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| DSC6111HL1B-032K768T | - | | 6081 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6111 | 32.768 kHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6111HL1B-032K768T | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | ||||||
| DSC1001DI1-038.0000 | - | | 7619 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 38MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001DI1-038.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | |||||||
 | DSC1001BI2-066.0000T | - | | 9025 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 66MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 7.2MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||||||
| VCC6-1326-212M500000 | - | | 8106 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.063 "(1.60mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 212.5 MHz | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC6-1326-212M500000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 10 | 활성화/비활성화 | - | 결정 | - | - | - | - | ||||||||
| DSC2044FE2-H0006 | - | | 1966 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC2044 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 14-vfqfn 노출 패드 | xo (표준) | DSC2044 | HCSL | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 60ma (유형) | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 23 MA | 156.25MHz | 156.25MHz | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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