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| 4MA23333Z4BACUGI | - | | 6879 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 4MA | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 233.333 MHz | LVD | 2.5V | - | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | - | MEMS | ± 50ppm | - | - | ||||||
| XPL336070.656000I | 9.6359 | | 1510 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | xp | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XPL336 | 70.656 MHz | LVD | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 800-XPL336070.656000ITR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 활성화/비활성화 | 67ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | |
| XLH735102.336000I | 1.7034 | | 8792 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 특대 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.057 "(1.45mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH735 | 102.336 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 800-XLH735102.336000ITR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 47ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |
| XLH735078.643200X | - | | 1548 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC73 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH735 | 78.6432 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 47ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
| xup735622.080000x | 4.6092 | | 2413 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | xu | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.057 "(1.45mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | xup735 | 622.08 MHz | lvpecl | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 800-XUP735622.080000XTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 142MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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