SIC
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프로그래밍 프로그래밍 발진기 (700)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC8124AI2T Microchip Technology DSC8124AI2T -
RFQ
 ECAD 7913 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8124 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC8124 HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 42MA MEMS ± 25ppm - 22 MA 10MHz ~ 460 MHz -
DSC6111CE2A-000.0000T Microchip Technology dsc6111ce2a-000.0000t -
RFQ
 ECAD 2671 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 100MHz ± 25ppm
DSC6011HE2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6011HE2A 프로그래밍 가능 -
RFQ
 ECAD 5593 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 대부분 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 25ppm
DSC6001JI2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6001ji2a 프로그래밍 가능 -
RFQ
 ECAD 7894 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 25ppm
DSC6112CI1A-000.0000 Microchip Technology dsc6112ci1a-000.0000 0.8500
RFQ
 ECAD 764 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 100MHz ± 50ppm
DSC8121DI2 Microchip Technology DSC8121DI2 3.3600
RFQ
 ECAD 420 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8121 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4722 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 35MA MEMS - - 10MHz ~ 170MHz ± 25ppm
DSC6102CE2A-000.0000T Microchip Technology DSC6102CE2A-000.0000T -
RFQ
 ECAD 7045 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 100MHz ± 25ppm
DSC6101HA3B-PROG Microchip Technology DSC6101HA3B-Prog 1.3080
RFQ
 ECAD 7210 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6101 CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 3.5 kHz ~ 100MHz ± 20ppm
DSC6001MI2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6001mi2a 프로그래밍 가능 -
RFQ
 ECAD 4127 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 25ppm
DSC8124DI2 Microchip Technology DSC8124DI2 4.4100
RFQ
 ECAD 131 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8124 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8124 HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4733 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 42MA 결정 - - 10MHz ~ 460 MHz ± 25ppm
DSC6011CI2A-000.0000 Microchip Technology DSC6011CI2A-000.0000 -
RFQ
 ECAD 6283 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 25ppm
DSC8001DL5T Microchip Technology DSC8001DL5T -
RFQ
 ECAD 7840 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8001 CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 12.2MA MEMS ± 10ppm - 15 µA 1MHz ~ 150MHz -
DSC6011MI1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6011mi1a 프로그램 가능 -
RFQ
 ECAD 3643 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 50ppm
DSC1000AL5-PROGT Microchip Technology DSC1000AL5-Progt 2.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC100 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 - DSC1000 - - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - blank (사용자 필수 사용자 사용자) - - - - -
DSC6112CI1A-000.0000T Microchip Technology dsc6112ci1a-000.0000t -
RFQ
 ECAD 8736 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 100MHz ± 50ppm
DSC6112CE2A-000.0000 Microchip Technology DSC6112CE2A-000.0000 -
RFQ
 ECAD 2964 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 100MHz ± 25ppm
DSC6003JE2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6003je2a 프로그램 가능 -
RFQ
 ECAD 9631 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 대부분 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 1.3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 80MHz ± 25ppm
DSC8103CI5-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc8103ci5 프로그래밍 가능 31.3700
RFQ
 ECAD 4164 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 576-4705 프로그래밍 가능 귀 99 8542.39.0001 1 대기 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 32MA MEMS - - 95 µA 10MHz ~ 460 MHz ± 10ppm
DSC6112CI1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6112ci1a 프로그래밍 가능 -
RFQ
 ECAD 8495 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 100MHz ± 50ppm
DSC6001JI1A-000.0000 Microchip Technology dsc6001ji1a-000.0000 -
RFQ
 ECAD 8741 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 50ppm
DSC6003CE1A-000.0000T Microchip Technology DSC6003CE1A-000.0000T -
RFQ
 ECAD 3385 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 1.3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 80MHz ± 50ppm
DSC6111MI2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6111mi2a 프로그래밍 가능 -
RFQ
 ECAD 9945 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 100MHz ± 25ppm
DSC8121CM1-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8121CM1 프로그래밍 가능 8.7700
RFQ
 ECAD 1258 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8121 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 576-4720 프로그래밍 가능 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 35MA MEMS - - 22 MA 10MHz ~ 170MHz ± 50ppm
DSC8003CL5 Microchip Technology DSC8003CL5 -
RFQ
 ECAD 7125 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8003 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8003 CMOS 1.8V ~ 3.3V - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 15MA MEMS - - 1MHz ~ 150MHz -
DSC8003CI2T Microchip Technology DSC8003CI2T 1.8800
RFQ
 ECAD 1238 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8003 CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 15MA MEMS ± 25ppm - 1MHz ~ 150MHz -
DSC8101DI5 Microchip Technology DSC8101DI5 4.1500
RFQ
 ECAD 1650 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8101 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 35MA MEMS ± 10ppm - 95 µA 10MHz ~ 100MHz -
DSC8103BI5-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8103BI5 프로그램 -
RFQ
 ECAD 9829 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8103 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4703 프로그래밍 가능 귀 99 8542.39.0001 1 대기 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 32MA MEMS - - 95 µA 10MHz ~ 460 MHz ± 10ppm
DSC1201CA3-PROGT Microchip Technology DSC1201CA3-Progt 1.5360
RFQ
 ECAD 3678 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1201 CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1201CA3-PROGTTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) blank (사용자 필수 사용자 사용자) 27MA (타이핑) MEMS - - 2.5 MHz ~ 170 MHz ± 20ppm
DSC1101DL5-PROG Microchip Technology DSC110111DL5-Prog 1.7280
RFQ
 ECAD 5085 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101111DL5 프로그래치 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) blank (사용자 필수 사용자 사용자) 35MA MEMS ± 10ppm - 3.3 MHz ~ 170 MHz -
DSC8101CL5 Microchip Technology DSC8101CL5 4.6900
RFQ
 ECAD 4734 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8101 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4691 귀 99 8542.39.0001 110 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 35MA MEMS - - 10MHz ~ 170MHz ± 10ppm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

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