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| XLH736150.000000I | 1.8036 | | 3099 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC73 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH736 | 150MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 55MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | |||
| 4HF050000Z3AACTGI | - | | 3244 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 4HF | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 50MHz | lvpecl | 3.3v | - | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 70 | 활성화/비활성화 | - | MEMS | ± 50ppm | - | - | ||||||
| XLH735049.500000I | - | | 1992 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC73 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH735 | 49.5MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 35MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
| 4MA23333Z4AACTGI8 | - | | 1503 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 4MA | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 233.333 MHz | LVD | 3.3v | - | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 활성화/비활성화 | - | MEMS | ± 50ppm | - | - | ||||||
| XLH736108.000000X | - | | 8736 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC73 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH736 | 108 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 47ma | 결정 | ± 25ppm | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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