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| XLL730A00.000000X | 3.6406 | | 7323 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 특대 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.057 "(1.45mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | xll730 | 1GHz | LVD | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 800-xll730a00.000000xtr | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 100ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||
| XLH330030.000000I | 1.0187 | | 3731 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 특대 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH330 | 30MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 800-XLH330030.0000000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 활성화/비활성화 | 35MA | 결정 | ± 100ppm | - | - | - | |
| XLH335148.351600I | 1.6867 | | 1394 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 특대 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH335 | 148.3516 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 800-XLH335148.351600IT | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 활성화/비활성화 | 55MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |
| XAH335080.000000I | 1.7368 | | 8377 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | XA | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XAH335 | 80MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 800-XAH335080.000000ITR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 활성화/비활성화 | 47ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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