SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC400-2222Q0118KI2T Microchip Technology DSC400-2222Q0118KI2T -
RFQ
ECAD 8670 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz
DSC1001BL5-024.0000T Microchip Technology DSC1001BL5-024.0000T -
RFQ
ECAD 5695 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1018BI1-125.0000T Microchip Technology DSC1018BI1-125.0000T -
RFQ
ECAD 3492 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1018 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz CMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DSC1018BI1-125.0000TMCR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10MA MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC613PI3A-0105T Microchip Technology DSC613PI3A-0105T -
RFQ
ECAD 2596 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC613 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC613 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6.5MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 1.5 µA 25MHz 12MHz 32.768kHz -
DSC2010FE2-B0003 Microchip Technology DSC2010FE2-B0003 -
RFQ
ECAD 5068 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2010 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC2010 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 35MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 125MHz, 155.52MHz - - -
DSC6301HA1FB-020.0000T Microchip Technology DSC6301HA1FB-020.0000T -
RFQ
ECAD 9933 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6301 20MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6301HA1FB-020.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 2.50%, 50 스프레드 -
VC-840-EAE-KAAN-32M7680000 Microchip Technology VC-840-EAE-KAAN-32M7680000 -
RFQ
ECAD 7510 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001CI2-014.7456T Microchip Technology DSC1001CI2-014.7456T -
RFQ
ECAD 3585 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 14.7456 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001DI1-006.1400 Microchip Technology DSC1001DI1-006.1400 -
RFQ
ECAD 5463 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 6.14 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1033DI2-008.0000 Microchip Technology DSC103333DI2-008.0000 -
RFQ
ECAD 9877 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1µA
MX574EBB20M0000-TR Microchip Technology MX574EBB20M0000-TR -
RFQ
ECAD 6566 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX574 20MHz LVD 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX574EBB20M0000-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 100ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC6111HI2B-033.3300 Microchip Technology DSC6111HI2B-033.3300 -
RFQ
ECAD 3678 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 33.33 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111HI2B-033.3300 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1101AI2-125.0000T Microchip Technology DSC1101AI2-125.0000T -
RFQ
ECAD 5754 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1101 125MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1103CE2-200.0000 Microchip Technology DSC1103CE2-200.0000 3.0000
RFQ
ECAD 4941 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 200MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC6011HI1B-016.0000T Microchip Technology DSC6011HI1B-016.0000T -
RFQ
ECAD 9278 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6011 16MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011HI1B-016.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VXM2-9002-150M000000 Microchip Technology VXM2-9002-150M000000 -
RFQ
ECAD 1200 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXM2 조각 활동적인 80 옴 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 150MHz 세 세 오버 번째 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 100 - - ± 20ppm
DSC1101DL5-020.0000 Microchip Technology DSC1101111DL5-020.0000 2.1800
RFQ
ECAD 5976 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 20MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
VXM7-1353-25M0000000 Microchip Technology VXM7-1353-25M0000000 -
RFQ
ECAD 4263 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxm7 테이프 & tr (TR) 활동적인 60 옴 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 25MHz 근본적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VXM7-1353-25M0000000TR 귀 99 8541.60.0060 1,000 - - ± 20ppm
DSC6011JA3B-016K384T Microchip Technology DSC6011JA3B-016K384T -
RFQ
ECAD 6728 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6011 16.384 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JA3B-016K384TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC1004DI2-012.0000T Microchip Technology DSC1004DI2-012.0000T -
RFQ
ECAD 1701 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1004 12MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001DL2-027.0000 Microchip Technology DSC1001DL2-027.0000 1.2900
RFQ
ECAD 9226 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
VXM1-1KJ-18-24M0000000 Microchip Technology VXM1-1KJ-18-24M0000000 -
RFQ
ECAD 3769 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXM1 조각 활동적인 50 옴 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 2-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 24 MHz 근본적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VXM1-1KJ-18-24M0000000 귀 99 8541.60.0060 100 18pf ± 50ppm ± 10ppm
DSC1001CL1-024.5760 Microchip Technology DSC1001CL1-024.5760 -
RFQ
ECAD 4721 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 24.576 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6111HE1B-050.0000 Microchip Technology DSC6111HE1B-050.0000 -
RFQ
ECAD 7757 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111HE1B-050.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA
DSC6001MI2A-000.0000T Microchip Technology DSC6001MI2A-000.0000T 1.1600
RFQ
ECAD 423 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 25ppm
DSC6101CE2A-000.0000 Microchip Technology DSC6101CE2A-000.0000 0.8900
RFQ
ECAD 760 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 100MHz ± 25ppm
DSC2033FI1-F0039 Microchip Technology DSC2033FI1-F0039 -
RFQ
ECAD 1660 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2033 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 mems (실리콘) DSC2033 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2033FI1-F0039 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 38MA (유형) 0.037 "(0.95mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 100MHz 75MHz - -
DSC6021CI2A-00A1T Microchip Technology DSC6021CI2A-00A1T 0.8800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 4-vdfn xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 12MHz, 24MHz - - -
DSC613NI2A-0106B Microchip Technology DSC613NI2A-0106B -
RFQ
ECAD 2593 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC613 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC613 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 6.5MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 1.5 µA 19.2MHz 24MHz 32.768kHz -
DSA1001DL2-040.0000VAO Microchip Technology DSA1001DL2-040.0000VAO -
RFQ
ECAD 2073 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 40MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고