SIC
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프로그래밍 프로그래밍 발진기 (700)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC8001CI2B Microchip Technology DSC8001CI2B -
RFQ
 ECAD 5288 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8001 CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 12.2MA MEMS ± 25ppm - 15 µA 1MHz ~ 150MHz -
DSC8122DI2-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc8122di2 프로그램 가능 23.2600
RFQ
 ECAD 1424 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8122 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 576-4727 프로그래밍 가능 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 58ma MEMS - - 22 MA 10MHz ~ 460 MHz ± 25ppm
DSC6111CE2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6111ce2a 프로그램 가능 -
RFQ
 ECAD 8298 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 대부분 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 100MHz ± 25ppm
DSC1201DA3-PROGT Microchip Technology DSC1201DA3-Progt 1.5360
RFQ
 ECAD 6025 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1201 CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1201DA3-PROGTTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) blank (사용자 필수 사용자 사용자) 27MA (타이핑) MEMS - - 2.5 MHz ~ 170 MHz ± 20ppm
DSC1201CA3-PROG Microchip Technology DSC1201CA3 프로그램 1.5360
RFQ
 ECAD 7287 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1201 CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1201CA3 프로그램 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) blank (사용자 필수 사용자 사용자) 27MA (타이핑) MEMS - - 2.5 MHz ~ 170 MHz ± 20ppm
DSC1201DA3-PROG Microchip Technology DSC1201DA3-Prog 1.5360
RFQ
 ECAD 2058 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1201 CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1201DA3-Prog 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) blank (사용자 필수 사용자 사용자) 27MA (타이핑) MEMS - - 2.5 MHz ~ 170 MHz ± 20ppm
DSC1100DL3-PROGT Microchip Technology DSC1100DL3-Progt 2.7200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1100 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn - DSC1100 - - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - blank (사용자 필수 사용자 사용자) - - - - -
DSC1000BL5-PROGT Microchip Technology DSC1000BL5-Progt 2.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC100 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn - DSC1000 - - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - blank (사용자 필수 사용자 사용자) - - - - -
DSC1100NL3-PROGT Microchip Technology dsc1100nl3-progt 2.8500
RFQ
 ECAD 975 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1100 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn - DSC1100 - - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - blank (사용자 필수 사용자 사용자) - - - - -
DSC1101AL3-PROGT Microchip Technology DSC1101AL3-Progt 1.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1101 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) blank (사용자 필수 사용자 사용자) 35MA MEMS - - 2.3 MHz ~ 170 MHz ± 20ppm
DSC6003JA3B-PROGT Microchip Technology DSC6003JA3B-Progt 1.5300
RFQ
 ECAD 298 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6003 CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 1.3MA (유형) MEMS - - 2 kHz ~ 80 MHz ± 20ppm
DSC1000AL5-PROG Microchip Technology DSC1000AL5 000 1.8120
RFQ
 ECAD 7042 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC100 튜브 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 - DSC1000 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1000AL5 프로그램 귀 99 8542.39.0001 50 - blank (사용자 필수 사용자 사용자) - MEMS - - -
DSC1101NL3-PROG Microchip Technology DSC1101NL3-Prog 1.0800
RFQ
 ECAD 9069 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101NL3-Prog 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) blank (사용자 필수 사용자 사용자) 35MA MEMS ± 20ppm - 3.3 MHz ~ 170 MHz -
DSC1100CL5-PROG Microchip Technology DSC1100CL5 00 2.7840
RFQ
 ECAD 4867 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1100 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1100 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1100CL5 프로그램 귀 99 8542.39.0001 110 - blank (사용자 필수 사용자 사용자) - MEMS ± 10ppm - -
DSC8101AI5 Microchip Technology DSC8101AI5 -
RFQ
 ECAD 9143 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8101 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4682 귀 99 8542.39.0001 50 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 35MA MEMS - - 10MHz ~ 170MHz ± 10ppm
DSC6112HI1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6112hi1a 프로그래밍 가능 -
RFQ
 ECAD 3302 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 100MHz ± 50ppm
DSC8122CI2T Microchip Technology DSC8122CI2T 11.5300
RFQ
 ECAD 7226 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8122 lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 58ma MEMS - - 22 MA 10MHz ~ 460 MHz ± 10ppm
DSC6101CI2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6101ci2a 프로그래밍 가능 -
RFQ
 ECAD 7867 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 100MHz ± 25ppm
DSC1000BL5-PROG Microchip Technology DSC1000BL5 000 1.7760
RFQ
 ECAD 8905 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC100 튜브 활동적인 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn - DSC1000 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1000BL5 프로그램 귀 99 8542.39.0001 72 - blank (사용자 필수 사용자 사용자) - MEMS - - -
DSC6102CI1A-000.0000 Microchip Technology dsc6102ci1a-000.0000 0.8500
RFQ
 ECAD 670 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 100MHz ± 50ppm
DSC6011CE2A-000.0000T Microchip Technology DSC6011CE2A-000.0000T -
RFQ
 ECAD 2407 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 25ppm
DSC1200CL3-PROGT Microchip Technology DSC1200CL3-Progt 2.0040
RFQ
 ECAD 7130 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1200 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1200 - 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1200CL3-PROGTTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) blank (사용자 필수 사용자 사용자) - MEMS - - 2.5 MHz ~ 450 MHz ± 20ppm
DSC8102AI2T Microchip Technology DSC8102AI2T -
RFQ
 ECAD 1344 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8102 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8102 lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 58ma MEMS ± 25ppm - 95 µA 10MHz ~ 460 MHz -
DSC8001DI2T Microchip Technology DSC8001DI2T 1.8800
RFQ
 ECAD 5849 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8001 CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 12.2MA MEMS ± 25ppm - 15 µA 1MHz ~ 150MHz -
DSC8121AE5-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8121AE5 프로그램 -
RFQ
 ECAD 3515 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8121 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4712 프로그램 가능 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 35MA MEMS - - 22 MA 10MHz ~ 170MHz ± 10ppm
DSC8123BI5-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8123BI5 프로그래밍 가능 -
RFQ
 ECAD 6811 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8123 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4730 프로그래밍 가능 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 32MA MEMS - - 22 MA 10MHz ~ 460 MHz ± 10ppm
DSC1500MA3A-PROGT Microchip Technology DSC1500MA3A-Progt -
RFQ
 ECAD 6306 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC150X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1500MA3A-Progttr 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) - 7.5MA MEMS ± 20ppm - 2.3 MHz ~ 170 MHz ± 20ppm
DSC8002CC1-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8002CC1 프로그램 가능 -
RFQ
 ECAD 8478 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8002 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 576-4674 프로그램 가능 귀 99 8542.39.0001 1 대기 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 10MA MEMS - - 1 µA 1MHz ~ 150MHz ± 50ppm
DSC1101NL3-PROGT Microchip Technology DSC1101NL3-Progt 1.5300
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) blank (사용자 필수 사용자 사용자) 35MA MEMS - - 2.3 MHz ~ 170 MHz ± 20ppm
DSC1500AA3A-PROG Microchip Technology DSC1500AA3A 프로그램 -
RFQ
 ECAD 1274 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC150X 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1500AA3A 프로그램 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) - 7.5MA MEMS ± 20ppm - 2.3 MHz ~ 170 MHz ± 20ppm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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