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| XFN336100.000000I | 12.4800 | | 100 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | xf | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.037 "(0.95mm) | 표면 표면 | 8-smd,, 없음 | xo (표준) | 100MHz | HCSL | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 800-XFN336100.000000I | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 83MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | ||
| XUP736050.000000X | 1.9304 | | 2225 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | xu | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.057 "(1.45mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 50MHz | lvpecl | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 800-XUP736050.000000XTR | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 115ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | |||||
| XFL316250.000000I | 6.4596 | | 2575 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | xf | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.037 "(0.95mm) | 표면 표면 | 8-smd,, 없음 | xo (표준) | 250MHz | LVD | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 800-XFL316250.000000I | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 활성화/비활성화 | 66MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | ||||
| XLL725066.660000X | 1.5582 | | 5189 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 특대 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.057 "(1.45mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 66.66 MHz | LVD | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 800-xll725066.660000xtr | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 34ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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