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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
XLH536133.333333I Renesas Electronics America Inc XLH536133.333333I 1.6678
RFQ
ECAD 3037 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 133.333333 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 800-XLH536133.333333ITR 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 25ppm - - -
XUM728250.000000X Renesas Electronics America Inc XUM728250.000000X 2.1775
RFQ
ECAD 2468 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xu 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 250MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 800-XUM728250.000000XTR 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 90ma 결정 ± 20ppm - - -
XFL216040.000000I Renesas Electronics America Inc XFL216040.000000I 5.2704
RFQ
ECAD 4053 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xf 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 12-smd,, 없음, 노출 된 패드 xo (표준) 40MHz LVD 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 800-XFL216040.000000I 귀 99 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 66MA 결정 ± 25ppm - - -
XFN536100.000000I Renesas Electronics America Inc XFN536100.000000I 6.8072
RFQ
ECAD 9602 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xf 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.037 "(0.95mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 100MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 800-XFN536100.000000I 귀 99 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 83MA 결정 ± 25ppm - - -
XPL736200.000000I Renesas Electronics America Inc XPL736200.000000I 7.7975
RFQ
ECAD 5637 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xp 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.074 "(1.88mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 200MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 800-XPL736200.0000000 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 67ma 결정 ± 25ppm - - -
XFL336830.078125I Renesas Electronics America Inc XFL336830.078125I 6.4451
RFQ
ECAD 3956 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xf 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.037 "(0.95mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 830.078125 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 800-XFL336830.078125I 귀 99 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 85MA 결정 ± 25ppm - - -
XLY335100.000000I Renesas Electronics America Inc XLY335100.000000I 1.9748
RFQ
ECAD 3668 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 800-XLY335100.000000ITR 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - - -
XFP336048.000000I Renesas Electronics America Inc XFP336048.000000I 6.4596
RFQ
ECAD 4958 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xf 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.037 "(0.95mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 48MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 800-XFP336048.000000I 귀 99 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 94ma 결정 ± 25ppm - - -
XUJ535156.250000I Renesas Electronics America Inc XUJ535156.250000I 2.2786
RFQ
ECAD 1525 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xu 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz LVCMOS 3.3v - Rohs3 준수 800-XUJ535156.250000ITR 1,000 활성화/비활성화 108ma 결정 ± 50ppm - - -
XUH738050.000000X Renesas Electronics America Inc XUH738050.000000X 1.9304
RFQ
ECAD 7035 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xu 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz LVCMOS 3.3v - Rohs3 준수 800-XUH738050.000000XTR 1,000 활성화/비활성화 98ma 결정 ± 20ppm - - -
XUH730080.000000I Renesas Electronics America Inc XUH730080.000000I 1.9304
RFQ
ECAD 8749 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xu 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 80MHz LVCMOS 3.3v - Rohs3 준수 800-XUH730080.000000ITR 1,000 활성화/비활성화 108ma 결정 ± 100ppm - - -
XFL316125.000000I Renesas Electronics America Inc XFL316125.000000I 6.4451
RFQ
ECAD 8069 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xf 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.037 "(0.95mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 125MHz LVD 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 800-XFL316125.000000I 귀 99 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 66MA 결정 ± 25ppm - - -
XLJ726150.000000I Renesas Electronics America Inc XLJ726150.000000I 1.6987
RFQ
ECAD 7561 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 150MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 800-XLJ726150.000000ITR 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 25ppm - - -
XUL736380.000000I Renesas Electronics America Inc XUL736380.000000I 2.1775
RFQ
ECAD 6120 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xu 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 380MHz LVD 3.3v - Rohs3 준수 1 (무제한) 800-XUL736380.000000ITR 1,000 활성화/비활성화 97ma 결정 ± 25ppm - - -
XPP735156.250000K Renesas Electronics America Inc XPP735156.250000K 7.7975
RFQ
ECAD 7576 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xp 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.074 "(1.88mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz lvpecl 3.3v - Rohs3 준수 1 (무제한) 800-xpp735156.250000ktr 1,000 활성화/비활성화 94ma 결정 ± 50ppm - - -
XLH336125.000000I Renesas Electronics America Inc XLH336125.000000I 1.6867
RFQ
ECAD 4399 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 800-XLH336125.0000000 귀 99 8541.60.0080 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 25ppm - - -
XLH73V134.400000I Renesas Electronics America Inc XLH73V134.400000I 2.3046
RFQ
ECAD 8597 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 VCXO 134.4 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 800-XLH73V134.400000ITR 귀 99 8541.60.0080 1 진폭 진폭 55MA 결정 - ± 50ppm - -
XLL738050.000000X Renesas Electronics America Inc XLL738050.000000X 4.2585
RFQ
ECAD 2037 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-LC73 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) xll738 50MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 100ma 결정 ± 20ppm - -
XLH536125.000000X Renesas Electronics America Inc XLH536125.000000X -
RFQ
ECAD 2121 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH536 125MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 25ppm - -
FXTC-HE73PR-37.5 MHZ Renesas Electronics America Inc FXTC-HE73PR-37.5 MHz -
RFQ
ECAD 8175 0.00000000 Renesas Electronics America Inc fxtc-he73 조각 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.283 "L x 0.205"W (7.20mm x 5.20mm) 0.094 "(2.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 37.5 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 43MA 결정 ± 2.5ppm - -
FXTC-HE73PR-44.736 MHZ Renesas Electronics America Inc FXTC-HE73PR-44.736 MHz -
RFQ
ECAD 1018 0.00000000 Renesas Electronics America Inc fxtc-he73 조각 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.283 "L x 0.205"W (7.20mm x 5.20mm) 0.094 "(2.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 44.736 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 43MA 결정 ± 2.5ppm - -
FXCHHL024.000SA4X Renesas Electronics America Inc fxchhl024.000sa4x -
RFQ
ECAD 6146 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
XLP535002.220000X Renesas Electronics America Inc XLP535002.220000X -
RFQ
ECAD 3022 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-PC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLP535 2.22 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - -
XLH730030.000000X Renesas Electronics America Inc XLH730030.000000X 0.9352
RFQ
ECAD 5077 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 30MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 100ppm - -
FXTC-HE73TC-33.3 MHZ Renesas Electronics America Inc FXTC-HE73TC-33.3 MHz -
RFQ
ECAD 4293 0.00000000 Renesas Electronics America Inc fxtc-he73 조각 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C - 0.283 "L x 0.205"W (7.20mm x 5.20mm) 0.094 "(2.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 33.3 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 43MA 결정 ± 1ppm - -
XLL725150.000000I Renesas Electronics America Inc XLL725150.000000I 3.6406
RFQ
ECAD 9214 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-LC72 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) xll725 150MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 34ma 결정 ± 50ppm - -
XLL72V350.000000X Renesas Electronics America Inc XLL72V350.000000X -
RFQ
ECAD 3595 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-LC72 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO xll72v 350MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 44MA 결정 - ± 50ppm -
XLL726240.000000I Renesas Electronics America Inc XLL726240.000000I 1.8370
RFQ
ECAD 4810 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-LC72 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) xll726 240 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 44MA 결정 ± 25ppm - -
XLH730011.520000X Renesas Electronics America Inc XLH730011.520000X -
RFQ
ECAD 1430 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 11.52 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH535066.400000X Renesas Electronics America Inc XLH535066.400000X 1.4696
RFQ
ECAD 9848 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 66.4 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 800-XLH535066.400000XTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고