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결정, 공진기, 발진기 (50)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
BT0503CH3I507DN20 XTALTQ BT0503CH3I507DN20 11.3600
RFQ
 ECAD 550 0.00000000 xtaltq BT0503C 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.205 "L x 0.134"W (5.20mm x 3.40mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 20MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0503CH3I507DN20 귀 99 8542.39.0001 20 - 10MA 결정 ± 500ppb - - -
BV0914AP3I155D030N100 XTALTQ BV0914AP3I155D030N100 33.3300
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 xtaltq - 조각 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25
BV0914BH3I155E030N100 XTALTQ BV0914BH3I155E030N100 22.2700
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 xtaltq BV0914B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.577 "L x 0.368"W (14.65mm x 9.35mm) - 표면 표면 4-SMD,, 없음 VCXO 100MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4503-BV0914BH3I155E030N100 귀 99 8542.39.0001 25 진폭 진폭 30ma 결정 ± 15ppm ± 30ppm - -
BV0507EP3I155D030N100 XTALTQ BV0507EP3I155D030N100 37.7100
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 xtaltq - 조각 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25
BT0507EC3I107EN40B XTALTQ BT0507EC3I107EN40B 36.6100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 xtaltq - 조각 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0507EC3I107EN40B 귀 99 8542.39.0001 25
BT0503CH3M507CN25 XTALTQ BT0503CH3M507CN25 42.4700
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 xtaltq BT0503C 조각 활동적인 -50 ° C ~ 90 ° C - 0.205 "L x 0.134"W (5.20mm x 3.40mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 25MHz HCMOS 3.3v - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0503CH3M507CN25 귀 99 8541.60.0060 25 - 10MA 결정 ± 500ppb - - -
BT0503CH3U106CN25 XTALTQ BT0503CH3U106CN25 43.9400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 xtaltq BT0503C 조각 활동적인 -55 ° C ~ 95 ° C - 0.205 "L x 0.134"W (5.20mm x 3.40mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 25MHz HCMOS 3.3v - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0503CH3U106CN25 귀 99 8541.60.0060 25 - 10MA 결정 ± 1ppm - - -
BT0503CH3I107CN30.72 XTALTQ BT0503CH3I107CN30.72 34.8400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 xtaltq BT0503C 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.205 "L x 0.134"W (5.20mm x 3.40mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 30.72 MHz HCMOS 3.3v - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0503CH3I107CN30.72 귀 99 8541.60.0060 25 - 10MA 결정 ± 100ppb - - -
BT0503CH3I507BN40 XTALTQ BT0503CH3I507BN40 7.8300
RFQ
 ECAD 94 0.00000000 xtaltq BT0503C 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.205 "L x 0.134"W (5.20mm x 3.40mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 40MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0503CH3I507BN40 귀 99 8542.39.0001 20 - 10MA 결정 ± 500ppb - - -
BT0507BH3I507CN25 XTALTQ BT0507BH3I507CN25 7.6700
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 xtaltq BT0507B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.280 "L x 0.197"W (7.10mm x 5.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO 25MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0507BH3I507CN25 귀 99 8542.39.0001 20 - 15MA 결정 ± 500ppb - - -
BT0507BH3M507BN40 XTALTQ BT0507BH3M507BN40 37.9600
RFQ
 ECAD 3104 0.00000000 xtaltq BT0507B 조각 활동적인 -50 ° C ~ 90 ° C - 0.280 "L x 0.197"W (7.10mm x 5.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO 40MHz HCMOS 3.3v - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0507BH3M507BN40 귀 99 8541.60.0060 20 - 15MA 결정 ± 500ppb - - -
BV0507DH3I155E030N100 XTALTQ BV0507DH3I155E030N100 31.7000
RFQ
 ECAD 2716 0.00000000 xtaltq BV0507D 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.091 "(2.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 VCXO 100MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4503-BV0507DH3I155E030N100 귀 99 8542.39.0001 20 진폭 진폭 30ma 결정 ± 15ppm ± 30ppm - -
BT0914AH3I106EN100 XTALTQ BT0914AH3I106EN100 59.8100
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 xtaltq BT0914A 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.577 "L x 0.368"W (14.65mm x 9.35mm) 0.248 "(6.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 100MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0914AH3I106EN100 귀 99 8542.39.0001 25 - 45MA 결정 ± 1ppm - - -
BT0507BH3I507EN10 XTALTQ BT0507BH3I507EN10 7.6700
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 xtaltq BT0507B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.280 "L x 0.197"W (7.10mm x 5.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO 10MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0507BH3I507EN10 귀 99 8542.39.0001 20 - 15MA 결정 ± 500ppb - - -
BT0507BH3I106BN40 XTALTQ BT0507BH3I106BN40 7.8300
RFQ
 ECAD 455 0.00000000 xtaltq BT0507B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.280 "L x 0.197"W (7.10mm x 5.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO 40MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0507BH3I106BN40 귀 99 8542.39.0001 20 - 15MA 결정 ± 1ppm - - -
BT0914AH3I507EN100 XTALTQ BT0914AH3I507EN100 77.0100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 xtaltq BT0914A 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.577 "L x 0.368"W (14.65mm x 9.35mm) 0.248 "(6.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 100MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0914AH3I507EN100 귀 99 8542.39.0001 25 - 45MA 결정 ± 500ppb - - -
