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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
XUL538161.132813X Renesas Electronics America Inc XUL538161.132813X 2.2786
RFQ
ECAD 7860 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xu 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 161.132813 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 800-XUL538161.132813XTR 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 97ma 결정 ± 20ppm - - -
XFL336148.425824I Renesas Electronics America Inc XFL336148.425824I 6.4451
RFQ
ECAD 4462 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xf 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.037 "(0.95mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 148.425824 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 800-XFL336148.425824I 귀 99 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 67ma 결정 ± 25ppm - - -
XPP516100.000000I Renesas Electronics America Inc XPP516100.000000I 7.7975
RFQ
ECAD 5121 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xp 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 100MHz lvpecl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 800-XPP516100.0000000 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 93MA 결정 ± 25ppm - - -
XLH335008.000000K Renesas Electronics America Inc XLH335008.000000K 1.5798
RFQ
ECAD 8762 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 8 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 800-XLH335008.000000KTR 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - - -
XFL526066.666667I Renesas Electronics America Inc XFL526066.6666667I 6.8072
RFQ
ECAD 1572 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xf 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.037 "(0.95mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 66.666667 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 800-XFL526066.666667I 귀 99 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 66MA 결정 ± 25ppm - - -
XUH518001.843200X Renesas Electronics America Inc XUH518001.843200X 3.6830
RFQ
ECAD 3739 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xu 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 1.8432 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 800-XUH518001.843200XTR 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma 결정 ± 20ppm - - -
XPL315400.000000K Renesas Electronics America Inc XPL315400.000000K 7.0587
RFQ
ECAD 1624 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xp 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.19mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 400MHz LVD 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 800-XPL315400.000000KTR 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 85MA 결정 ± 50ppm - - -
XLL335108.000000X Renesas Electronics America Inc XLL335108.000000X 1.9748
RFQ
ECAD 5360 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 108 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 800-xll335108.000000xtr 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - - -
XUH518124.000000X Renesas Electronics America Inc XUH518124.000000X 2.2786
RFQ
ECAD 1928 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xu 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 124 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 800-XUH518124.000000XTR 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma 결정 ± 20ppm - - -
XPN336312.500000I Renesas Electronics America Inc XPN336312.500000I 7.0587
RFQ
ECAD 7034 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xp 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.19mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 312.5 MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 800-XPN336312.500000ITR 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 83MA 결정 ± 25ppm - - -
XPL726125.000000I Renesas Electronics America Inc XPL726125.000000I 7.7975
RFQ
ECAD 7303 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xp 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.074 "(1.88mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 125MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 800-XPL726125.0000000 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 66MA 결정 ± 25ppm - - -
XUL516090.000000I Renesas Electronics America Inc XUL516090.000000I 2.0848
RFQ
ECAD 3755 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xu 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 90MHz LVD 1.8V - Rohs3 준수 800-XUL516090.000000I 1,000 활성화/비활성화 65MA 결정 ± 25ppm - - -
XUX538050.000000X Renesas Electronics America Inc xux538050.000000x 2.0848
RFQ
ECAD 2144 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xu 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 800-xux538050.000000xtr 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 결정 ± 20ppm - - -
XAL336125.000000I Renesas Electronics America Inc XAL336125.000000I 1.8229
RFQ
ECAD 4616 0.00000000 Renesas Electronics America Inc XA 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q200 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz LVD 3.3v - Rohs3 준수 800-XAL336125.0000000 귀 99 8541.60.0080 2,000 활성화/비활성화 100ma 결정 ± 25ppm - - -
XUM716125.000000I Renesas Electronics America Inc XUM716125.000000I 2.1775
RFQ
ECAD 6599 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xu 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz LVD 1.8V - Rohs3 준수 800-XUM716125.000000ITR 1,000 활성화/비활성화 65MA 결정 ± 25ppm - - -
XLH335045.158400I Renesas Electronics America Inc XLH335045.158400I 1.4849
RFQ
ECAD 1365 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 45.1584 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 800-XLH335045.158400IT 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - - -
XLL730096.918000X Renesas Electronics America Inc XLL730096.918000X 1.5582
RFQ
ECAD 8209 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 96.918 MHz LVD 3.3v - Rohs3 준수 800-xll730096.918000xtr 1,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 100ppm - - -
XLM535156.250000I Renesas Electronics America Inc XLM535156.250000I 3.6406
RFQ
ECAD 2177 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 800-XLM535156.250000ITR 귀 99 8541.60.0080 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - - -
XLH738008.592000X Renesas Electronics America Inc XLH738008.592000X 1.6867
RFQ
ECAD 1970 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8.592 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 800-XLH738008.592000XTR 귀 99 8541.60.0080 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 20ppm - - -
XUH715040.000000X Renesas Electronics America Inc XUH715040.000000X 3.3233
RFQ
ECAD 7180 0.00000000 Renesas Electronics America Inc xu 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 40MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 800-XUH715040.000000XTR 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 58ma 결정 ± 50ppm - - -
XLL335859.000000I Renesas Electronics America Inc XLL335859.000000I 3.9412
RFQ
ECAD 7493 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 특대 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 859 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 800-XLL335859.000000000 귀 99 8541.60.0080 1 활성화/비활성화 100ma 결정 ± 50ppm - - -
XLH52V012.288000X Renesas Electronics America Inc XLH52V012.288000X -
RFQ
ECAD 4983 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC52 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH52V 12.288 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 22MA 결정 - ± 50ppm -
XLH52V049.152000I Renesas Electronics America Inc XLH52V049.152000I -
RFQ
ECAD 1117 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC52 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH52V 49.152 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 25MA 결정 - ± 50ppm -
XLH53V200.000000X Renesas Electronics America Inc XLH53V200.000000X -
RFQ
ECAD 3241 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH53V 200MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55MA 결정 - ± 50ppm -
XLH53V052.000000X Renesas Electronics America Inc XLH53V052.000000X -
RFQ
ECAD 5534 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH53V 52MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 - ± 50ppm -
XLH53V049.920000X Renesas Electronics America Inc XLH53V049.920000X -
RFQ
ECAD 4347 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH53V 49.92 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 - ± 50ppm -
XLH53V035.328000X Renesas Electronics America Inc XLH53V035.328000X -
RFQ
ECAD 4911 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH53V 35.328 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 - ± 50ppm -
XLH53V017.408000X Renesas Electronics America Inc XLH53V017.408000X -
RFQ
ECAD 5767 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH53V 17.408 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 - ± 50ppm -
XLH53V015.360000X Renesas Electronics America Inc XLH53V015.360000X -
RFQ
ECAD 8600 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH53V 15.36 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 - ± 50ppm -
XLH53V012.288000X Renesas Electronics America Inc XLH53V012.288000X 1.5377
RFQ
ECAD 7565 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH53V 12.288 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 - ± 50ppm -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고