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제품 번호	가격 (USD)	수량	사용 가능한 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 상태	작동 온도	등급	크기 / 치수	높이 - 좌석 (최대)	장착 유형	패키지 / 케이스	유형	기본 제품 번호	산출	전압 - 공급	데이터 시트	ROHS 상태	수분 감도 수준 (MSL)	상태에 도달하십시오	다른 이름	ECCN	HTSUS	표준 패키지	기능	프로그래밍 가능한 유형	Current -Supply (Max)	기본 공진기	주파수 안정성	스펙트럼 대역폭 스프레드	현재 - 공급 (비활성화) (최대)	사용 가능한 주파수 범위	주파수 안정성 (총)
DSC1100BL3-Prog	1.9440	RFQ	1106	마이크로 칩 기술	DSC1100	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.197 "L X 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	6-vdfn	XO (표준)	DSC1100	-	-	-	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다	150-DSC1100BL3 프로그램	귀 99	8542.39.0001	72	-	blank (사용자 필수 프로그램)	-	MEMS	± 20ppm	-			-
DSC1101AL3 프로그램	1.0800	RFQ	4988	마이크로 칩 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	6-vdfn 노출 패드	XO (표준)	DSC1101	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다	150-DSC1101AL3 프로그램	귀 99	8542.39.0001	50	대기 (전원 다운)	blank (사용자 필수 프로그램)	35MA	MEMS	± 20ppm	-		3.3 MHz ~ 170 MHz	-
DSC1000BL5 프로그램	1.7760	RFQ	8905	마이크로 칩 기술	DSC100	튜브	활동적인	-	-	0.197 "L X 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	4-vdfn	-	DSC1000	-	-	-	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다	150-DSC1000BL5 프로그램	귀 99	8542.39.0001	72	-	blank (사용자 필수 프로그램)	-	MEMS	-	-			-
DSC1000AL5 프로그램	1.8120	RFQ	7042	마이크로 칩 기술	DSC100	튜브	활동적인	-	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	4-vdfn 노출 패드	-	DSC1000	-	-	-	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다	150-DSC1000AL5 프로그램	귀 99	8542.39.0001	50	-	blank (사용자 필수 프로그램)	-	MEMS	-	-			-
DSC1000CL5 프로그램	1.7160	RFQ	9253	마이크로 칩 기술	DSC100	튜브	활동적인	-	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	4-vdfn	-	DSC1000	-	-	-	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다	150-DSC1000CL5 프로그램	귀 99	8542.39.0001	110	-	blank (사용자 필수 프로그램)	-	MEMS	-	-			-
DSC1101NL3-Prog	1.0800	RFQ	9069	마이크로 칩 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	6-vdfn	XO (표준)	DSC1101	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다	150-DSC1101NL3-Prog	귀 99	8542.39.0001	50	대기 (전원 다운)	blank (사용자 필수 프로그램)	35MA	MEMS	± 20ppm	-		3.3 MHz ~ 170 MHz	-
DSC11011DL5-Prog	1.7280	RFQ	5085	마이크로 칩 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	6-vdfn	XO (표준)	DSC1101	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다	150-DSC11011DL5-Prog	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (전원 다운)	blank (사용자 필수 프로그램)	35MA	MEMS	± 10ppm	-		3.3 MHz ~ 170 MHz	-
DSC1100AL3 프로그램	1.9920	RFQ	2259	마이크로 칩 기술	DSC1100	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	6-vdfn 노출 패드	-	DSC1100	-	-	-	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다	150-DSC1100AL3 프로그램	귀 99	8542.39.0001	50	-	blank (사용자 필수 프로그램)	-	MEMS	-	-			-
DSC1100CL5 프로그램	2.7840	RFQ	4867	마이크로 칩 기술	DSC1100	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	6-vdfn	XO (표준)	DSC1100	-	-	-	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다	150-DSC1100CL5 프로그램	귀 99	8542.39.0001	110	-	blank (사용자 필수 프로그램)	-	MEMS	± 10ppm	-			-
DSC8001CI2 프로그램 가능	9.2000	RFQ	2004	마이크로 칩 기술	DSC8001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	4-SMD, 리드 없음	XO (표준)		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다	576-4662 프로그램 가능	귀 99	8542.39.0001	1	대기	SIC에 의해 프로그래밍 (웹 순서 참고에 주파수를 입력)	12.2MA	MEMS	-	-	15 µA	1MHz ~ 150MHz	± 25ppm
dsc6101ce1a-000.0000t	-	RFQ	3665	마이크로 칩 기술	DSC61XX	테이프 & 릴 (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	4-SMD, 리드 없음	XO (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 프로그램)	3MA (유형)	MEMS	-	-		1 MHz ~ 100MHz	± 50ppm
dsc6111ce2a-000.0000t	-	RFQ	2671	마이크로 칩 기술	DSC61XX	테이프 & 릴 (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	4-SMD, 리드 없음	XO (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 프로그램)	3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1 MHz ~ 100MHz	± 25ppm
DSC6111HI2A 프로그래밍 가능	-	RFQ	3314	마이크로 칩 기술	DSC61XX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 마운트	4-SMD, 리드 없음	XO (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.39.0001	1	대기	SIC에 의해 프로그래밍 (웹 순서 참고에 주파수를 입력)	3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1 MHz ~ 100MHz	± 25ppm
DSC6112MI1A 프로그램 가능	-	RFQ	1954	마이크로 칩 기술	DSC61XX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 마운트	4-SMD, 리드 없음	XO (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.39.0001	1	대기	SIC에 의해 프로그래밍 (웹 순서 참고에 주파수를 입력)	3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1 MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC6001HE2A 프로그램 가능	-	RFQ	1326	마이크로 칩 기술	DSC60XX	대부분	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 마운트	4-SMD, 리드 없음	XO (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에 의해 프로그래밍 (웹 순서 참고에 주파수를 입력)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 80 MHz	± 25ppm
