SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
VCC4-B3F-10M0000000_SNPB Microchip Technology VCC4-B3F-10M0000000_SNPB -
RFQ
ECAD 7010 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50
VCC4-B3F-50M0000000 Microchip Technology VCC4-B3F-50M0000000 -
RFQ
ECAD 4310 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC8124CI2 Microchip Technology DSC8124CI2 4.5200
RFQ
ECAD 674 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8124 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8124 HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 42MA MEMS ± 25ppm - 22 MA 10MHz ~ 460 MHz -
VC-806-ECE-KAAN-161M1328125 Microchip Technology VC-806-ECE-KAAN-161M1328125 -
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ECAD 6937 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1001CL2-060.0000T Microchip Technology DSC1001CL2-060.0000T -
RFQ
ECAD 8156 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 60MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6001JI2B-001.8432T Microchip Technology DSC6001JI2B-001.8432T -
RFQ
ECAD 1153 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6001 1.8432 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JI2B-001.8432T 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1033CE1-002.0800 Microchip Technology DSC1033CE1-002.0800 -
RFQ
ECAD 4005 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 2.08 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC2031FI2-F0023T Microchip Technology DSC2031FI2-F0023T -
RFQ
ECAD 5829 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2031 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 mems (실리콘) LVCMOS, LVD 2.25V ~ 3.6V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2031FI2-F0023TTR 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 49ma (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 125MHz - - -
DSC1101CL2-024.7500 Microchip Technology DSC1101CL2-024.7500 1.1040
RFQ
ECAD 5644 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 24.75 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC6311MI2CA-008.0000T Microchip Technology DSC6311MI2CA-008.0000T -
RFQ
ECAD 4588 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSC1001DI2-064.0000T Microchip Technology DSC1001DI2-064.0000T -
RFQ
ECAD 8959 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 64 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC612PL2A-0132 Microchip Technology DSC612PL2A-0132 -
RFQ
ECAD 7374 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 가방 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 - 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 1.5 µA 20MHz 25MHz - -
DSC1101AM1-160.0000T Microchip Technology DSC1101AM1-160.0000T 1.8480
RFQ
ECAD 7730 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) 160MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 150-DSC1101AM1-160.0000TTR 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC400-2222Q0105KE1 Microchip Technology DSC400-2222Q0105KE1 -
RFQ
ECAD 3564 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 200MHz 156.25MHz 125MHz 100MHz
DSA6023JI3B-01JGTVAO Microchip Technology DSA6023JI3B-01JGTVAO -
RFQ
ECAD 2828 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.8V, 2.5V, 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6023JI3B-01JGTVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm - - - -
VCC6-QCB-37M0000000 Microchip Technology VCC6-QCB-37M0000000 -
RFQ
ECAD 1647 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1122DL1-072.0000T Microchip Technology DSC1122DL1-072.0000T -
RFQ
ECAD 3922 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1122 72 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1122DL1-072.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC613PL3A-0106T Microchip Technology DSC613PL3A-0106T -
RFQ
ECAD 6730 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC613 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC613 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6.5MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 1.5 µA 19.2MHz 24MHz 32.768kHz -
CD-700-KAC-GEB-64M1520000 Microchip Technology CD-700-KAC-GEB-64M1520000 -
RFQ
ECAD 2764 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 CD-700 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 0.295 "L x 0.200"W (7.49mm x 5.08mm) 16-SMD,, 없음 VCXO CMOS 5V - 영향을받지 영향을받지 150-CD-700-KAC-GEB-64M1520000TR 귀 99 8542.39.0001 200 - 63MA 0.084 "(2.13mm) 결정 ± 75ppm 64.152MHz 2.00475MHz - -
VXM9-1GJ-10-32M0000000 Microchip Technology VXM9-1GJ-10-32M0000000 -
RFQ
ECAD 8752 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 1,000
DSC1030DC1-010.0000T Microchip Technology DSC1030DC1-010.0000T -
RFQ
ECAD 9079 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1030, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1030 10MHz CMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10MA MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1103BI2-135.0000 Microchip Technology DSC1103BI2-135.0000 2.9700
RFQ
ECAD 292 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 135 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1122CL1-156.2500T Microchip Technology DSC1122CL1-156.2500T -
RFQ
ECAD 7007 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 156.25 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 50ppm - - 22MA
090-02789-003 Microchip Technology 090-02789-003 -
RFQ
ECAD 5583 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 SA.45S CSAC 쟁반 활동적인 - - 1.600 "L x 1.390"W (40.64mm x 35.31mm) 0.460 "(11.68mm) 구멍을 구멍을 12-DIP 9, 9 개의 리드 원자 16.384 MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-090-02789-003 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 ± 500ppt - - -
DSC6112CI2A-000.0000T Microchip Technology DSC6112CI2A-000.0000T -
RFQ
ECAD 4005 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 100MHz ± 25ppm
DSC1121BM1-030.0000 Microchip Technology DSC1121BM1-030.0000 1.6080
RFQ
ECAD 1494 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 30MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1123AI5-100.0000 Microchip Technology DSC1123AI5-100.0000 -
RFQ
ECAD 5689 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1123 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC6112CI2A-083.3545 Microchip Technology DSC6112CI2A-083.3545 -
RFQ
ECAD 2210 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 83.3545 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC400-0101Q0114KI1T Microchip Technology DSC400-0101Q0114KI1T -
RFQ
ECAD 8115 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 12MHz 12.288MHz - -
DSA1001DI1-019.2000VAO Microchip Technology DSA1001DI1-019.2000VAO -
RFQ
ECAD 5292 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 19.2 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI1-019.2000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고