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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
VXM4-1D2-40M0000000 Microchip Technology VXM4-1D2-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 3920 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXM4 테이프 & tr (TR) 활동적인 40 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.157 "L x 0.098"W (4.00mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 40MHz 근본적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-vxm4-1d2-40m0000000tr 귀 99 8541.60.0060 1,000 20pf ± 50ppm ± 20ppm
DSC1001DL5-049.5000 Microchip Technology DSC1001DL5-049.5000 -
RFQ
 ECAD 3985 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 49.5MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DL5-049.5000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
VXB2-9004-25M0000000 Microchip Technology VXB2-9004-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 3992 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXB2 조각 활동적인 25 옴 - - 0.449 "L x 0.191"W (11.40mm x 4.85mm) 0.173 "(4.40mm) 표면 표면 HC-49/US MHZ 크리스탈 25MHz 근본적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VXB2-9004-25M0000000 귀 99 8541.60.0080 100 - - ± 20ppm
DSC6003HI2B-019.2000 Microchip Technology DSC6003HI2B-019.2000 -
RFQ
 ECAD 1087 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6003 19.2 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6003HI2B-019.2000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1103BI1-156.2500 Microchip Technology DSC1103BI1-156.2500 -
RFQ
 ECAD 7663 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 156.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103BI1-156.2500 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
VXB2-1A3-16M3840000 Microchip Technology VXB2-1A3-16M3840000 -
RFQ
 ECAD 2563 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0050 1,000
DSC400-3133Q0080KE2T Microchip Technology DSC400-3133Q0080KE2T -
RFQ
 ECAD 2776 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS, LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 148.35MHz 27MHz 25MHz 148.35MHz
VC-830-ECE-KAAN-156M250000 Microchip Technology VC-830-ECE-KAAN-156M250000 6.1800
RFQ
 ECAD 2012 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-830 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz lvpecl 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-830-ECE-KAAN-156M250000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 66MA 결정 ± 50ppm - - -
VXM7-1C1-16M0000000 Microchip Technology VXM7-1C1-16M0000000 -
RFQ
 ECAD 5115 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0050 3,000
DSC400-3333Q0094KE1T Microchip Technology DSC400-3333Q0094KE1T -
RFQ
 ECAD 9292 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 125MHz 100MHz 100MHz 50MHz
DSC1121AI5-010.0000T Microchip Technology DSC1121AI5-010.0000T -
RFQ
 ECAD 6148 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 10MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1123AI1-156.2500T Microchip Technology DSC1123AI1-156.2500T -
RFQ
 ECAD 8633 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1123 156.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1001CC2-033.0000 Microchip Technology DSC1001001CC2-033.0000 -
RFQ
 ECAD 2944 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 33MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1123CI2-333.3300T Microchip Technology DSC1123CI2-333.3300T -
RFQ
 ECAD 7473 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 333.33 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
VXM7-1DH-08-25M0000000 Microchip Technology VXM7-1DH-08-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 3086 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxm7 조각 활동적인 60 옴 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 25MHz 근본적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VXM7-1DH-08-25M0000000 귀 99 8541.60.0060 3,000 8pf ± 15ppm ± 20ppm
DSC1123CI2-050.0000T Microchip Technology DSC1123CI2-050.0000T -
RFQ
 ECAD 1457 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 50MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
VXM5-1GE-14-25M0000000 Microchip Technology VXM5-1GE-14-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 7800 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 1,000
VX-705-1014-155M520000 Microchip Technology VX-705-1014-155M520000 -
RFQ
 ECAD 6707 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VX-705 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.082 "(2.09mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 155.52 MHz - - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VX-705-1014-155M520000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
DSC1103BI1-120.0000 Microchip Technology DSC1103BI1-120.0000 -
RFQ
 ECAD 9915 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 120MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC400-2222Q0118KI2T Microchip Technology DSC400-2222Q0118KI2T -
RFQ
 ECAD 8670 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz
DSC1001BL5-024.0000T Microchip Technology DSC1001BL5-024.0000T -
RFQ
 ECAD 5695 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1018BI1-125.0000T Microchip Technology DSC1018BI1-125.0000T -
RFQ
 ECAD 3492 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1018 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz CMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DSC1018BI1-125.0000TMCR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10MA MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC613PI3A-0105T Microchip Technology DSC613PI3A-0105T -
RFQ
 ECAD 2596 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC613 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC613 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6.5MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 1.5 µA 25MHz 12MHz 32.768kHz -
DSC2010FE2-B0003 Microchip Technology DSC2010FE2-B0003 -
RFQ
 ECAD 5068 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2010 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC2010 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 35MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 125MHz, 155.52MHz - - -
DSC6301HA1FB-020.0000T Microchip Technology DSC6301HA1FB-020.0000T -
RFQ
 ECAD 9933 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6301 20MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6301HA1FB-020.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 2.50%, 50 스프레드 -
VC-840-EAE-KAAN-32M7680000 Microchip Technology VC-840-EAE-KAAN-32M7680000 -
RFQ
 ECAD 7510 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001CI2-014.7456T Microchip Technology DSC1001CI2-014.7456T -
RFQ
 ECAD 3585 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 14.7456 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001DI1-006.1400 Microchip Technology DSC1001DI1-006.1400 -
RFQ
 ECAD 5463 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 6.14 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1033DI2-008.0000 Microchip Technology DSC103333DI2-008.0000 -
RFQ
 ECAD 9877 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1µA
MX574EBB20M0000-TR Microchip Technology MX574EBB20M0000-TR -
RFQ
 ECAD 6566 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX574 20MHz LVD 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX574EBB20M0000-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 100ma 결정 ± 50ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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