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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSC6083HI2A-409K600 Microchip Technology DSC6083HI2A-409K600 -
RFQ
ECAD 3625 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 409.6 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 100 - 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSA400-0344Q0009KI2TVAO Microchip Technology DSA400-0344Q0009KI2TVAO -
RFQ
ECAD 5390 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-0344Q0009KI2TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001BI1-033.0000 Microchip Technology DSC1001BI1-033.0000 -
RFQ
ECAD 3339 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 33MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1122AI2-400.0000 Microchip Technology DSC1122AI2-400.0000 -
RFQ
ECAD 2039 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1122 400MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC400-3333Q0089KI2 Microchip Technology DSC400-3333Q0089KI2 -
RFQ
ECAD 3852 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 148.35MHz 148.5MHz - -
DSC6001HI1B-024.0000T Microchip Technology DSC6001HI1B-024.0000T -
RFQ
ECAD 4773 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001HI1B-024.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1001DI2-047.3885 Microchip Technology DSC1001DI2-047.3885 0.9360
RFQ
ECAD 1689 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 47.3885 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA6101JA2B-024.0000TVAO Microchip Technology DSA6101JA2B-024.0000TVAO -
RFQ
ECAD 7045 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101JA2B-024.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSA1101CL1-016.0000TVAO Microchip Technology DSA1101CL1-016.0000TVAO -
RFQ
ECAD 2570 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 16MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101CL1-016.00000000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
VC-711-HCE-FAAN-128M000000 Microchip Technology VC-711-HCE-FAAN-128M000000 -
RFQ
ECAD 5941 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
VC-830-HDE-FAAN-212M5000000TR Microchip Technology VC-830-HDE-FAAN-212M5000000TR -
RFQ
ECAD 3355 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 150-VC-830-HDE-FAAN-212M5000000TR 1
DSC1033BI2-024.0000 Microchip Technology DSC1033BI2-024.0000 -
RFQ
ECAD 1359 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 24 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC1001DE2-060.0000T Microchip Technology DSC1001DE2-060.0000T -
RFQ
ECAD 2105 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 60MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1223BI2-50M00000 Microchip Technology DSC1223BI2-50M00000 -
RFQ
ECAD 9034 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 50MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223BI2-50M00000 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 23MA (유형)
DSC1001BI1-100.0000 Microchip Technology DSC1001BI1-100.0000 1.0600
RFQ
ECAD 7060 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 100MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 8.7ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6003JI2B-027.0950T Microchip Technology DSC6003JI2B-027.0950T -
RFQ
ECAD 2297 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6003 27.095 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6003JI2B-027.0950TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001DE1-018.1000 Microchip Technology DSC1001DE1-018.1000 -
RFQ
ECAD 8967 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 18.1 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
VCC1-B3D-19M4400000 Microchip Technology VCC1-B3D-19M4400000 -
RFQ
ECAD 3275 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 19.44 MHz CMOS 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B3D-19M4400000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 50ppm - - 30µA
DSC1101CI5-022.5000 Microchip Technology DSC1101CI5-022.5000 -
RFQ
ECAD 3598 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 22.5MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC1001CI1-029.4912 Microchip Technology DSC1001CI1-029.4912 -
RFQ
ECAD 9962 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 29.4912 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CI1-029.4912 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC400-1111Q0110KE2T Microchip Technology DSC400-1111Q0110KE2T -
RFQ
ECAD 2689 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 12MHz 15MHz 40MHz 13MHz
DSC6001CI2A-008.0000 Microchip Technology DSC6001CI2A-008.0000 -
RFQ
ECAD 7325 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC400-0101Q0115KE2T Microchip Technology DSC400-0101Q0115KE2T -
RFQ
ECAD 5799 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 12MHz 3.072MHz - -
DSA6121HA3B-01QJTVAO Microchip Technology DSA6121HA3B-01QJTVAO -
RFQ
ECAD 8197 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 4-VFLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6121HA3B-01QJTVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 8MHz, 64MHz - - -
DSC400-0344Q0051KE1T Microchip Technology DSC400-0344Q0051KE1T -
RFQ
ECAD 4455 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 HCSL, LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 100MHz 156.25MHz 156.25MHz -
DSC1101CI2-030.0000 Microchip Technology DSC1101CI2-030.0000 -
RFQ
ECAD 4177 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 30MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
VCC6-LAP-200M000000_SNPB Microchip Technology VCC6-LAP-200M000000_SNPB -
RFQ
ECAD 6522 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC6 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 200MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VCC6-LAP-200M000000_SNPBTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 60ma 결정 ± 100ppm - - -
DSC1001BI2-016.0000T Microchip Technology DSC1001BI2-016.0000T -
RFQ
ECAD 5728 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 16MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VC-806-0010-150M000000_SNPB Microchip Technology VC-806-0010-150M000000_SNPB -
RFQ
ECAD 9284 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-806 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 150MHz - - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-806-0010-150M000000_SNPBTR 귀 99 8542.39.0001 50 - - 결정 - - - -
VC-711-HCE-KAAN-100M000000 Microchip Technology VC-711-HCE-KAAN-100M000000 -
RFQ
ECAD 8319 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고