전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 프로그래밍 프로그래밍 유형 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 | 사용 사용 주파수 가능한 | 주파수 주파수 (안정성) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SG-9101CB-C02SGABC | 8.2800 | ![]() | 8041 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 20MHz | - | ||
![]() | SG-9101CB-D20SGCAC | 8.2800 | ![]() | 7660 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -2.00%,, 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 20MHz | - | ||
![]() | dsc6101ci1a-000.0000t | - | ![]() | 5303 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | blank (사용자 필수 사용자 사용자) | 3MA (유형) | MEMS | - | - | 1MHz ~ 100MHz | ± 50ppm | |||
![]() | SG-9101CE-D30SGDCA | 6.2200 | ![]() | 4134 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -3.00%,, 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | ||
![]() | 502JBB-ABAF | - | ![]() | 4555 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI502 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 502JBB | LVCMOS | 3.3v | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 30ppm | |||
![]() | 501aah-adaf | - | ![]() | 5125 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501aah | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 50ppm | |||
![]() | 501HCC-ACAF | - | ![]() | 1264 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501HCC | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | |||
![]() | 501pch-acag | - | ![]() | 3463 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501pch | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | |||
![]() | 501Jad-Abaf | - | ![]() | 2390 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501jad | LVCMOS | 3.3v | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 50ppm | |||
![]() | SIT8924BM-11-XXX-000.FP0000G | - | ![]() | 4948 | 0.00000000 | 시민 | SIT8924B | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | SIT8924 | lvcmos, lvttl | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/대기, 비활성화 | blank (사용자 필수 사용자 사용자) | 4.8ma | MEMS | - | - | 1 MHz ~ 110MHz | ± 20ppm | ||
![]() | SG-9101CE-D15SHACC | 6.2200 | ![]() | 6194 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -1.50%, 50 확산 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 20MHz | - | ||
![]() | SIT9003AI-23-18XX-000.FP000X | 1.2100 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 시민 | SIT9003 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | SIT9003 | lvcmos, lvttl | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/대기, 비활성화 | blank (사용자 필수 사용자 사용자) | 3.5MA | MEMS | - | ± 0.25% ~ ± 2% 센터 스프레드, -0.5% ~ -4% 하락 스프레드 | 1 MHz ~ 110MHz | ± 50ppm | ||
![]() | dsc6101je1a-000.0000t | - | ![]() | 5949 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | blank (사용자 필수 사용자 사용자) | 3MA (유형) | MEMS | - | - | 1MHz ~ 100MHz | ± 50ppm | |||
![]() | SG-9101CG-D30SHBCB | 5.1000 | ![]() | 6674 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -3.00%,, 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | ||
![]() | SG-9101CG-C10SHDCB | 5.1000 | ![]() | 9766 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 1.00%, 00 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | ||
![]() | SG-9101CG-C20SGDAB | 5.1000 | ![]() | 1377 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 2.00%, 00 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | ||
![]() | 503MCB-ABAG | - | ![]() | 1562 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI503 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 503MCB | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | |||
![]() | SG-9101CG-D20PGBCA | 5.1000 | ![]() | 2995 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -2.00%,, 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | ||
![]() | SG-9101CB-C15PGDAC | 8.2800 | ![]() | 4583 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 1.50%, 50 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 20MHz | - | ||
![]() | 502kae-abag | - | ![]() | 7092 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI502 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 502kae | LVCMOS | 2.5V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 50ppm | |||
![]() | SG-9101CA-C02PGDBC | 5.1000 | ![]() | 8578 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 20MHz | - | ||
![]() | 501CCH-ABAG | - | ![]() | 9608 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501cch | LVCMOS | 2.5V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | |||
![]() | 510mcb-cbag | 19.5600 | ![]() | 8104 | 0.00000000 | Skyworks Solutions Inc. | SI510 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.050 "(1.28mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 510MCB | CMOS, 듀얼 (위상) | 3.3v | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 26MA | 결정 | ± 20ppm | - | 18 MA | 170 MHz ~ 212.5 MHz | ± 30ppm | |||
![]() | 502pbd-adaf | - | ![]() | 8374 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI502 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 502pbd | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 30ppm | |||
![]() | SG-9101CE-D40PGAAA | 7.7100 | ![]() | 4500 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -4.00%,, 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | ||
![]() | 504KBA-BBAF | - | ![]() | 3923 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI504 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 504KBA | LVCMOS | 2.5V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 30ppm | |||
![]() | 502pca-abag | - | ![]() | 4818 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI502 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 502pca | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | |||
![]() | 504BCA-ABAF | - | ![]() | 4950 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI504 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 504BCA | LVCMOS | 3.3v | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 80MHz | ± 20ppm | |||
![]() | 590HC-DDG | 43.1700 | ![]() | 1158 | 0.00000000 | Skyworks Solutions Inc. | SI590 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 590HC | CML | 2.5V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 110ma | 결정 | ± 20ppm | - | 525 MHz ~ 810 MHz | ± 30ppm | ||||
DSC8002DI1T | - | ![]() | 3714 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC8002 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC8002 | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 | blank (사용자 필수 사용자 사용자) | 10MA | MEMS | ± 50ppm | - | 1 µA | 1MHz ~ 150MHz | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
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