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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드
25QHTF57-83.76588 -OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	83.76588 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF57-83.76588 -OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	26MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF32-1.800-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	1.8 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF32-1.800-PD	귀 99	8541.60.0030	5	대기 (다운 전원)	21ma	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF22-44.200-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	44.2 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF22-44.200-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	23MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF21-49.769444-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	49.769444 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF21-49.769444-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	23MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF22-78.590-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	78.59 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF22-78.590-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	26MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF57-49.6933-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	49.6933 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF57-49.6933-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	23MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF21-37.152-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	37.152 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF21-37.152-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF21-38.6666-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	38.6666 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF21-38.6666-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF32-167.331614-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	167.331614 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF32-167.331614-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	29ma	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF21-40.200-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	40.2 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF21-40.200-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	23MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF57-50.1567-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	50.1567 MHz	LVCMOS	1.8V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF57-50.1567-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	24MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF32-16.005-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	16.005 MHz	LVCMOS	2.5V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF32-16.005-OE	귀 99	8541.60.0050	5	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF32-56.335082-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	56.335082 MHz	LVCMOS	2.5V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF32-56.335082-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	24MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF53-54.38875-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	54.38875 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF53-54.38875-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	24MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF22-13.26225-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	13.26225 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF22-13.2625-OE	귀 99	8541.60.0050	5	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF53-3.579-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	3.579 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF53-3.579-PD	귀 99	8541.60.0030	5	대기 (다운 전원)	21ma	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF32-24.190-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	24.19 MHz	LVCMOS	2.5V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF32-24.190-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF32-53.203425-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	53.203425 MHz	LVCMOS	3.3v	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF32-53.203425-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	24MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHM572C0.125-148.500	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-45 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	SSXO	148.5 MHz	CMOS (EMI)	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHM572C0.125-148.500	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화		결정	± 50ppm	-	± 0.125%, 센터 스프레드
3QHTF53-67.392-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	67.392 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF53-67.392-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	26MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF21-9.714-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	9.714 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF21-9.714-PD	귀 99	8541.60.0050	5	대기 (다운 전원)	21ma	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF53-14.176-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	14.176 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF53-14.176-PD	귀 99	8541.60.0050	5	대기 (다운 전원)	22MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF32-1.340-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	1.34 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF32-1.340-OE	귀 99	8541.60.0030	5	활성화/비활성화	21ma	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF53-28.9767-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	28.9767 MHz	LVCMOS	1.8V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF53-28.9767-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	23MA	결정	± 50ppm	-	-
QMQF576P25-2.0A-55.000	36.7500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.102 "(2.60mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	TCXO	55MHz	lvpecl	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-QMQF576P25-2.0A-55.000	귀 99	8541.60.0050	3	-	30MA (유형)	결정	± 2ppm	-	-
18QHTF53-100.006-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	100.006 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF53-100.006-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	28ma	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF21-25.125-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	25.125 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF21-25.125-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	23MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF53-91.7755-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	91.7755 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF53-91.7755-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	26MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF57-184.430-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	184.43 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF57-184.430-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	29ma	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF57-38.707-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	38.707 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF57-38.707-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (180351)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²