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500
VC-806-0006-108M000000 Microchip Technology VC-806-0006-108M000000 -
RFQ
 ECAD 5779 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-806 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 108 MHz - - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-806-0006-108M000000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
DSC1001CI2-003.5795 Microchip Technology DSC1001CI2-003.5795 -
RFQ
 ECAD 5233 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 3.5795 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
HTM6101CI1B-026.0000 Microchip Technology HTM6101CI1B-026.0000 -
RFQ
 ECAD 7096 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 htm61xx 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn TCXO 26 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-HTM6101CI1B-026.0000 110 활성화/비활성화 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6011CI1A-012.0000T Microchip Technology DSC6011CI1A-012.0000T -
RFQ
 ECAD 2393 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1018DI1-024.0000T Microchip Technology DSC1018DI1-024.0000T -
RFQ
 ECAD 3377 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1018 24 MHz CMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSA1001CL2-025.0000TVAO Microchip Technology DSA1001CL2-025.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 5696 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 25MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001CL2-025.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC2311KM1-R0036T Microchip Technology DSC2311KM1-R0036T -
RFQ
 ECAD 3030 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 25MHz 20MHz - -
DSC6053HE3B-008.0000T Microchip Technology DSC6053HE3B-008.0000T -
RFQ
 ECAD 9082 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6053HE3B-008.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 1.5µA (()
DSC6111JI1B-033.3330 Microchip Technology DSC6111JI1B-033.3330 0.8640
RFQ
 ECAD 1721 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 33.333 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111JI1B-033.3330 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC1122BI1-125.0000 Microchip Technology DSC1122BI1-125.0000 -
RFQ
 ECAD 2022 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1122 125MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1522JL3A-125M0000T Microchip Technology DSC1522JL3A-125M0000T -
RFQ
 ECAD 1113 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 125MHz LVCMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1522JL3A-125M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 7.5MA MEMS ± 20ppm - - -
VCC1-B3D-133M000000 Microchip Technology VCC1-B3D-133M000000 -
RFQ
 ECAD 7564 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VCC1-B1B-94M2080000 Microchip Technology VCC1-B1B-94M2080000 -
RFQ
 ECAD 4539 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VC-820-EAE-KAAN-39M0000000 Microchip Technology VC-820-EAE-KAAN-39M0000000 -
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 39MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-EAE-KAAN-39M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 50ppm - - 5µA
DSA6311MI2CB-008.0000VAO Microchip Technology DSA6311MI2CB-008.0000VAO -
RFQ
 ECAD 1076 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA63XX 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 8 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6311MI2CB-008.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 1.00%, 00 스프레드 1.5µA (()
DSC6011HE2B-064.0000 Microchip Technology DSC6011HE2B-064.0000 -
RFQ
 ECAD 1655 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 64 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011HE2B-064.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
M911221DI2-40M00000T Microchip Technology M911221DI2-40M00000T -
RFQ
 ECAD 6437 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9112X1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 40MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 150-M911221DI2-40M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 25ppm - - 5µA
DSC1001CI5-070.4550T Microchip Technology DSC1001CI5-070.4550T -
RFQ
 ECAD 8109 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 70.455 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1033BE1-027.0000T Microchip Technology DSC1033BE1-027.0000T -
RFQ
 ECAD 9291 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 27 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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