SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSC6111JI1B-200K000 Microchip Technology DSC6111JI1B-200K000 -
RFQ
ECAD 8042 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6111 200 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111JI1B-200K000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1121BL2-040.6800T Microchip Technology DSC1121BL2-040.6800T -
RFQ
ECAD 3638 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 40.68 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121BL2-040.6800TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1033BC1-012.0000T Microchip Technology DSC1033BC1-012.0000T -
RFQ
ECAD 2081 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 12MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
VT-802-EAE-2560-25M0000000 Microchip Technology VT-802-EAE-2560-25M0000000 -
RFQ
ECAD 2246 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-802 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 25MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VT-802-EAE-2560-25M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 5MA 결정 ± 2ppm - - -
DSC6011JI2B-040.0000 Microchip Technology DSC6011JI2B-040.0000 -
RFQ
ECAD 3166 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 40MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI2B-040.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC6001MI2A-012.0000T Microchip Technology DSC6001MI2A-012.0000T -
RFQ
ECAD 2169 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1103CI2-074.2500T Microchip Technology DSC1103CI2-074.2500T -
RFQ
ECAD 6935 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 74.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1121AI2-066.6666T Microchip Technology DSC1121AI2-066.6666T -
RFQ
ECAD 1969 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 66.6666 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1001CE3-032.0000 Microchip Technology DSC1001CE3-032.0000 -
RFQ
ECAD 2989 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 32 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CE3-032.0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 20ppm - - 15µA
VCC6-1032-161M132800 Microchip Technology VCC6-1032-161M132800 -
RFQ
ECAD 5314 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC6 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 161.1328 MHz - - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC6-1032-161M132800tr 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 - 결정 - - - -
DSC1121BI5-010.0000 Microchip Technology DSC1121BI5-010.0000 -
RFQ
ECAD 8336 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 10MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1123CE5-156.2500 Microchip Technology DSC1123CE5-156.2500 -
RFQ
ECAD 6009 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 156.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
VC-801-EAF-KAAN-50M0000000 Microchip Technology VC-801-AF-AF-KAAN-50M0000000 -
RFQ
ECAD 7293 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6011JI2B-080.0000 Microchip Technology DSC6011JI2B-080.0000 -
RFQ
ECAD 5953 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 80MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI2B-080.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC6003JI2B-120K000 Microchip Technology DSC6003JI2B-120K000 -
RFQ
ECAD 8062 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140
DSC1223BI1-200.0000 Microchip Technology DSC1223BI1-200.0000 -
RFQ
ECAD 9369 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 200MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223BI1-200.0000 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
VC-820-9012-20M0000000 Microchip Technology VC-820-9012-20M0000000 -
RFQ
ECAD 1996 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 조각 활동적인 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-9012-20M0000000 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 6MA 결정 - - - 10µA
DSC1004AI5-125.0000T Microchip Technology DSC1004AI5-125.0000T -
RFQ
ECAD 9319 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1004 125MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC2010FE2-B0007 Microchip Technology DSC2010FE2-B0007 -
RFQ
ECAD 6259 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2010 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC2010 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 35MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 22.768MHz, 24.576MHz - - -
VCC6-121-80M0000000 Microchip Technology VCC6-121-80M0000000 -
RFQ
ECAD 4254 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 80MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VCC6-121-80M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 60ma 결정 ± 20ppm - - 200µA
DSC6011CI2A-040.0000 Microchip Technology DSC6011CI2A-040.0000 -
RFQ
ECAD 6320 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 40MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS - ± 25ppm - -
DSC400-0333Q0040KI2T Microchip Technology DSC400-033333Q0040KI2T -
RFQ
ECAD 4725 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 25MHz 25MHz 25MHz -
VCC6-120-19M4400000 Microchip Technology VCC6-120-19M4400000 -
RFQ
ECAD 8901 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC6331JI2CB-027.0000T Microchip Technology DSC6331JI2CB-027.0000T -
RFQ
ECAD 5960 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6331 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JI2CB-027.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 1.00%, 00 스프레드 -
DSA1223CL2-125M0000VAO Microchip Technology DSA1223CL2-125M0000VAO -
RFQ
ECAD 2836 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1223 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1223CL2-125M0000VAO 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 23MA (유형)
VT-804-EAR-1560-48M0000000 Microchip Technology VT-804-EAR-1560-48M0000000 -
RFQ
ECAD 2508 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500
VXM1-9003-12M0000000 Microchip Technology VXM1-9003-12M0000000 0.8500
RFQ
ECAD 226 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 조각 활동적인 VXM1-9003 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0050 100
DSA1121DA3-020.0000VAO Microchip Technology DSA1121DA3-020.0000VAO -
RFQ
ECAD 9015 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1121 20MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1121DA3-020.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 20ppm - - 22MA
DSC6183CI2A-032K768T Microchip Technology DSC6183CI2A-032K768T -
RFQ
ECAD 9045 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 32.768 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSA1103CL2-100.0000VAO Microchip Technology DSA1103CL2-100.0000VAO -
RFQ
ECAD 5764 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1103 100MHz LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1103CL2-100.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고