전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 프로그래밍 프로그래밍 유형 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 | 사용 사용 주파수 가능한 | 주파수 주파수 (안정성) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 510cbb-abag | 16.5400 | ![]() | 4248 | 0.00000000 | Skyworks Solutions Inc. | SI510 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.050 "(1.28mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 510cbb | CMOS | 3.3v | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 26MA | 결정 | ± 25ppm | - | 18 MA | 100 kHz ~ 124.999 MHz | ± 50ppm | ||||
![]() | 503FBB-ADAG | - | ![]() | 4046 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI503 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 503FBB | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 30ppm | ||||
![]() | SG-9101CE-C02SGBCB | 7.7100 | ![]() | 4821 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | |||
![]() | 502NCA 조작 | - | ![]() | 7419 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI502 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 502NCA | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | ||||
![]() | 500DMAA-ACF | - | ![]() | 2638 | 0.00000000 | Skyworks Solutions Inc. | Si500D | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 500dma | HCSL | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 29.3ma | 규소 | ± 10ppm | - | 10.7 MA | 900 kHz ~ 200 MHz | ± 150ppm | |||
![]() | 501FCD-ACAG | - | ![]() | 2486 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501FCD | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | ||||
![]() | SG-9101CB-D15PHDAC | 8.2800 | ![]() | 7551 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -1.50%, 50 확산 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 20MHz | - | |||
![]() | 501nam-abag | - | ![]() | 5100 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501nam | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 50ppm | ||||
![]() | SG-9101CE-D30PHCAB | 7.7100 | ![]() | 5168 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -3.00%,, 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | |||
![]() | SG-9101CB-D05PGCAA | 8.2800 | ![]() | 5247 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -0.50%, 50 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | |||
dsc8001ci5 프로그래밍 가능 | 12.3200 | ![]() | 3452 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC8001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 576-4663 프로그램 가능 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 12.2MA | MEMS | - | - | 15 µA | 1MHz ~ 150MHz | ± 10ppm | |||
![]() | 503AAB-ACAF | - | ![]() | 3489 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI503 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 503AAB | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 50ppm | ||||
![]() | 501HBH-ADAG | - | ![]() | 5809 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501HBH | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 30ppm | ||||
![]() | SG-9101CA-C02PGAAC | 5.1000 | ![]() | 3198 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 20MHz | - | |||
![]() | 501MAF-ABAF | - | ![]() | 9165 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501maf | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 50ppm | ||||
![]() | ECS-P145-B | 8.0300 | ![]() | 2852 | 0.00000000 | ECS Inc. | ECS-P145 | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C | - | 0.815 "L x 0.508"W (20.70mm x 12.90mm) | 0.197 "(5.00mm) | 구멍을 구멍을 | 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) | xo (표준) | HCMOS | 5V | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 45MA | 결정 | - | - | 1MHz ~ 150MHz | ± 50ppm | ||||
![]() | 510ABA-ABAG | 19.5600 | ![]() | 6540 | 0.00000000 | Skyworks Solutions Inc. | SI510 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.050 "(1.28mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 510ABA | lvpecl | 3.3v | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 43MA | 결정 | ± 25ppm | - | 18 MA | 100 kHz ~ 124.999 MHz | ± 50ppm | ||||
![]() | 504NBA-BDAF | - | ![]() | 4904 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI504 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 504NBA | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 30ppm | ||||
![]() | 504GBA-BDAG | - | ![]() | 1136 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI504 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 504GBA | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 30ppm | ||||
![]() | 502aae-acag | - | ![]() | 7985 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI502 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 502aae | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 50ppm | ||||
![]() | SG-9101CB-D40SHCBC | 8.2800 | ![]() | 6097 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -4.00%,, 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 20MHz | - | |||
![]() | 501DBL-ACAF | - | ![]() | 4454 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501DBL | LVCMOS | 1.8V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 30ppm | ||||
![]() | 504lba-bbag | - | ![]() | 8196 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI504 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 504LBA | LVCMOS | 1.8V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 30ppm | ||||
![]() | SG-9101CB-D05PHCAB | 8.2800 | ![]() | 3027 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -0.50%, 50 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | |||
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![]() | SG-9101CA-D40PGCCA | 5.1000 | ![]() | 8281 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -4.00%,, 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | |||
![]() | 501cbd-acag | - | ![]() | 2602 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501cbd | LVCMOS | 2.5V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 30ppm | ||||
![]() | 501mac-abaf | - | ![]() | 4878 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501mac | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 50ppm | ||||
![]() | SG-9101CB-D10SGBCA | 8.2800 | ![]() | 9499 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -1.00%, 00 확산 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | |||
![]() | SG-9101CB-C07PHBAA | 8.2800 | ![]() | 8399 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 0.75%, 센터 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - |
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