RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

프로그래밍 프로그래밍 발진기 (700)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
dsc6111ci2a-000.0000t	-	RFQ	5681	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA	MEMS	-	-	10.5 µA	1MHz ~ 100MHz	± 25ppm
dsc6111mi1a-000.0000t	0.9000	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC6111ME2A-000.0000T	0.9300	RFQ	985	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 100MHz	± 25ppm
DSC8001DI5T	-	RFQ	4411	마이크로 마이크로 기술	DSC8001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8001	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	12.2MA	MEMS	± 10ppm	-	15 µA	1MHz ~ 150MHz	-
dsc8001ai5 프로그래밍 가능 가능	10.4000	RFQ	2118	마이크로 마이크로 기술	DSC8001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	576-4656 프로그래밍 가능	귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	12.2MA	MEMS	-	-	15 µA	1MHz ~ 150MHz	± 10ppm
DSC8003AI2	-	RFQ	4684	마이크로 마이크로 기술	DSC8003	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC8003	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	15MA	MEMS	± 25ppm	-		1MHz ~ 150MHz	-
DSC1100DL5-Progt	3.9600	RFQ	9659	마이크로 마이크로 기술	DSC1100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	-	DSC1100	-	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	-	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	-	-	-	-			-
DSC6112MI2A-000.0000T	0.9500	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 100MHz	± 25ppm
DSC8003CI2	-	RFQ	5676	마이크로 마이크로 기술	DSC8003	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8003	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	15MA	MEMS	± 25ppm	-		1MHz ~ 150MHz	-
DSC8122BI5T	-	RFQ	2299	마이크로 마이크로 기술	DSC8122	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8122	lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	58ma	MEMS	± 10ppm	-	22 MA	10MHz ~ 460 MHz	-
DSC1101NM2-Prog	-	RFQ	4982	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1101	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1101NM2-Prog	귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	35MA	MEMS	± 25ppm	-		3.3 MHz ~ 170 MHz	-
DSC8102BI2	10.5200	RFQ	211	마이크로 마이크로 기술	DSC8102	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC8102	lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4695	귀 99	8542.39.0001	72	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	58ma	MEMS	-	-		10MHz ~ 460 MHz	± 25ppm
DSC8003DI2	-	RFQ	9734	마이크로 마이크로 기술	DSC8003	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8003	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	15MA	MEMS	± 25ppm	-		1MHz ~ 150MHz	-
DSC8101CI1	2.5400	RFQ	4608	마이크로 마이크로 기술	DSC8101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8101	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4688	귀 99	8542.39.0001	110	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	35MA	MEMS	-	-		10MHz ~ 170MHz	± 50ppm
dsc6112mi1a-000.0000t	0.9000	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC6013HE2A 프로그래밍 가능	-	RFQ	2815	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	대부분	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 80MHz	± 25ppm
DSC8102CI5	14.4200	RFQ	8954	마이크로 마이크로 기술	DSC8102	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8102	lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4698	귀 99	8542.39.0001	110	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	58ma	MEMS	-	-		10MHz ~ 460 MHz	± 10ppm
dsc8121di5 프로그램 가능	12.6600	RFQ	7813	마이크로 마이크로 기술	DSC8121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	576-4723 프로그래밍 가능	귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	35MA	MEMS	-	-	22 MA	10MHz ~ 170MHz	± 10ppm
DSC8001CI5	3.9600	RFQ	1081	마이크로 마이크로 기술	DSC8001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8001	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4663	귀 99	8542.39.0001	110	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	12.2MA	MEMS	-	-	15 µA	1MHz ~ 150MHz	± 10ppm
dsc6003mi1a 프로그램 가능	-	RFQ	6143	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-		1MHz ~ 80MHz	± 50ppm
DSC6011JE2A-000.0000T	-	RFQ	9005	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 80MHz	± 25ppm
DSC8001AI5	2.9300	RFQ	550	마이크로 마이크로 기술	DSC8001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8001	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4656	귀 99	8542.39.0001	50	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	12.2MA	MEMS	-	-	15 µA	1MHz ~ 150MHz	± 10ppm
dsc6111je1a-000.0000	-	RFQ	4866	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC6102MI1A-000.0000T	0.9000	RFQ	995	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)	MEMS	-	-		1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC6102CE2A-000.0000	0.8900	RFQ	770	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)	MEMS	-	-		1MHz ~ 100MHz	± 25ppm
DSC8121CL5T	3.4300	RFQ	9250	마이크로 마이크로 기술	DSC8121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8121	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	35MA	MEMS	-	-	22 MA	10MHz ~ 170MHz	± 10ppm
DSC8121CL2	-	RFQ	2444	마이크로 마이크로 기술	DSC8121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8121	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	576-4719	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	35MA	MEMS	-	-		10MHz ~ 170MHz	± 25ppm
dsc8121ci2 프로그램 가능	11.3600	RFQ	6032	마이크로 마이크로 기술	DSC8121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	576-4717 프로그래밍 가능	귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	35MA	MEMS	-	-	22 MA	10MHz ~ 170MHz	± 25ppm
dsc6001ci2a 프로그래밍 가능	-	RFQ	9197	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 80MHz	± 25ppm
DSC8101BI2	2.7000	RFQ	7079	마이크로 마이크로 기술	DSC8101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC8101	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4684	귀 99	8542.39.0001	72	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	35MA	MEMS	-	-		10MHz ~ 170MHz	± 25ppm

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

프로그래밍 프로그래밍 발진기 (700)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²