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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
DSA6101JL1B-020.0000TVAO Microchip Technology DSA6101JL1B-020.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 4731 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSA6101 20MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101JL1B-020.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6301CI2KA-036.0000T Microchip Technology DSC6301CI2KA-036.0000T 1.2500
RFQ
 ECAD 969 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 36 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSC1001CI2-022.5792 Microchip Technology DSC1001CI2-022.5792 -
RFQ
 ECAD 5104 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 22.5792 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6011JI2B-012.2880T Microchip Technology DSC6011JI2B-012.2880T -
RFQ
 ECAD 6558 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 12.288 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI2B-012.2880TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1004DI1-050.0000T Microchip Technology DSC1004DI1-050.0000T -
RFQ
 ECAD 9834 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1004 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.1ma MEMS ± 50ppm - - -
VCC1-109-8M00000000 Microchip Technology VCC1-109-8M00000000 -
RFQ
 ECAD 2611 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VCC1-B0D-25M0000000 Microchip Technology VCC1-B0D-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 9927 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100
VXB2-1D4-10M0000000 Microchip Technology VXB2-1D4-10M0000000 -
RFQ
 ECAD 3631 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0050 1,000
VCC6-VCD-62M5000000 Microchip Technology VCC6-VCD-62M5000000 -
RFQ
 ECAD 6937 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
VC-827-0005-156M250000 Microchip Technology VC-827-0005-156M250000 -
RFQ
 ECAD 1306 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-827 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz - - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-827-0005-156M250000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
DSC1102CI5-040.0000 Microchip Technology DSC1102CI5-040.0000 3.7700
RFQ
 ECAD 2581 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1102 40MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC6083CI2A-800K000 Microchip Technology DSC6083CI2A-800K000 -
RFQ
 ECAD 2425 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 800 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 - 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001CI2-010.0000 Microchip Technology DSC1001CI2-010.0000 -
RFQ
 ECAD 5040 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 10MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VC-820-EAE-FAAN-20M0000000 Microchip Technology VC-820-EAE-FAAN-20M0000000 -
RFQ
 ECAD 1782 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6013JI2A-012.0000T Microchip Technology DSC6013JI2A-012.0000T -
RFQ
 ECAD 6088 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1121CI3-008.0000 Microchip Technology DSC1121CI3-008.0000 -
RFQ
 ECAD 2957 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 8 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121CI3-008.0000 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 20ppm - - 22MA
DSC6101MI2B-025.0000 Microchip Technology DSC6101MI2B-025.0000 -
RFQ
 ECAD 3883 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6101 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101MI2B-025.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA
VTC1-A03E-10M0000000 Microchip Technology VTC1-A03E-10M0000000 -
RFQ
 ECAD 2804 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VTC1 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.079 "(2.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 10MHz 사인파를 사인파를 5V - 150-VTC1-A03E-10M0000000 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 3ppm - - -
DSA6001JA2B-003K277TVAO Microchip Technology DSA6001JA2B-003K277TVAO -
RFQ
 ECAD 2964 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 3.277 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6001JA2B-003K277TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1001DI5-030.7200 Microchip Technology DSC1001DI5-030.7200 -
RFQ
 ECAD 4305 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 30.72 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DI5-030.7200 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
OSC-4A1-25M0000000 Microchip Technology OSC-4A1-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 1974 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001CE1-120.0000T Microchip Technology DSC1001CE1-120.0000T -
RFQ
 ECAD 3065 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 120MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CE1-120.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 16.6MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6101MI1A-008.0000T Microchip Technology DSC6101MI1A-008.0000T -
RFQ
 ECAD 1690 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 80µA (타이핑)
DSC6011JE2A-049.1520 Microchip Technology DSC6011JE2A-049.1520 -
RFQ
 ECAD 8880 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 49.152 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001CC1-024.0000 Microchip Technology DSC1001CC1-024.0000 -
RFQ
 ECAD 9360 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1123CL3-250.0000T Microchip Technology DSC1123CL3-250.0000T -
RFQ
 ECAD 3602 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 250MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123CL3-250.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 20ppm - - 22MA
DSC1502AI3A-156M2500T Microchip Technology DSC1502AI3A-156M2500T -
RFQ
 ECAD 7919 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC150X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 156.25 MHz LVCMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1502AI3A-156M2500TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.5MA MEMS ± 20ppm - - 1.8µA (()
DSC6001MI1A-016.0000T Microchip Technology DSC6001MI1A-016.0000T -
RFQ
 ECAD 5520 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6011CE2A-049.1520T Microchip Technology DSC6011CE2A-049.1520T -
RFQ
 ECAD 5232 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 49.152 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1124CI5-133.0000T Microchip Technology DSC1124CI5-133.0000T -
RFQ
 ECAD 1667 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1124 133 MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 10ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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