전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 -공급 (max) | 키 | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 | 주파수 -. 1 | 주파수 -. 2 |
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![]() | XLH730020.000000X | 0.9352 | ![]() | 5759 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC73 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH730 | 20MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA | 결정 | ± 100ppm | - | - | ||||||
![]() | XLH325010.000000I | 1.0187 | ![]() | 1610 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 특대 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH325 | 10MHz | HCMOS | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 800-XLH325010.000000IT | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 활성화/비활성화 | 22MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||||
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4EA1250A0Z3BACUGI8 | - | ![]() | 1806 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 4EA1250A0Z3 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 10-smd,, 없음 | xo (표준) | CMOS, LVPECL | 2.5V | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 활성화/비활성화 | 130ma (유형) | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 50ppm | 125MHz, 150MHz, 200MHz, 250MHz | 50MHz | ||||||||||||
![]() | XLP53VC50.000000X | - | ![]() | 3452 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FVXO-PC53 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | XLP53V | 1.25GHz | lvpecl | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 120ma | 결정 | - | ± 50ppm | - | ||||||
![]() | XLH730074.250000X | - | ![]() | 9904 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC73 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH730 | 74.25 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 47ma | 결정 | ± 100ppm | - | - | ||||||
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XLH538011.059200X | - | ![]() | 6019 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC53 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH538 | 11.0592 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 32MA | 결정 | ± 20ppm | - | - | |||||||
![]() | XUH738016.125000X | 1.6867 | ![]() | 2111 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | xu | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XUH738 | 16.125 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 800-XUH738016.125000XTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 98ma | 결정 | ± 20ppm | - | - | - | ||||
![]() | XLH735010.240000I | 1.5698 | ![]() | 7999 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 특대 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.057 "(1.45mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH735 | 10.24 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 800-XLH735010.240000ITR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||||
![]() | XLH330012.000000I | 1.6300 | ![]() | 2990 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 특대 | 조각 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH330 | 12MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 활성화/비활성화 | 32MA | 결정 | ± 100ppm | - | - | ||||||
![]() | XAH336000.127774I | 1.7368 | ![]() | 5971 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | XA | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XAH336 | 127.774 kHz | HCMOS | 3.3v | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 800-XAH336000.127774IT | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 활성화/비활성화 | 22MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | |||||
XLP536500.000000X | - | ![]() | 5197 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-PC53 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLP536 | 500MHz | lvpecl | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 120ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | |||||||
![]() | XLH735150.428000I | - | ![]() | 1665 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC73 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH735 | 150.428 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 55MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||||||
XLH330.062.500000I | - | ![]() | 4926 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC33 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH330 | 62.5 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 47ma | 결정 | ± 100ppm | - | - | |||||||
![]() | XLH735024.864000I | - | ![]() | 2297 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC73 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH735 | 24.864 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 35MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||||||
XLH530001.000000I | 1.0187 | ![]() | 6891 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC53 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH530 | 1MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA | 결정 | ± 100ppm | - | - | |||||||
XLH525066.666600X | - | ![]() | 3509 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC52 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH525 | 66.6666 MHz | HCMOS | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 29ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||||||
![]() | XPL336830.000000I | 9.6359 | ![]() | 9021 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | xp | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XPL336 | 830 MHz | LVD | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 800-XPL336830.0000000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 활성화/비활성화 | 85MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | ||||
![]() | XLL72V200.000000X | 1.6110 | ![]() | 5800 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 특대 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.057 "(1.45mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | xll72v | 200MHz | LVD | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 800-XLL72V200.000000XTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 34ma | 결정 | - | - | - | - | ||||
![]() | FXTC-HE73TC-39 MHz | - | ![]() | 5330 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | fxtc-he73 | 조각 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C | - | 0.283 "L x 0.205"W (7.20mm x 5.20mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | TCXO | 39MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 43MA | 결정 | ± 1ppm | - | - | ||||||||
XLP538A90.000000X | - | ![]() | 3459 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-PC53 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLP538 | 1.09 GHz | lvpecl | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 120ma | 결정 | ± 20ppm | - | - | |||||||
![]() | XLL735066.000000X | 1.5865 | ![]() | 1514 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-LC73 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | xll735 | 66MHz | LVD | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 100ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||||||
![]() | XUL535156.250000X | 4.2585 | ![]() | 1005 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | xu | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XUL535 | 156.25 MHz | LVD | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 800-XUL535156.250000XTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 97ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||||
![]() | XLH735125.000000X | 1.4696 | ![]() | 6257 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC73 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH735 | 125MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 47ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||||||
![]() | XLH735007.372800I | 1.5698 | ![]() | 8600 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC73 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH735 | 7.3728 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||||||
![]() | XLL53V016.000000X | - | ![]() | 7748 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FVXO-LC53 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | xll53v | 16MHz | LVD | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 100ma | 결정 | - | ± 50ppm | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
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