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XLH330037.500000I Renesas Electronics America Inc XLH330037.500000I -
RFQ
ECAD 4646 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH330 37.5 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 100ppm - -
XLH330028.636364I Renesas Electronics America Inc XLH330028.636364I -
RFQ
ECAD 5546 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH330 28.636364 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 100ppm - -
XLH330026.000000I Renesas Electronics America Inc XLH330026.000000I 1.0187
RFQ
ECAD 7633 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH330 26 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 100ppm - -
XLH330006.000000I Renesas Electronics America Inc XLH330006.000000I -
RFQ
ECAD 4159 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH330 6MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH330004.000000I Renesas Electronics America Inc XLH330004.000000I -
RFQ
ECAD 6665 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH330 4 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH330003.200000I Renesas Electronics America Inc XLH330003.200000I -
RFQ
ECAD 3281 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH330 3.2 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH335075.000000X Renesas Electronics America Inc XLH335075.000000X -
RFQ
ECAD 6693 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 75MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH335068.000000X Renesas Electronics America Inc XLH335068.000000X -
RFQ
ECAD 4338 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 68MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH335066.600000X Renesas Electronics America Inc XLH335066.600000X -
RFQ
ECAD 7727 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 66.6 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH335050.000000X Renesas Electronics America Inc XLH335050.000000X 0.9352
RFQ
ECAD 4930 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 50MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH335026.000000X Renesas Electronics America Inc XLH335026.000000X 0.9352
RFQ
ECAD 5463 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 26 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH335012.000000X Renesas Electronics America Inc XLH335012.000000X 0.9352
RFQ
ECAD 6112 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 12MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH335006.140000X Renesas Electronics America Inc XLH335006.140000X -
RFQ
ECAD 8651 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 6.14 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH335001.024000X Renesas Electronics America Inc XLH335001.024000X -
RFQ
ECAD 5204 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 1.024 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH335074.250000I Renesas Electronics America Inc XLH335074.250000I -
RFQ
ECAD 9387 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 74.25 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH335070.000000I Renesas Electronics America Inc XLH335070.000000I -
RFQ
ECAD 5250 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 70MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH335032.000000I Renesas Electronics America Inc XLH335032.000000I 1.5698
RFQ
ECAD 6899 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 32 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH335027.000000I Renesas Electronics America Inc XLH335027.000000I 1.4000
RFQ
ECAD 715 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 27 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH335024.000000I Renesas Electronics America Inc XLH335024.000000I 1.4000
RFQ
ECAD 786 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 24 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - 35MA
XLH335004.000000I Renesas Electronics America Inc XLH335004.000000I 2.3300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 4 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH520098.765000I Renesas Electronics America Inc XLH520098.765000I -
RFQ
ECAD 1408 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC52 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH520 98.765 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 29ma 결정 ± 100ppm - -
XLH525164.000000X Renesas Electronics America Inc XLH525164.000000X -
RFQ
ECAD 8822 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC52 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH525 164 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 37ma 결정 ± 50ppm - -
XLH525156.250000X Renesas Electronics America Inc XLH525156.250000X 1.5698
RFQ
ECAD 5663 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC52 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH525 156.25 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH525106.250000X Renesas Electronics America Inc XLH525106.250000X -
RFQ
ECAD 7109 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC52 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH525 106.25 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH525133.333000I Renesas Electronics America Inc XLH525133.333000I -
RFQ
ECAD 1969 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC52 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH525 133.333 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH525106.250000I Renesas Electronics America Inc XLH525106.250000I -
RFQ
ECAD 3022 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC52 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH525 106.25 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH525050.000000I Renesas Electronics America Inc XLH525050.000000I 1.0187
RFQ
ECAD 6105 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC52 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH525 50MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 50ppm - -
XLH526125.000000I Renesas Electronics America Inc XLH526125.000000I 2.3900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC52 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH526 125MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 25ppm - -
XLH526027.000000I Renesas Electronics America Inc XLH526027.000000I 1.1523
RFQ
ECAD 6879 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC52 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH526 27 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 25ppm - -
XLH528033.330000X Renesas Electronics America Inc XLH528033.330000X -
RFQ
ECAD 1645 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC52 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH528 33.33 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 20ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고