SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
DSC6001JI2B-058.9824T Microchip Technology DSC6001JI2B-058.9824T -
RFQ
 ECAD 9343 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 58.9824 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JI2B-058.9824TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
MX575ABJ100M000-TR Microchip Technology MX575ABJ100M000-TR -
RFQ
 ECAD 9068 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX575ABJ100M000 100MHz HCSL 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 95MA 결정 ± 50ppm - - -
DSA1001DL3-125.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL3-125.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 1642 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 125MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DL3-125.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSC1102CI5-100.0000T Microchip Technology DSC1102CI5-100.0000T -
RFQ
 ECAD 4452 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1102 100MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC1001AI2-024.5760T Microchip Technology DSC1001AI2-024.5760T 1.0000
RFQ
 ECAD 6747 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 24.576 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VCC1-B3D-16M0000000 Microchip Technology VCC1-B3D-16M0000000 -
RFQ
 ECAD 3677 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6112JE1B-062K500 Microchip Technology DSC6112JE1B-062K500 -
RFQ
 ECAD 8264 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 62.5 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6112JE1B-062K500 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC6051JI2B-014.3180 Microchip Technology DSC6051JI2B-014.3180 -
RFQ
 ECAD 5453 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 14.318 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6051JI2B-014.3180 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA
DSC1001DI1-133.0000 Microchip Technology DSC1001DI1-133.0000 -
RFQ
 ECAD 2851 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 133 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
VC-709-119-50M0000000TR Microchip Technology VC-709-119-50M0000000TR -
RFQ
 ECAD 1656 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz lvpecl 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-709-119-50M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 45MA 결정 ± 20ppm - - -
DSC1121AI2-019.4400C Microchip Technology DSC1121AI2-019.4400C -
RFQ
 ECAD 1140 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 19.4 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
VC-807-1001-156M250000 Microchip Technology VC-807-1001-156M250000 -
RFQ
 ECAD 1219 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-807 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - - - - xo (표준) 156.25 MHz - - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-807-1001-156M250000tr 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
VCC1-E3C-16M0000000 Microchip Technology VCC1-E3C-16M0000000 -
RFQ
 ECAD 8453 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16MHz CMOS 5V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-E3C-16M0000000tr 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 100ppm - - 30µA
DSC1123CI3-165.0000 Microchip Technology DSC1123CI3-165.0000 -
RFQ
 ECAD 9793 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 165 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123CI3-165.0000 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 20ppm - - 22MA
DSC1004CE1-050.0000 Microchip Technology DSC1004CE1-050.0000 -
RFQ
 ECAD 9049 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1004 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
MX555LBB27M0000 Microchip Technology MX555LBB27M0000 -
RFQ
 ECAD 7019 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX555LBB27M0000 귀 99 8542.39.0001 60
VT-501-EAE-206A-44M8000000 Microchip Technology VT-501-EAE-206A-44M8000000 -
RFQ
 ECAD 8018 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-501 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.465 "L x 0.390"W (11.80mm x 9.90mm) 0.087 "(2.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 44.8 MHz CMOS 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VT-501-EAE-206A-44M80000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - 24MA 결정 ± 2ppm ± 5ppm - -
MX575ABB25M0000-TR Microchip Technology MX575ABB25M0000-TR -
RFQ
 ECAD 1431 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX575ABB25M0000 25MHz LVD 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 90ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC1103NL2-106.2500T Microchip Technology DSC1103NL2-106.2500T -
RFQ
 ECAD 6704 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 106.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103NL2-106.2500TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC6101HI2A-025.0000 Microchip Technology DSC6101HI2A-025.0000 -
RFQ
 ECAD 2552 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
HT-MM900AC-7K-JE-24M0000000 Microchip Technology HT-MM900AC-7K-JE-24M0000000 -
RFQ
 ECAD 8473 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1004CI5-026.6000T Microchip Technology DSC1004CI5-026.6000T -
RFQ
 ECAD 9044 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1004 26.6 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1004CI5-026.6000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
VT-822-EAE-2560-12M000 Microchip Technology VT-822-EAE-2560-12M000 -
RFQ
 ECAD 3695 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-822 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO CMOS 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VT-822-EAE-2560-12M000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA 결정 ± 2.5ppm - - -
DSC1001AE2-007.6800T Microchip Technology DSC1001AE2-007.6800T -
RFQ
 ECAD 1787 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 7.68 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VT-841-JFE-5070-38M4000000TR Microchip Technology VT-841-JFE-5070-38M40000TTR -
RFQ
 ECAD 9100 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-841 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 38.4 MHz 사인파를 사인파를 1.8V - 영향을받지 영향을받지 150-VT-841-JFE-5070-38M40000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 2.5MA 결정 ± 500ppb - - -
DSC1033CE1-016.0000T Microchip Technology DSC103333CE1-016.0000T -
RFQ
 ECAD 6476 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 16MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1222BI1-51M00000T Microchip Technology DSC1222BI1-51M00000T -
RFQ
 ECAD 3987 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1222 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 51 MHz lvpecl 2.5V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC12BI1-51M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 50MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
DSC1101CM2-062.2080 Microchip Technology DSC1101CM2-062.2080 -
RFQ
 ECAD 4890 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 62.208 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1124BE2-100.0000T Microchip Technology DSC1124BE2-100.0000T -
RFQ
 ECAD 8046 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1124 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1223DI2-212M5000 Microchip Technology DSC1223DI2-212M5000 3.3960
RFQ
 ECAD 8695 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1223 212.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223DI2-212M5000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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