전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | esr (시리즈 동등한 저항 저항) | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 작동 작동 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 프로그래밍 프로그래밍 유형 | 커패시턴스로드 | 현재 -공급 (max) | 키 | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 | 주파수 주파수 | 주파수 -. 1 | 주파수 -. 2 | 주파수-. 3 | 주파수-. 4 | 사용 사용 주파수 가능한 | 주파수 주파수 (안정성) |
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![]() | DSC400-2222Q0118KI2T | - | ![]() | 8670 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC400 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | xo (표준) | DSC400 | lvpecl | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | - | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 100MHz, 125MHz | 100MHz, 125MHz | 100MHz, 125MHz | 100MHz, 125MHz | |||||||||||||||||
![]() | DSC1001BL5-024.0000T | - | ![]() | 5695 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 24 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.3ma | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||||
![]() | DSC1018BI1-125.0000T | - | ![]() | 3492 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1018 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 125MHz | CMOS | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | DSC1018BI1-125.0000TMCR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 10MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1µA | ||||||||||||||
![]() | DSC613PI3A-0105T | - | ![]() | 2596 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC613 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 6-VFLGA | xo (표준) | DSC613 | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 6.5MA | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 20ppm | 1.5 µA | 25MHz | 12MHz | 32.768kHz | - | |||||||||||||||
![]() | DSC2010FE2-B0003 | - | ![]() | 5068 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC2010 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 14-vfqfn 노출 패드 | xo (표준) | DSC2010 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 35MA | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 23 MA | 125MHz, 155.52MHz | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | DSC6301HA1FB-020.0000T | - | ![]() | 9933 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6301 | 20MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6301HA1FB-020.0000T | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | ± 2.50%, 50 스프레드 | - | |||||||||||||
![]() | VC-840-EAE-KAAN-32M7680000 | - | ![]() | 7510 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSC1001CI2-014.7456T | - | ![]() | 3585 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 14.7456 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.3ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||||
![]() | DSC1001DI1-006.1400 | - | ![]() | 5463 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 6.14 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 6.3ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||||
![]() | DSC103333DI2-008.0000 | - | ![]() | 9877 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1033, Puresilicon ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 8 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1µA | |||||||||||||||
![]() | MX574EBB20M0000-TR | - | ![]() | 6566 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX57 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-llga | xo (표준) | MX574 | 20MHz | LVD | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MX574EBB20M0000-TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 100ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||||||||||||||
![]() | DSC6111HI2B-033.3300 | - | ![]() | 3678 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 33.33 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6111HI2B-033.3300 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1.5µA (() | |||||||||||||||
![]() | DSC1101AI2-125.0000T | - | ![]() | 5754 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | xo (표준) | DSC1101 | 125MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 95µA | |||||||||||||||
![]() | DSC1103CE2-200.0000 | 3.0000 | ![]() | 4941 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1103 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1103 | 200MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 95µA | ||||||||||||||
![]() | DSC6011HI1B-016.0000T | - | ![]() | 9278 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6011 | 16MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011HI1B-016.0000T | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | ||||||||||||||
![]() | VXM2-9002-150M000000 | - | ![]() | 1200 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VXM2 | 조각 | 활동적인 | 80 옴 | - | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.043 "(1.10mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | 150MHz | 세 세 오버 번째 | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 100 | - | - | ± 20ppm | |||||||||||||||||||||
![]() | DSC1101111DL5-020.0000 | 2.1800 | ![]() | 5976 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1101 | 20MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 95µA | ||||||||||||||
![]() | VXM7-1353-25M0000000 | - | ![]() | 4263 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | vxm7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 60 옴 | - | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | 25MHz | 근본적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXM7-1353-25M0000000TR | 귀 99 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | - | ± 20ppm | |||||||||||||||||||
![]() | DSC6011JA3B-016K384T | - | ![]() | 6728 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6011 | 16.384 kHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011JA3B-016K384TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | ||||||||||||||
![]() | DSC1004DI2-012.0000T | - | ![]() | 1701 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1004 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1004 | 12MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||||
![]() | DSC1001DL2-027.0000 | 1.2900 | ![]() | 9226 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 27 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 7.2MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||||
![]() | VXM1-1KJ-18-24M0000000 | - | ![]() | 3769 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VXM1 | 조각 | 활동적인 | 50 옴 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | 24 MHz | 근본적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXM1-1KJ-18-24M0000000 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 100 | 18pf | ± 50ppm | ± 10ppm | |||||||||||||||||||
![]() | DSC1001CL1-024.5760 | - | ![]() | 4721 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 24.576 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 6.3ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||||
![]() | DSC6111HE1B-050.0000 | - | ![]() | 7757 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 가방 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 50MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6111HE1B-050.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1.5µA | |||||||||||||||
![]() | DSC6001MI2A-000.0000T | 1.1600 | ![]() | 423 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | blank (사용자 필수 사용자 사용자) | 1.3MA (유형) | MEMS | - | - | 12 µA | 1MHz ~ 80MHz | ± 25ppm | ||||||||||||||
![]() | DSC6101CE2A-000.0000 | 0.8900 | ![]() | 760 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 튜브 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | blank (사용자 필수 사용자 사용자) | 3MA (유형) | MEMS | - | - | 1MHz ~ 100MHz | ± 25ppm | |||||||||||||||
![]() | DSC2033FI1-F0039 | - | ![]() | 1660 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC2033 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 14-SMD,, 없음 | mems (실리콘) | DSC2033 | LVD | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC2033FI1-F0039 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 38MA (유형) | 0.037 "(0.95mm) | MEMS | ± 50ppm | 23 MA | 100MHz | 75MHz | - | - | |||||||||||||||
![]() | DSC6021CI2A-00A1T | 0.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 4-vdfn | xo (표준) | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 1.3MA (유형) | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 12MHz, 24MHz | - | - | - | |||||||||||||||||
![]() | DSC613NI2A-0106B | - | ![]() | 2593 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC613 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 6-VFLGA | xo (표준) | DSC613 | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 6.5MA | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 25ppm | 1.5 µA | 19.2MHz | 24MHz | 32.768kHz | - | |||||||||||||||
![]() | DSA1001DL2-040.0000VAO | - | ![]() | 2073 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1001 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSA1001 | 40MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA |
일일 평균 RFQ 볼륨
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