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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
VCC1-B1D-20M0000000 Microchip Technology VCC1-B1D-20M0000000 -
RFQ
ECAD 9845 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC400-1111Q0090KI2T Microchip Technology DSC400-1111Q0090KI2T -
RFQ
ECAD 4223 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 10MHz 27MHz 148.5MHz 125MHz
VCC4-B3F-10M0000000 Microchip Technology VCC4-B3F-10M0000000 -
RFQ
ECAD 6575 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSA1001DL2-025.0000VAO Microchip Technology DSA1001DL2-025.0000VAO -
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ECAD 6931 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 25MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1033DI1-066.6660T Microchip Technology DSC103333DI1-066.6660T -
RFQ
ECAD 8628 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.666 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1101AI5-066.0000-TR Microchip Technology DSC1101AI5-066.0000-TR -
RFQ
ECAD 5419 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1101 66MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
VC-801-EAE-KAAN-27M0000000 Microchip Technology VC-801-EAE-KAAN-27M0000000 -
RFQ
ECAD 9181 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 27 MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-801-EAE-KAAN-27M0000000 귀 99 8541.60.0080 100 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - 30µA
VCC4-B3D-10M0000000 Microchip Technology VCC4-B3D-10M0000000 -
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ECAD 6978 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6001CI2A-024.5000T Microchip Technology DSC6001CI2A-024.5000T -
RFQ
ECAD 5321 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 24.5 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 150-DSC6001CI2A-024.5000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1101DM2-020.0000 Microchip Technology DSC11011111DM2-020.0000 1.4900
RFQ
ECAD 4158 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 20MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1001CI3-048.0000T Microchip Technology DSC1001CI3-048.0000T -
RFQ
ECAD 3114 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 48MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CI3-048.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSC6011JI2B-050.0000 Microchip Technology DSC6011JI2B-050.0000 -
RFQ
ECAD 6129 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI2B-050.0000 귀 99 8542.39.0001 140
DSC1001BC1-125.0000 Microchip Technology DSC1001BC1-125.0000 -
RFQ
ECAD 5453 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 125MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1124CI2-133.3300 Microchip Technology DSC1124CI2-133.3300 -
RFQ
ECAD 2242 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1124 133.33 MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1124CI2-133.3300 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1004BI5-016.0000 Microchip Technology DSC1004BI5-016.0000 -
RFQ
ECAD 7622 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1004 16MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 7.1ma MEMS ± 10ppm - - -
DSC1101BI5-016.0000 Microchip Technology DSC1101BI5-016.0000 -
RFQ
ECAD 9491 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 16MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 35MA MEMS - ± 10ppm - 95µA
DSC1033CE1-008.0000 Microchip Technology DSC103333CE1-008.0000 -
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ECAD 6265 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 8 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC6021JE1B-0193 Microchip Technology DSC6021JE1B-0193 -
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ECAD 1226 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 4-VLGA xo (표준) DSC6021 CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6021JE1B-0193 귀 99 8542.39.0001 140 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 50ppm 35.8907MHz, 59.8178MHz - - -
DSC1121CI2-048.0000T Microchip Technology DSC1121CI2-048.0000T -
RFQ
ECAD 6487 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 48MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC400-1111Q0091KI2 Microchip Technology DSC400-1111Q0091KI2 -
RFQ
ECAD 5349 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 12MHz 24MHz 48MHz 14.25MHz
DSC1001AI2-012.2880T Microchip Technology DSC1001AI2-012.2880T -
RFQ
ECAD 6289 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 12.288 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6001JI2B-008.0000T Microchip Technology DSC6001JI2B-008.0000T -
RFQ
ECAD 4020 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 8 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JI2B-008.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1123BI5-200.0000 Microchip Technology DSC1123BI5-200.0000 -
RFQ
ECAD 3246 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 200MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
VCC1-B3F-11M0592000TR Microchip Technology VCC1-B3F-11M0592000TR -
RFQ
ECAD 3718 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 11.0592 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B3F-11M0592000TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 25ppm - - 30µA
DSC1103CI3-060.0000T Microchip Technology DSC1103CI3-060.0000T -
RFQ
ECAD 7179 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 60MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS - ± 20ppm - 95µA
HT-MM900AC-2K-EE-10M0000000 Microchip Technology HT-MM900AC-2K-EE-10M0000000 -
RFQ
ECAD 2581 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 10MHz CMOS 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-HT-MM900AC-2K-EE-10M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 5MA 결정 ± 50ppm - - -
DSC1001DE1-018.4320 Microchip Technology DSC1001DE1-018.4320 -
RFQ
ECAD 3501 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 18.432 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
MX555LBC27M0000-TR Microchip Technology MX555LBC27M0000-TR -
RFQ
ECAD 9760 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX555LBC27M0000-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1123AI2-148.3520T Microchip Technology DSC1123AI2-148.3520T -
RFQ
ECAD 5342 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1123 148.352 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1033DI1-014.3181 Microchip Technology DSC103333DI1-014.3181 -
RFQ
ECAD 4750 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 14.3181 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고