DSC8122CI5T	-	RFQ	4555	마이크로 칩 기술	DSC8122	테이프 & 릴 (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	6-SMD, 리드 없음	XO (표준)	DSC8122	lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 프로그램)	58ma	MEMS	± 10ppm	-	22 MA	10MHz ~ 460 MHz	-
DSC8002CC1 프로그램 가능	-	RFQ	8478	마이크로 칩 기술	DSC8002	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	4-SMD, 리드 없음	XO (표준)		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다	576-4674 프로그램 가능	귀 99	8542.39.0001	1	대기	SIC에 의해 프로그래밍 (웹 순서 참고에 주파수를 입력)	10MA	MEMS	-	-	1 µA	1MHz ~ 150MHz	± 50ppm
DSC8104BI2 프로그램 가능	12.8500	RFQ	6812	마이크로 칩 기술	DSC8104	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "L X 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	6-vdfn	XO (표준)		HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다	576-4707 프로그램 가능	귀 99	8542.39.0001	1	대기	SIC에 의해 프로그래밍 (웹 순서 참고에 주파수를 입력)	42MA	MEMS	-	-	95 µA	10MHz ~ 460 MHz	± 25ppm
DSC8003CL5	-	RFQ	7125	마이크로 칩 기술	DSC8003	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	4-SMD, 리드 없음	XO (표준)	DSC8003	CMOS	1.8V ~ 3.3V	-		1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.39.0001	110	대기	blank (사용자 필수 프로그램)	15MA	MEMS	-	-		1MHz ~ 150MHz	-
DSC8121DI2 프로그램 가능	11.2600	RFQ	9969	마이크로 칩 기술	DSC8121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	6-SMD, 리드 없음	XO (표준)		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다	576-4722 프로그래밍 가능	귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에 의해 프로그래밍 (웹 순서 참고에 주파수를 입력)	35MA	MEMS	-	-	22 MA	10MHz ~ 170MHz	± 25ppm
DSC6001MI2A 프로그래밍 가능	-	RFQ	4127	마이크로 칩 기술	DSC60XX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 마운트	4-SMD, 리드 없음	XO (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	SIC에 의해 프로그래밍 (웹 순서 참고에 주파수를 입력)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 80 MHz	± 25ppm
DSC8103CI5 프로그래밍 가능	31.3700	RFQ	4164	마이크로 칩 기술	DSC8103	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	6-SMD, 리드 없음	XO (표준)		LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다	576-4705 프로그래밍 가능	귀 99	8542.39.0001	1	대기	SIC에 의해 프로그래밍 (웹 순서 참고에 주파수를 입력)	32MA	MEMS	-	-	95 µA	10MHz ~ 460 MHz	± 10ppm
DSC8121AL2	3.8800	RFQ	3774	마이크로 칩 기술	DSC8121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	6-SMD, 리드 노출 패드 없음	XO (표준)	DSC8121	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 프로그램)	35MA	MEMS	± 25ppm	-	22 MA	10MHz ~ 170MHz	-
DSC8103BI2T	-	RFQ	2266	마이크로 칩 기술	DSC8103	테이프 & 릴 (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "L X 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	6-vdfn	XO (표준)	DSC8103	LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 프로그램)	32MA	MEMS	± 25ppm	-	95 µA	10MHz ~ 460 MHz	-
DSC6003JA3B-Prog	1.4000	RFQ	700	마이크로 칩 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 마운트	4-VLGA	XO (표준)	DSC6003	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 프로그램)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-			± 20ppm
DSC6013CI2A 프로그래밍 가능	-	RFQ	9707	마이크로 칩 기술	DSC60XX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 마운트	4-SMD, 리드 없음	XO (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.39.0001	1	대기	SIC에 의해 프로그래밍 (웹 순서 참고에 주파수를 입력)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 80 MHz	± 25ppm
DSC1101CL5 프로그램	1.7280	RFQ	7409	마이크로 칩 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	6-vdfn	XO (표준)	DSC1101	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다	150-DSC1101CL5 프로그램	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (전원 다운)	blank (사용자 필수 프로그램)	35MA	MEMS	± 10ppm	-		3.3 MHz ~ 170 MHz	-
DSC8122DI2	9.9900	RFQ	230	마이크로 칩 기술	DSC8122	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	6-SMD, 리드 없음	XO (표준)	DSC8122	lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다	576-4727	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 프로그램)	58ma	MEMS	-	-		10MHz ~ 460 MHz	± 25ppm
DSC6013JI2A-000.0000T	-	RFQ	6639	마이크로 칩 기술	DSC60XX	테이프 & 릴 (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 마운트	4-SMD, 리드 없음	XO (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 프로그램)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 80 MHz	± 25ppm
DSC8001BI2T	2.2800	RFQ	9156	마이크로 칩 기술	DSC8001	테이프 & 릴 (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "L X 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 마운트	4-SMD, 리드 없음	XO (표준)	DSC8001	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	ROHS3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 않습니다		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (전원 다운)	blank (사용자 필수 프로그램)	12.2MA	MEMS	± 25ppm	-	15 µA	1MHz ~ 150MHz	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

프로그래밍 가능한 발진기 (700)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²