SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC6011JA3B-016K384T Microchip Technology DSC6011JA3B-016K384T -
RFQ
ECAD 6728 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6011 16.384 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JA3B-016K384TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC1004DI2-012.0000T Microchip Technology DSC1004DI2-012.0000T -
RFQ
ECAD 1701 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1004 12MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001DL2-027.0000 Microchip Technology DSC1001DL2-027.0000 1.2900
RFQ
ECAD 9226 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
VXM1-1KJ-18-24M0000000 Microchip Technology VXM1-1KJ-18-24M0000000 -
RFQ
ECAD 3769 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXM1 조각 활동적인 50 옴 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 2-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 24 MHz 근본적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VXM1-1KJ-18-24M0000000 귀 99 8541.60.0060 100 18pf ± 50ppm ± 10ppm
DSC1001CL1-024.5760 Microchip Technology DSC1001CL1-024.5760 -
RFQ
ECAD 4721 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 24.576 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6111HE1B-050.0000 Microchip Technology DSC6111HE1B-050.0000 -
RFQ
ECAD 7757 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111HE1B-050.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA
DSC6001MI2A-000.0000T Microchip Technology DSC6001MI2A-000.0000T 1.1600
RFQ
ECAD 423 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 25ppm
DSC6101CE2A-000.0000 Microchip Technology DSC6101CE2A-000.0000 0.8900
RFQ
ECAD 760 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 100MHz ± 25ppm
DSC2033FI1-F0039 Microchip Technology DSC2033FI1-F0039 -
RFQ
ECAD 1660 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2033 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 mems (실리콘) DSC2033 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2033FI1-F0039 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 38MA (유형) 0.037 "(0.95mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 100MHz 75MHz - -
DSC6021CI2A-00A1T Microchip Technology DSC6021CI2A-00A1T 0.8800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 4-vdfn xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 12MHz, 24MHz - - -
DSC613NI2A-0106B Microchip Technology DSC613NI2A-0106B -
RFQ
ECAD 2593 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC613 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC613 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 6.5MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 1.5 µA 19.2MHz 24MHz 32.768kHz -
DSA1001DL2-040.0000VAO Microchip Technology DSA1001DL2-040.0000VAO -
RFQ
ECAD 2073 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 40MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1121CM2-040.0000T Microchip Technology DSC1121CM2-040.0000T 1.5240
RFQ
ECAD 5663 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 40MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
MX554BBG322M265-TR Microchip Technology MX554BBG322M265-TR -
RFQ
ECAD 6628 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX554BBG322M265 322.265625 MHz LVD 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 90ma 결정 ± 50ppm - - -
M911221CI1-125M0000 Microchip Technology M911221CI1-125M0000 -
RFQ
ECAD 4386 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9112X1 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 125MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 150-M911221CI1-125M0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 50ppm - - 5µA
DSC6101JI2B-037.1250 Microchip Technology DSC6101JI2B-037.1250 -
RFQ
ECAD 2782 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 37.125 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JI2B-037.1250 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001BI3-024.0000 Microchip Technology DSC1001BI3-024.0000 -
RFQ
ECAD 2884 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 20ppm - - 15µA
VMK4-1EE-12-32K7680000TR Microchip Technology VMK4-1EE-12-32K7680000tr 1.3560
RFQ
ECAD 9483 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VMK4 테이프 & tr (TR) 활동적인 90 KOHMS -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.047"W (2.00mm x 1.20mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 2-SMD,, 없음 khz 크리스탈 (크리스탈 포크) 32.768 kHz 근본적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VMK4-1EE-12-32K7680000TR 귀 99 8541.60.0010 3,000 12.5pf - ± 20ppm
DSC1103CI2-125.0000T Microchip Technology DSC1103CI2-125.0000T -
RFQ
ECAD 7330 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC400-3333Q0089KE2 Microchip Technology DSC400-3333Q0089KE2 -
RFQ
ECAD 3288 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 148.35MHz 148.5MHz - -
DSC2030FI2-B0022 Microchip Technology DSC2030FI2-B0022 -
RFQ
ECAD 1157 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2030 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2030FI2-B0022 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 122.88MHz 156.25MHz 167.332MHz 155.52MHz
DSC1001BI2-014.3180T Microchip Technology DSC1001BI2-014.3180T -
RFQ
ECAD 9902 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 14.318 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VXE4-1D1-14M3181800 Microchip Technology VXE4-1D1-14M3181800 -
RFQ
ECAD 6666 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0050 1,000
DSA1101CL1-016.0000VAO Microchip Technology DSA1101CL1-016.0000VAO -
RFQ
ECAD 1733 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 16MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101CL1-016.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1101CE2-020.0000 Microchip Technology DSC1101CE2-020.0000 -
RFQ
ECAD 2426 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 20MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1101BI2-050.0000 Microchip Technology DSC1101BI2-050.0000 -
RFQ
ECAD 6382 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 50MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC6102CI1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6102ci1a 프로그램 가능 -
RFQ
ECAD 9626 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 100MHz ± 50ppm
DSC6111HI2B-004K000T Microchip Technology DSC6111HI2B-004K000T -
RFQ
ECAD 7365 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6111 4 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSA1121DL2-033.3333VAO Microchip Technology DSA1121DL2-033.3333VAO -
RFQ
ECAD 6641 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1121 33.3333 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1121DL2-033.3333VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
HT-MM900AC-9E-EE-12M0000000 Microchip Technology HT-MM900AC-9E-EE-12M0000000 -
RFQ
ECAD 8500 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고