SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
VCC1-B3F-24M0000000 Microchip Technology VCC1-B3F-24M0000000 -
RFQ
 ECAD 8813 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001DI1-027.0000 Microchip Technology DSC1001DI1-027.0000 0.8700
RFQ
 ECAD 1649 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
VT-841-EFJ-1060-32M0000000 Microchip Technology VT-841-EFJ-1060-32M0000000 -
RFQ
 ECAD 7913 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-841 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 32 MHz 사인파를 사인파를 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VT-841-EFJ-1060-32M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 2.5MA 결정 ± 1ppm - - -
VCC1-B1D-50M0000000 Microchip Technology VCC1-B1D-50M0000000 -
RFQ
 ECAD 1524 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B1D-50M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - 30µA
DSA1001DI2-012.2880VAO Microchip Technology DSA1001DI2-012.2880VAO -
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 12.288 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI2-012.2880VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1101AI5-019.4400 Microchip Technology DSC1101AI5-019.4400 -
RFQ
 ECAD 9265 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1101 19.44 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
VC-806-EDE-KAAN-240M000000 Microchip Technology VC-806-ede-kaan-240m000000 -
RFQ
 ECAD 6810 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSA6101JL3B-060.0000VAO Microchip Technology DSA6101JL3B-060.0000VAO -
RFQ
 ECAD 4263 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSA6101 60MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101JL3B-060.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC1004DI5-050.0000 Microchip Technology DSC1004DI5-050.0000 -
RFQ
 ECAD 8003 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1004 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
MX575ABC125M000-TR Microchip Technology MX575ABC125M000-TR -
RFQ
 ECAD 9826 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX575ABC125M000 125MHz CMOS 2.375V ~ 3.63V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 결정 - - - -
DSC6111JI2A-100.0000 Microchip Technology DSC6111JI2A-100.0000 -
RFQ
 ECAD 5038 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSA6001JA2B-019.2000VAO Microchip Technology DSA6001JA2B-019.2000VAO -
RFQ
 ECAD 1898 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSA6001 19.2 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6001JA2B-019.2000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1003AL2-005.0000T Microchip Technology DSC1003AL2-005.0000T -
RFQ
 ECAD 2130 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1003 5 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1123CI1-200.0000T Microchip Technology DSC1123CI1-200.0000T 3.2880
RFQ
 ECAD 8201 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 200MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC6051JI3B-024.0000T Microchip Technology DSC6051JI3B-024.0000T -
RFQ
 ECAD 4929 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6051JI3B-024.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 1.5µA (()
DSC1001DL2-008.0000 Microchip Technology DSC1001DL2-008.0000 -
RFQ
 ECAD 4063 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1122BI2-156.2570 Microchip Technology DSC1122BI2-156.2570 -
RFQ
 ECAD 6913 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1122 156.257 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1001CL1-048.0000T Microchip Technology DSC1001CL1-048.0000T -
RFQ
 ECAD 4823 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 48MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1101DL2-020.0000T Microchip Technology DSC1101111DL2-020.0000T -
RFQ
 ECAD 4217 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 20MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1123AI1-200.0000 Microchip Technology DSC1123AI1-200.0000 3.7000
RFQ
 ECAD 322 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1123 200MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4638 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1123CL1-200.0000T Microchip Technology DSC1123CL1-200.0000T -
RFQ
 ECAD 7740 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 200MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1101DI5-100.0000T Microchip Technology DSC1101DI5-100.0000T -
RFQ
 ECAD 7709 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 100MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS - ± 10ppm - 95µA
MX554JBC122M880-TR Microchip Technology MX554JBC122M880-TR -
RFQ
 ECAD 5415 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX554JBC122M880-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6013CE1A-012.0000 Microchip Technology DSC6013CE1A-012.0000 -
RFQ
 ECAD 4380 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 12MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 150-DSC6013CE1A-012.0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 80µA (타이핑)
VC-826-EDE-FAAN-114M426000 Microchip Technology VC-826-EDE-FAAN-114M426000 -
RFQ
 ECAD 1354 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001BI1-014.7456T Microchip Technology DSC1001BI1-014.7456T -
RFQ
 ECAD 2373 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 14.7456 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1121CI2-024.5760T Microchip Technology DSC1121CI2-024.5760T -
RFQ
 ECAD 1528 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 24.576 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1123DI5-080.1574T Microchip Technology DSC1123DI5-080.1574T -
RFQ
 ECAD 5478 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 80.1574 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123DI5-080.1574TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
VCC1-B3F-36M0000000 Microchip Technology VCC1-B3F-36M0000000 -
RFQ
 ECAD 8246 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 36 MHz CMOS 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B3F-36M0000000tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 25ppm - - 30µA
VC-706-EDW-KAAN-156M250000TR Microchip Technology VC-706-EDW-KAAN-156M250000TR -
RFQ
 ECAD 9673 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-706 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-706-EDW-KAAN-156M250000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 60ma 결정 ± 50ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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