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결정, 공진기, 발진기 (979)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 임피던스 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수
RF14M18750S300 TGS RF14M18750S300 0.6850
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com24 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 14.1875 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RF14M18750S300tr 귀 99 8541.60.0060 3,000 트라이-스테이트 ((활성화) 20MA 결정 ± 20ppm -
CD4M000000S001 TGS CD4M000000S001 0.4650
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 TGS crtws 테이프 & tr (TR) 활동적인 30 pf -25 ° C ~ 85 ° C 30 옴 0.374 "L x 0.157"W (9.50mm x 4.00mm) 구멍을 구멍을 방사형 -3 리드, 2.50mm 피치 세라믹 커패시터에 커패시터에 4 MHz 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8548.00.0000 2,000 0.236 "(6.00mm) ± 0.3% ± 0.5%
RE32M00000S300 TGS RE32M00000S300 0.6850
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com32 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 32 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RE32M00000S300TR 귀 99 8541.60.0060 3,000 트라이-스테이트 ((활성화) 30ma 결정 ± 50ppm - -
RF12M00000S300 TGS RF12M00000S300 0.6850
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com22 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RF12M00000S300tr 귀 99 8541.60.0060 3,000 트라이-스테이트 ((활성화) 40ma 결정 ± 50ppm - -
YP32K76800S002 TGS YP32K76800S002 0.4850
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 TGS CCMC 테이프 & tr (TR) 활동적인 50 KOHMS -40 ° C ~ 85 ° C - 0.315 "L x 0.150"W (8.00mm x 3.80mm) 0.094 "(2.40mm) 표면 표면 4-SMD, J-LEAD khz 크리스탈 (크리스탈 포크) 32.768 kHz 근본적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0010 3,000 6pf - ± 20ppm
RK32K76800S300 TGS RK32K76800S300 0.6850
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS COK22 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 32.768 kHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RK32K76800S300tr 귀 99 8541.60.0060 3,000 트라이-스테이트 ((활성화) 200µA 결정 ± 50ppm - -
RC100M0000S300 TGS RC100M0000S300 1.7500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com75 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RC100M0000S300tr 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 30ma 결정 ± 50ppm - - -
RF24M00000S300 TGS RF24M00000S300 0.6850
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com22 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RF24M00000S300tr 귀 99 8541.60.0060 3,000 트라이-스테이트 ((활성화) 25MA 결정 ± 50ppm - -
RC40M00000S300 TGS RC40M00000S300 0.7850
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com75 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 40MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RC40M00000S300tr 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 30ma 결정 ± 50ppm - -
RC27M00000S300 TGS RC27M00000S300 0.7850
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com75 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 27 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RC27M00000S300tr 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 20MA 결정 ± 50ppm - -
RD12M00000S300 TGS RD12M00000S300 0.6850
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com53 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RD12M00000S300tr 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 30ma 결정 ± 50ppm - -
RD20M00000S300 TGS RD20M00000S300 0.6850
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com53 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RD20M00000S300TR 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 25MA 결정 ± 50ppm - -
CR4M200000S015 TGS CR4M200000S015 0.2550
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 TGS crtr 테이프 & tr (TR) 활동적인 15 pf -25 ° C ~ 85 ° C 60 옴 0.177 "L x 0.079"W (4.50mm x 2.00mm) 표면 표면 3-smd,, 없음 세라믹 커패시터에 커패시터에 4.2 MHz - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-CR4M200000S015TR 귀 99 8548.00.0000 3,000 0.047 "(1.20mm) ± 0.3% ± 0.5%
YG32M00000S410 TGS YG32M00000S410 3.5500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 TGS CCMD 테이프 & tr (TR) 활동적인 40 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.315 "L x 0.150"W (8.00mm x 3.80mm) 0.098 "(2.50mm) 표면 표면 4-SMD, J-LEAD MHZ 크리스탈 32 MHz 근본적인 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-YG32M00000S410tr 귀 99 8541.60.0003 3,000 10pf ± 30ppm ± 20ppm
RC2M048000S300 TGS RC2M048000S300 0.7550
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com75 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 2.048 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RC2M048000S300tr 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 25MA 결정 ± 50ppm - -
RB10M00000L515 TGS RB10M00000L515 1.2500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS co8 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.520 "L x 0.520"W (13.20mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 8-DIP, 4 4 리드 (반 크기 크기, 금속 캔 캔) xo (표준) 10MHz HCMOS 5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RB10M00000L515 귀 99 8542.39.0001 520 트라이-스테이트 ((활성화) 20MA 결정 ± 50ppm - -
