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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
25QHTF32-77.048-PD	20.2500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	77.048 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF32-77.048-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	26MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF21-49.0909-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	49.0909 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF21-49.0909-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF57-125.0093-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	125.0093 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF57-125.0093-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	28ma	결정	± 50ppm	-	-
25QHM572C0.25-42.000	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-45 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	SSXO	42 MHz	CMOS (EMI)	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHM572C0.25-42.000	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화		결정	± 50ppm	-	± 0.25%, 센터 스프레드
3QHTF53-57.363667-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	57.363667 MHz	LVCMOS	3.3v	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF53-57.363667-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	24MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF22-32.868 -OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	32.868 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF22-32.868 -OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	23MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF32-57.783-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	57.783 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF32-57.783-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	24MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF53-26.495-PD	20.2500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	26.495 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF53-26.495-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF57-13.5485-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	13.5485 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF57-13.5485-OE	귀 99	8541.60.0050	5	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF32-10.267-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	10.267 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF32-10.267-PD	귀 99	8541.60.0050	5	대기 (다운 전원)	22MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF22-49.3733-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	49.3733 MHz	LVCMOS	2.5V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF22-49.3733-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	23MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF32-8.600-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	8.6 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF32-8.600-PD	귀 99	8541.60.0050	5	대기 (다운 전원)	21ma	결정	± 50ppm	-	-
QVMQF576P33-2.5B-33.333	35.7500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.102 "(2.60mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	vctcxo	33.333 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-QVMQF576P33-2.5B-33.333	귀 99	8541.60.0050	3	활성화/비활성화	38MA (유형)	결정	± 2.5ppm	± 8ppm	-	18MA (유형)
QVMQF326P25-2.0A-38.400	34.7500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	vctcxo	38.4 MHz	lvpecl	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-QVMQF326P25-2.0A-38.400	귀 99	8541.60.0060	3	활성화/비활성화	30MA (유형)	결정	± 2ppm	± 8ppm	-	18MA (유형)
3QHTF32-8.295-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	8.295 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF32-8.295-OE	귀 99	8541.60.0050	5	활성화/비활성화	21ma	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF21-57.142857-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	57.142857 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF21-57.142857-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	24MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF57-48.0012-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	48.0012 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF57-48.0012-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF53-33.103488-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	33.103488 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF53-33.103488-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF57-42.880-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	42.88 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF57-42.880-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF53-168.550-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	168.55 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF53-168.550-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	29ma	결정	± 50ppm	-	-
25qhm53d0.25-37.125	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-45 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	SSXO	37.125 MHz	CMOS (EMI)	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25qhm53d0.25-37.125	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화		결정	± 50ppm	-	-0.25%, 하향 확산
25QHTF21-22.76649-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	22.76649 MHz	LVCMOS	2.5V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF21-22.76649-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF22-17.611776-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	17.611776 MHz	LVCMOS	2.5V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF22-17.611776-OE	귀 99	8541.60.0050	5	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-
QVMQF576D33-2.0A-290.000	36.7500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.102 "(2.60mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	vctcxo	290MHz	LVD	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-QVMQF576D33-2.0A-290.000	귀 99	8541.60.0050	3	활성화/비활성화	32MA (유형)	결정	± 2ppm	± 8ppm	-
3QHM572d0.25-160.000	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-45 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	SSXO	160MHz	CMOS (EMI)	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHM572d0.25-160.000	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화		결정	± 50ppm	-	-0.25%, 하향 확산
MQF326P25-196.608-1.0/-40+85	35.7500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.063 "(1.60mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	TCXO	196.608 MHz	lvpecl	2.5V	다운로드	rohs 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	2425-MQF326P25-196.608-1.0/-40+85	귀 99	8541.60.0060	1	활성화/비활성화	45MA	결정	± 1ppm	-	-	18MA (유형)
3QHTF53-6.76438 -OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	6.76438 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF53-6.76438 -OE	귀 99	8541.60.0050	5	활성화/비활성화	21ma	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF21-49.6333-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	49.6333 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF21-49.6333-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF53-32.512-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	32.512 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF53-32.512-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	23MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF32-114.318-PD	20.2500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	114.318 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF32-114.318-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	28ma	결정	± 50ppm	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (180351)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²