SIC
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프로그래밍 프로그래밍 발진기 (700)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC6101MI1A-000.0000T Microchip Technology dsc6101mi1a-000.0000t 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 100MHz ± 50ppm
DSC8121AI5T Microchip Technology DSC8121AI5T -
RFQ
 ECAD 3136 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8121 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 35MA MEMS ± 10ppm - 22 MA 10MHz ~ 100MHz -
DSC6112HI2A-000.0000T Microchip Technology DSC6112HI2A-000.0000T 1.0700
RFQ
 ECAD 284 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 100MHz ± 25ppm
DSC8001DL5 Microchip Technology DSC8001DL5 2.8800
RFQ
 ECAD 3633 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8001 CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4670 귀 99 8542.39.0001 140 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 12.2MA MEMS - - 15 µA 1MHz ~ 150MHz ± 10ppm
DSC8002DI2 Microchip Technology DSC8002DI2 -
RFQ
 ECAD 5795 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8002 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 576-4677 귀 99 8542.39.0001 140 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 10MA MEMS - - 1 µA 1MHz ~ 150MHz ± 25ppm
DSC8124DI2 Microchip Technology DSC8124DI2 4.4100
RFQ
 ECAD 131 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8124 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8124 HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4733 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 42MA 결정 - - 10MHz ~ 460 MHz ± 25ppm
DSC6101MI2A-000.0000T Microchip Technology DSC6101MI2A-000.0000T -
RFQ
 ECAD 4867 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 100MHz ± 25ppm
DSC6111CE2A-000.0000 Microchip Technology DSC6111CE2A-000.0000 0.8900
RFQ
 ECAD 635 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 100MHz ± 25ppm
DSC6011MI1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6011mi1a 프로그램 가능 -
RFQ
 ECAD 3643 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 50ppm
DSC8122DI2-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc8122di2 프로그램 가능 23.2600
RFQ
 ECAD 1424 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8122 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 576-4727 프로그래밍 가능 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 58ma MEMS - - 22 MA 10MHz ~ 460 MHz ± 25ppm
DSC8001CI2 Microchip Technology DSC8001CI2 2.2600
RFQ
 ECAD 635 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8001 CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4662 귀 99 8542.39.0001 110 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 12.2MA MEMS - - 15 µA 1MHz ~ 150MHz ± 25ppm
DSC6101JI1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6101ji1a 프로그램 가능 -
RFQ
 ECAD 5545 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 100MHz ± 50ppm
DSC6001ME2A-000.0000T Microchip Technology DSC6001ME2A-000.0000T 1.1200
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 25ppm
DSC8001DI2T Microchip Technology DSC8001DI2T 1.8800
RFQ
 ECAD 5849 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8001 CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 12.2MA MEMS ± 25ppm - 15 µA 1MHz ~ 150MHz -
DSC8001CI5T Microchip Technology DSC8001CI5T -
RFQ
 ECAD 7931 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8001 CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 12.2MA MEMS ± 10ppm - 15 µA 1MHz ~ 150MHz -
DSC6011MI1A-000.0000T Microchip Technology dsc6011mi1a-000.0000t 1.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 50ppm
DSC6112JE2A-000.0000 Microchip Technology DSC6112JE2A-000.0000 -
RFQ
 ECAD 9569 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 100MHz ± 25ppm
DSC6011JI1A-000.0000T Microchip Technology dsc6011ji1a-000.0000t -
RFQ
 ECAD 3800 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 50ppm
DSC6011HE2A-000.0000T Microchip Technology DSC6011HE2A-000.0000T -
RFQ
 ECAD 2317 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 25ppm
DSC6003JE2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6003je2a 프로그램 가능 -
RFQ
 ECAD 9631 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 대부분 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 1.3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 80MHz ± 25ppm
DSC8123CL5 Microchip Technology DSC8123CL5 -
RFQ
 ECAD 6931 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8123 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 22MA MEMS ± 10ppm - 10MHz ~ 460 MHz -
DSC8002CI1 Microchip Technology DSC8002CI1 -
RFQ
 ECAD 5597 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8002 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 10MA MEMS ± 50ppm - 1 µA 1MHz ~ 150MHz -
DSC8001DI5 Microchip Technology DSC8001DI5 4.2000
RFQ
 ECAD 4112 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8001 CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4668 귀 99 8542.39.0001 140 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 12.2MA MEMS - - 15 µA 1MHz ~ 150MHz ± 10ppm
DSC8121CI1 Microchip Technology DSC8121CI1 5.0600
RFQ
 ECAD 717 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8121 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 35MA MEMS ± 50ppm - 22 MA 10MHz ~ 170MHz -
DSC6001HI2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6001hi2a 프로그래밍 가능 -
RFQ
 ECAD 9723 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 25ppm
DSC8001CI1 Microchip Technology DSC8001CI1 2.2100
RFQ
 ECAD 7292 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8001 CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4661 귀 99 8542.39.0001 110 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 12.2MA MEMS - - 15 µA 1MHz ~ 150MHz ± 50ppm
DSC8001CL5-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8001CL5 프로그래밍 가능 10.2600
RFQ
 ECAD 3086 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 576-4665 프로그래밍 가능 귀 99 8542.39.0001 1 대기 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 12.2MA MEMS - - 15 µA 1MHz ~ 150MHz ± 10ppm
DSC6112JE2A-000.0000T Microchip Technology DSC6112JE2A-000.0000T -
RFQ
 ECAD 7229 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 100MHz ± 25ppm
DSC8121CI5T Microchip Technology DSC8121CI5T -
RFQ
 ECAD 2874 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8121 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 35MA MEMS ± 10ppm - 22 MA 10MHz ~ 100MHz -
DSC8001BI2T Microchip Technology DSC8001BI2T 2.2800
RFQ
 ECAD 9156 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8001 CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) blank (사용자 필수 사용자 사용자) 12.2MA MEMS ± 25ppm - 15 µA 1MHz ~ 150MHz -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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