YG28M63636S408 TGS YG28M63636S408 2.8500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 TGS CCMD 테이프 & tr (TR) 활동적인 60 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.315 "L x 0.150"W (8.00mm x 3.80mm) 0.098 "(2.50mm) 표면 표면 4-SMD, J-LEAD MHZ 크리스탈 28.63636 MHz 근본적인 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-YG28M63636S408TR 귀 99 8541.60.0003 3,000 8pf ± 30ppm ± 20ppm
YG27M12000S416 TGS YG27M12000S416 2.8500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 TGS CCMD 테이프 & tr (TR) 활동적인 60 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.315 "L x 0.150"W (8.00mm x 3.80mm) 0.098 "(2.50mm) 표면 표면 4-SMD, J-LEAD MHZ 크리스탈 27.12 MHz 근본적인 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-YG27M12000S416TR 귀 99 8541.60.0003 3,000 16pf ± 30ppm ± 20ppm
YG27M12000S418 TGS YG27M12000S418 2.8500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 TGS CCMD 테이프 & tr (TR) 활동적인 60 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.315 "L x 0.150"W (8.00mm x 3.80mm) 0.098 "(2.50mm) 표면 표면 4-SMD, J-LEAD MHZ 크리스탈 27.12 MHz 근본적인 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-YG27M12000S418TR 귀 99 8541.60.0003 3,000 18pf ± 30ppm ± 20ppm
XP9M830400S412 TGS XP9M830400S412 0.5855
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS CMG632 테이프 & tr (TR) 활동적인 80 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.236 "L x 0.138"W (6.00mm x 3.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 2-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 9.8304 MHz 근본적인 - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 3372-XP9M830400S412TR 귀 99 8541.60.0060 2,000 12pf ± 30ppm ± 30ppm
XB24M00000S410 TGS XB24M00000S410 0.6855
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS CM75 테이프 & tr (TR) 활동적인 30 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 24 MHz 근본적인 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-XB24M00000S410tr 귀 99 8541.60.0050 2,000 10pf ± 30ppm ± 30ppm
XF24M00000S416 TGS XF24M00000S416 0.1650
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS CM32 테이프 & tr (TR) 활동적인 60 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 24 MHz 근본적인 - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-XF24M00000S416TR 귀 99 8541.60.0060 6,000 16pf ± 30ppm ± 10ppm
CL50M00000S005 TGS CL50M00000S005 0.2550
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 TGS Crts 테이프 & tr (TR) 활동적인 5 pf -25 ° C ~ 85 ° C 60 옴 0.185 "L x 0.161"W (4.70mm x 4.10mm) 표면 표면 3-smd,, 없음 세라믹 커패시터에 커패시터에 48MHz 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-Cl50M00000S005tr 귀 99 8548.00.0000 3,000 0.079 "(2.00mm) ± 0.3% ± 0.5%
CQ3M580000S001 TGS CQ3M580000S001 0.2150
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 TGS 쓰레기 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 60 옴 0.236 "L x 0.118"W (6.00mm x 3.00mm) 표면 표면 2-SMD,, 없음 세라믹 - 3.58 MHz 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-CQ3M580000S001tr 귀 99 8548.00.0000 4,000 0.063 "(1.60mm) ± 0.3% ± 0.5%
XR12M00000S101 TGS XR12M00000S101 0.3850
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 TGS CMG532 테이프 & tr (TR) 활동적인 80 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 2-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 12MHz 근본적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-XR12M00000S101TR 귀 99 8541.60.0050 3,000 10pf ± 50ppm ± 30ppm
XP13M56000S412 TGS XP13M56000S412 0.5855
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 TGS CMG632 테이프 & tr (TR) 활동적인 70 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.236 "L x 0.138"W (6.00mm x 3.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 2-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 13.56 MHz 근본적인 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 3372-XP13M56000S412TR 귀 99 8541.60.0025 2,000 12pf ± 30ppm ± 30ppm
XF13M56000S420 TGS XF13M56000S420 0.1650
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS CM32 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 13.56 MHz 근본적인 - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-XF13M56000S420TR 귀 99 8541.60.0060 6,000 20pf ± 30ppm ± 10ppm
CG30M00000S001 TGS CG30M00000S001 0.2250
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 TGS 갈망 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 40 0.146 "LX 0.122"W (3.70mm x 3.10mm) 표면 표면 2-SMD,, 없음 세라믹 - 30MHz 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-CG30M00000S001TR 귀 99 8548.00.0000 3,000 0.047 "(1.20mm) ± 0.3% ± 0.5%
RB3M072000L515 TGS RB3M072000L515 1.2500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS co8 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.520 "L x 0.520"W (13.20mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 8-DIP, 4 4 리드 (반 크기 크기, 금속 캔 캔) xo (표준) 3.6864 MHz HCMOS 5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RB3M072000L515 귀 99 8542.39.0001 520 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - -
YG48M00000S412 TGS YG48M00000S412 3.5500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 TGS CCMD 테이프 & tr (TR) 활동적인 40 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.315 "L x 0.150"W (8.00mm x 3.80mm) 0.098 "(2.50mm) 표면 표면 4-SMD, J-LEAD MHZ 크리스탈 48MHz 근본적인 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-YG48M00000S412TR 귀 99 8541.60.0003 3,000 12pf ± 30ppm ± 20ppm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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