BV0507ED3I155D030N100 XTALTQ BV0507ED3I155D030N100 37.7100
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 xtaltq BV0507E 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.091 "(2.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 100MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4503-BV0507ED3I155D030N100 귀 99 8542.39.0001 25 진폭 진폭 80ma 결정 ± 15ppm ± 30ppm - -
BT0503CH3I287EN10 XTALTQ BT0503CH3I287EN10 24.2400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 xtaltq BT0503C 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.205 "L x 0.134"W (5.20mm x 3.40mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 10MHz HCMOS 3.3v - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0503CH3I287EN10 귀 99 8541.60.0060 25 - 10MA 결정 ± 280ppb - - -
BT0507BH3I507BN40 XTALTQ BT0507BH3I507BN40 8.2400
RFQ
 ECAD 512 0.00000000 xtaltq BT0507B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.280 "L x 0.197"W (7.10mm x 5.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO 40MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0507BH3I507BN40 귀 99 8542.39.0001 20 - 15MA 결정 ± 500ppb - - -
BV0914BH3I155D030N122.88 XTALTQ BV0914BH3I155D030N122.88 22.2700
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 xtaltq BV0914B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.577 "L x 0.368"W (14.65mm x 9.35mm) - 표면 표면 4-SMD,, 없음 VCXO 122.88 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4503-BV0914BH3I155D030N122.88 귀 99 8542.39.0001 25 진폭 진폭 30ma 결정 ± 15ppm ± 30ppm - -
BT0914AS3I507EN100 XTALTQ BT0914AS3I507EN100 77.0100
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 xtaltq BT0914A 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.577 "L x 0.368"W (14.65mm x 9.35mm) 0.248 "(6.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 100MHz 사인파 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0914AS3I507EN100 귀 99 8542.39.0001 25 - 45MA 결정 ± 500ppb - - -
BT0503CH3I287CN30.72 XTALTQ BT0503CH3I287CN30.72 24.2400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 xtaltq BT0503C 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.205 "L x 0.134"W (5.20mm x 3.40mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 30.72 MHz HCMOS 3.3v - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0503CH3I287CN30.72 귀 99 8541.60.0060 25 - 10MA 결정 ± 280ppb - - -
BT0503CH3I507CN25 XTALTQ BT0503CH3I507CN25 7.3800
RFQ
 ECAD 493 0.00000000 xtaltq BT0503C 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.205 "L x 0.134"W (5.20mm x 3.40mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 25MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0503CH3I507CN25 귀 99 8542.39.0001 20 - 10MA 결정 ± 500ppb - - -
BT0503CH3I507EN10 XTALTQ BT0503CH3I507EN10 7.3800
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 xtaltq BT0503C 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.205 "L x 0.134"W (5.20mm x 3.40mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 10MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0503CH3I507EN10 귀 99 8542.39.0001 20 - 10MA 결정 ± 500ppb - - -
BT0507BH3I507BN50 XTALTQ BT0507BH3I507BN50 8.2400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 xtaltq BT0507B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.280 "L x 0.197"W (7.10mm x 5.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO 50MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0507BH3I507BN50 귀 99 8542.39.0001 20 - 15MA 결정 ± 500ppb - - -
BT0507BH3I106CN30.72 XTALTQ BT0507BH3I106CN30.72 7.3800
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 xtaltq BT0507B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.280 "L x 0.197"W (7.10mm x 5.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO 30.72 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0507BH3I106CN30.72 귀 99 8542.39.0001 20 - 15MA 결정 ± 1ppm - - -
BT0503CH3I106BN40 XTALTQ BT0503CH3I106BN40 7.5500
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 xtaltq BT0503C 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.205 "L x 0.134"W (5.20mm x 3.40mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 40MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0503CH3I106BN40 귀 99 8542.39.0001 20 - 10MA 결정 ± 1ppm - - -
BV0914AD3I155D030N100 XTALTQ BV0914AD3I155D030N100 33.3300
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 xtaltq BV0914A 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.577 "L x 0.368"W (14.65mm x 9.35mm) - 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 100MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4503-BV0914AD3I155D030N100 귀 99 8542.39.0001 25 진폭 진폭 30MA (유형) 결정 ± 15ppm ± 30ppm - -
BT0503CH3I106EN10 XTALTQ BT0503CH3I106EN10 6.8700
RFQ
 ECAD 522 0.00000000 xtaltq BT0503C 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.205 "L x 0.134"W (5.20mm x 3.40mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 10MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0503CH3I106EN10 귀 99 8542.39.0001 20 - 10MA 결정 ± 1ppm - - -
BT0503CH3I507BN50 XTALTQ BT0503CH3I507BN50 7.8300
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 xtaltq BT0503C 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.205 "L x 0.134"W (5.20mm x 3.40mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 50MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 4503-BT0503CH3I507BN50 귀 99 8542.39.0001 20 - 10MA 결정 ± 500ppb - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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