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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 -공급 (max) | 키 | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 | 주파수 -. 1 | 주파수 -. 2 | 주파수-. 3 | 주파수-. 4 |
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![]() | DSC1124DL5-156.2500 | - | ![]() | 3937 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1124 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 156.25 MHz | HCSL | 3.3v | 다운로드 | 150-DSC1124DL5-156.2500 | 140 | 활성화/비활성화 | 42MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 22MA | ||||||||||||
![]() | DSA6003JI1B-020.0000VAO | - | ![]() | 4231 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA60XX | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 20MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6003JI1B-020.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | ||||||||
![]() | MX575ABC25M0000-TR | - | ![]() | 6113 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX57 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | MX575ABC25M0000 | 25MHz | LVCMOS | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 95MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||||
![]() | MX553ABC177M083-TR | - | ![]() | 8760 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX55 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-llga | xo (표준) | MX553ABC177M083 | 177.08333 MHz | CMOS | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MX553ABC177M083-TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 95MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||||
![]() | DSC1121NI1-133.3300 | - | ![]() | 1422 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1121 | 133.33 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 22MA | |||||||
![]() | DSC1101CI2-025.0000 | - | ![]() | 1548 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1101 | 25MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 95µA | |||||||
![]() | DSC1123CI5-066.6670T | - | ![]() | 3633 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1123 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 66.667 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1123CI5-066.6670TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 22MA | |||||||
![]() | DSC6013JI2B-032K768 | - | ![]() | 7623 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6013 | 32.768 kHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | - | ± 25ppm | - | - | |||||||
![]() | DSC1202CL3-130M0000 | - | ![]() | 9470 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1203 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 130MHz | lvpecl | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1202CL3-130M0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 50MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 5µA | ||||||||
![]() | DSC1101BI1-012.5000T | - | ![]() | 6112 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1101 | 12.5MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 95µA | |||||||
![]() | MX875BB0023 | - | ![]() | 5742 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MX875BB0023 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 43 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | OX-401-9016-20M000 | - | ![]() | 9333 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | OX-401 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.800 "L x 0.500"W (20.32mm x 12.70mm) | 0.433 "(11.00mm) | 표면 표면 | 14-smd,, 없음, 4 개의 리드 | OCXO | 20MHz | LVCMOS | 3.3v | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | - | 330ma | 결정 | ± 5ppb | - | - | - | ||||||||
![]() | DSA400-3333Q0171KI2TVAO | - | ![]() | 9204 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA400 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | mems (실리콘) | LVD | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA400-333333Q0171KI2TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) | 48MA | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 44 MA | 125MHz, 156.25MHz | 125MHz, 156.25MHz | 125MHz, 156.25MHz | 125MHz, 156.25MHz | ||||||||
![]() | DSC1018DI1-028.6360T | - | ![]() | 1549 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1018 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 28.636 MHz | CMOS | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1µA | ||||||||
![]() | HT-MM900AE-6E-EE-40M0000000 | - | ![]() | 5756 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 40MHz | CMOS | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-HT-MM900AE-6E-EE-40M0000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 5MA | 결정 | ± 20ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | DSC6331JI2EB-012.0000 | - | ![]() | 9196 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XX | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 12MHz | LVCMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6331JI2EB-012.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | - | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | ± 2.00%, 00 스프레드 | - | ||||||||
![]() | VV-800-EAE-KAAE-50M0000000 | - | ![]() | 9659 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DSC1001BL5-125.0000T | - | ![]() | 1807 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 125MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8.7ma | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | |||||||
![]() | DSC1103BI2-050.0000T | - | ![]() | 3588 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1103 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1103 | 50MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 95µA | |||||||
![]() | MX554ENL120M000-TR | - | ![]() | 3821 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX55 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | MX554ENL120M000 | 120MHz | lvpecl | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 120ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||||
![]() | DSC103333DI1-032.0000T | - | ![]() | 1920 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1033, Puresilicon ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 32 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1µA | ||||||||
![]() | MX775ABD156M250-TR | - | ![]() | 5378 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MX775ABD156M250-TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VCC1-E3D-64M0000000 | - | ![]() | 4092 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DSC1003AI2-075.0000 | - | ![]() | 1626 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1003 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | xo (표준) | DSC1003 | 75MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 11.9ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||||||
![]() | VT-501-EAE-1060-10M0000000 | - | ![]() | 2740 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DSC1003DL1-048.0000 | - | ![]() | 7221 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1003 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSC1003 | 48MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1003DL1-048.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | |||||||
![]() | VV-701-1059-26M0000000 | - | ![]() | 8031 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VV-701 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.068 "(1.72mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | 26 MHz | CMOS | - | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VV-701-1059-26M0000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | 결정 | - | - | - | - | |||||||||
![]() | DSC1221DI3-148M5000 | - | ![]() | 5805 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X1 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 148.5 MHz | CMOS | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1221DI3-148M5000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 27MA (타이핑) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 23MA (유형) | |||||||||
![]() | VC-820-0049-66M6660000tr | - | ![]() | 9576 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-820 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 66.666 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-820-0049-666660000tr | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 9MA | 결정 | - | - | - | 10µA | |||||||||
![]() | DSC6301CI2FA-025.0000 | - | ![]() | 3009 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XX | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 25MHz | LVCMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 80µA (타이핑) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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전 세계 제조업체
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