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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
DSC8122BI2 프로그램 가능	24.2700	RFQ	9374	마이크로 마이크로 기술	DSC8122	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	576-4725 프로그래밍 가능	귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	58ma	MEMS	-	-	22 MA	10MHz ~ 460 MHz	± 25ppm
DSC8001DL2	2.4900	RFQ	7940	마이크로 마이크로 기술	DSC8001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8001	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4669	귀 99	8542.39.0001	140	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	12.2MA	MEMS	-	-	15 µA	1MHz ~ 150MHz	± 25ppm
VL-821-GCC	-	RFQ	1706	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.8V ~ 3.3V	-		1 (무제한)		150-VL-821-GCCTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	-	-	결정	-	-			-
DSC8001DI2B	-	RFQ	1953	마이크로 마이크로 기술	DSC8001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8001	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	12.2MA	MEMS	± 25ppm	-	15 µA	1MHz ~ 150MHz	-
DSC8104DI5	-	RFQ	3953	마이크로 마이크로 기술	DSC8104	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8104	HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4711	귀 99	8542.39.0001	140	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	42MA	MEMS	-	-		10MHz ~ 460 MHz	± 10ppm
DSC6112JE1A-000.0000	0.8200	RFQ	840	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC6011JI2A-000.0000T	-	RFQ	8724	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 80MHz	± 25ppm
DSC1101NL5-Progt	2.5600	RFQ	2	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	35MA	MEMS	-	-		2.3 MHz ~ 170 MHz	± 10ppm
DSC8102DI5	12.5000	RFQ	137	마이크로 마이크로 기술	DSC8102	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8102	lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4699	귀 99	8542.39.0001	140	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	58ma	MEMS	-	-		10MHz ~ 460 MHz	± 10ppm
DSC6013JI1A-000.0000	-	RFQ	7460	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 80MHz	± 50ppm
DSC1000AL3 000	1.0200	RFQ	2148	마이크로 마이크로 기술	DSC100	튜브	활동적인	-	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn d 패드	-	DSC1000	-	-	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1000AL3 프로그램	귀 99	8542.39.0001	50	-	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	-	MEMS	-	-			-
DSC1100CL3-Progt	2.7200	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC1100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	-	DSC1100	-	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	-	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	-	-	-	-			-
DSC8121AE5	6.1900	RFQ	24	마이크로 마이크로 기술	DSC8121	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8121	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4712	귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	35MA	MEMS	-	-		10MHz ~ 170MHz	± 10ppm
DSC6101HA3B-PROGT	1.8600	RFQ	975	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6101	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)	MEMS	-	-		3.5 kHz ~ 100MHz	± 20ppm
DSC6013CE1A-000.0000	-	RFQ	9875	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 80MHz	± 50ppm
DSC8002DI1	-	RFQ	1198	마이크로 마이크로 기술	DSC8002	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8002	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	576-4676	귀 99	8542.39.0001	140	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	10MA	MEMS	-	-	1 µA	1MHz ~ 150MHz	± 50ppm
DSC1101CM2 프로그램	1.7760	RFQ	2273	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1101CM2 프로그램	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	35MA	MEMS	± 25ppm	-		3.3 MHz ~ 170 MHz	-
DSC6101MA3B-Progt	1.6600	RFQ	845	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6101	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)	MEMS	-	-		3.5 kHz ~ 100MHz	± 20ppm
DSC6013JI1A-000.0000T	-	RFQ	6822	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 80MHz	± 50ppm
DSC8121DL5T	-	RFQ	1257	마이크로 마이크로 기술	DSC8121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8121	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	35MA	MEMS	± 10ppm	-	22 MA	10MHz ~ 170MHz	-
dsc6111ci2a 프로그래밍 가능	-	RFQ	3000	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	대부분	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 100MHz	± 25ppm
dsc8004ci2 프로그램 가능	9.2000	RFQ	1134	마이크로 마이크로 기술	DSC8004	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4680 프로그래밍 가능	귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	16.6MA	MEMS	-	-	15 µA	1MHz ~ 150MHz	± 25ppm
DSC6101JI2A-000.0000T	-	RFQ	1030	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)	MEMS	-	-		1MHz ~ 100MHz	± 25ppm
DSC6001JE2A-000.0000	-	RFQ	7735	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 80MHz	± 25ppm
dsc8002ci2 프로그램 가능	-	RFQ	8936	마이크로 마이크로 기술	DSC8002	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	576-4675 프로그래밍 가능	귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	10MA	MEMS	-	-	1 µA	1MHz ~ 150MHz	± 25ppm
DSC8002AI1	1.8500	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC8002	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4671	귀 99	8542.39.0001	50	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	10MA	MEMS	-	-	1 µA	1MHz ~ 150MHz	± 50ppm
DSC6011MI2A-000.0000T	1.5700	RFQ	988	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 80MHz	± 25ppm
dsc6013hi1a 프로그래밍 가능	-	RFQ	5395	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 80MHz	± 50ppm
DSC1500JA3A-Progt	-	RFQ	8699	마이크로 마이크로 기술	DSC150X	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC1500JA3A-PROGTTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	-	7.5MA	MEMS	± 20ppm	-		2.3 MHz ~ 170 MHz	± 20ppm
DSC8004BI2	-	RFQ	2693	마이크로 마이크로 기술	DSC8004	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8004	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4679	귀 99	8542.39.0001	72	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	16.6MA	MEMS	-	-	15 µA	1MHz ~ 150MHz	± 25ppm

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

프로그래밍 프로그래밍 발진기 (700)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²