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XLH735200.000000I Renesas Electronics America Inc XLH735200.000000I -
RFQ
ECAD 6269 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 200MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735170.000000I Renesas Electronics America Inc XLH735170.000000I -
RFQ
ECAD 7435 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 170 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735150.370000I Renesas Electronics America Inc XLH735150.370000I -
RFQ
ECAD 3523 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 150.37 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735150.304000I Renesas Electronics America Inc XLH735150.304000I -
RFQ
ECAD 6237 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 150.304 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735150.291000I Renesas Electronics America Inc XLH735150.291000I -
RFQ
ECAD 7560 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 150.291 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735150.271000I Renesas Electronics America Inc XLH735150.271000I -
RFQ
ECAD 7164 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 150.271 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735150.239000I Renesas Electronics America Inc XLH735150.239000I -
RFQ
ECAD 5677 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 150.239 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735150.156000I Renesas Electronics America Inc XLH735150.156000I -
RFQ
ECAD 1077 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 150.156 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735150.120000I Renesas Electronics America Inc XLH735150.120000I -
RFQ
ECAD 8730 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 150.12 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735150.000000I Renesas Electronics America Inc XLH735150.000000I 1.6867
RFQ
ECAD 1556 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 150MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735147.456000I Renesas Electronics America Inc XLH735147.456000I -
RFQ
ECAD 6215 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 147.456 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735081.000000I Renesas Electronics America Inc XLH735081.000000I -
RFQ
ECAD 3316 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 81 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH735075.033000I Renesas Electronics America Inc XLH735075.033000I -
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ECAD 5375 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 75.033 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH735068.000000I Renesas Electronics America Inc XLH735068.000000I -
RFQ
ECAD 5785 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 68MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH735059.974900I Renesas Electronics America Inc XLH735059.974900I -
RFQ
ECAD 1622 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 59.9749 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH735059.941600I Renesas Electronics America Inc XLH735059.941600I -
RFQ
ECAD 3408 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 59.9416 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH735050.700000I Renesas Electronics America Inc XLH735050.700000I -
RFQ
ECAD 1382 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 50.7 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH735050.000000I Renesas Electronics America Inc XLH735050.000000I 1.4000
RFQ
ECAD 5145 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 50MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735049.152000I Renesas Electronics America Inc XLH735049.152000I -
RFQ
ECAD 3274 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 49.152 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735042.500000I Renesas Electronics America Inc XLH735042.500000I -
RFQ
ECAD 7398 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 42.5 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735041.666000I Renesas Electronics America Inc XLH735041.666000I -
RFQ
ECAD 3218 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 41.666 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735040.000000I Renesas Electronics America Inc XLH735040.000000I 1.4000
RFQ
ECAD 6049 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 40MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735033.868800I Renesas Electronics America Inc XLH735033.868800I -
RFQ
ECAD 2366 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 33.8688 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735033.333300I Renesas Electronics America Inc XLH735033.333300I -
RFQ
ECAD 7375 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 33.3333 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735033.250000I Renesas Electronics America Inc XLH735033.250000I -
RFQ
ECAD 9090 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 33.25 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735032.768000I Renesas Electronics America Inc XLH735032.768000I 1.5698
RFQ
ECAD 9381 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 32.768 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735032.000000I Renesas Electronics America Inc XLH735032.000000I -
RFQ
ECAD 9842 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 32 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735031.250000I Renesas Electronics America Inc XLH735031.250000I -
RFQ
ECAD 2755 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 31.25 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735026.660000I Renesas Electronics America Inc XLH735026.660000I -
RFQ
ECAD 6660 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 26.66 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH735024.000000I Renesas Electronics America Inc XLH735024.000000I 0.8183
RFQ
ECAD 4538 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 24 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고