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| XPL336040.000000I | 9.6359 | | 1877 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | xp | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XPL336 | 40MHz | LVD | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 800-XPL336040.000000ITR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 활성화/비활성화 | 67ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | |
| xll738133.333333x | 4.6092 | | 7843 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-LC73 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | xll738 | 133.333333 MHz | LVD | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 100ma | 결정 | ± 20ppm | - | - | |||
| 4MA074250Z4AACTGI8 | - | | 6639 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 4MA | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 74.25 MHz | LVD | 3.3v | - | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 활성화/비활성화 | 105ma (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | ||||||
| XUP515160.000000I | 4.6092 | | 7352 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | xu | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XUP515 | 160MHz | lvpecl | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 800-XUP515160.000000ITR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 75MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |
 | XLH330032.000000I | - | | 6611 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC33 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH330 | 32 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 35MA | 결정 | ± 100ppm | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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