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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
dsc110111dl3-progt	1.4300	RFQ	2	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	35MA	MEMS	-	-		2.3 MHz ~ 170 MHz	± 20ppm
DSC6112HE2A-000.0000T	1.0400	RFQ	999	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 100MHz	± 25ppm
DSC6111HE1A-000.0000T	0.9900	RFQ	165	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC8004CI2	1.7100	RFQ	3116	마이크로 마이크로 기술	DSC8004	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8004	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4680	귀 99	8542.39.0001	110	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	16.6MA	MEMS	-	-	15 µA	1MHz ~ 150MHz	± 25ppm
DSC6102JI2A-000.0000T	-	RFQ	1352	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)	MEMS	-	-		1MHz ~ 100MHz	± 25ppm
DSC8121DM2	3.6100	RFQ	5150	마이크로 마이크로 기술	DSC8121	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8121	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	22MA	MEMS	± 25ppm	-		10MHz ~ 170MHz	-
DSC8124AI5T	-	RFQ	4372	마이크로 마이크로 기술	DSC8124	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8124	HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	42MA	MEMS	± 10ppm	-	22 MA	10MHz ~ 460 MHz	-
DSC6112CI2A-000.0000T	-	RFQ	4005	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 100MHz	± 25ppm
dsc6112ci2a 프로그래밍 가능	-	RFQ	3240	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 100MHz	± 25ppm
dsc6102me1a 프로그램 가능	-	RFQ	9080	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	대부분	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	3MA (유형)	MEMS	-	-		1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC6001JA3B-Progt	1.5300	RFQ	915	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6001	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-		2 kHz ~ 80 MHz	± 20ppm
dsc6011je1a 프로그램 가능	-	RFQ	4265	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	대부분	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 80MHz	± 50ppm
DSC6003JA3B 프로그램 가능	9.3900	RFQ	3358	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		CMOS	1.8V ~ 3.3V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		150-DSC6003JA3B 프로그램 가능	귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	-	1.3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-		2 kHz ~ 80 MHz	± 20ppm
DSC6001CA3B-Prog	0.9960	RFQ	4328	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC6001	CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6001CA3B-Prog	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-		2 kHz ~ 80 MHz	-
DSC6011CE2A-000.0000	-	RFQ	1150	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 80MHz	± 25ppm
DSC6001CI1A-000.0000	-	RFQ	8239	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 80MHz	± 50ppm
DSC8104CI5	4.7300	RFQ	330	마이크로 마이크로 기술	DSC8104	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8104	HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4710	귀 99	8542.39.0001	110	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	42MA	MEMS	-	-		10MHz ~ 460 MHz	± 10ppm
DSC6013JE1A-000.0000T	-	RFQ	6840	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 80MHz	± 50ppm
DSC6001MI2A-000.0000T	1.1600	RFQ	423	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 80MHz	± 25ppm
DSC1100CL5-Progt	3.9600	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC1100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	-	DSC1100	-	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	-	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	-	-	-	-			-
DSC8124BI2	4.8000	RFQ	432	마이크로 마이크로 기술	DSC8124	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC8124	HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	42MA	MEMS	± 25ppm	-		10MHz ~ 460 MHz	-
dsc1100dl3-prog	1.9200	RFQ	6467	마이크로 마이크로 기술	DSC1100	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1100	-	-	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1100DL3-Prog	귀 99	8542.39.0001	140	-	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	-	MEMS	± 20ppm	-			-
DSC1000DL5-Progt	2.3800	RFQ	986	마이크로 마이크로 기술	DSC100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	-	DSC1000	-	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	-	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	-	-	-	-			-
DSC1101CL3-Progt	1.4800	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	35MA	MEMS	-	-		2.3 MHz ~ 170 MHz	± 20ppm
DSC6001CE1A-000.0000	-	RFQ	5636	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 80MHz	± 50ppm
DSC6001JE2A-000.0000T	-	RFQ	6192	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 80MHz	± 25ppm
DSC8123AL2T	-	RFQ	2248	마이크로 마이크로 기술	DSC8123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn d 패드	xo (표준)	DSC8123	LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC8123AL2TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	32MA	MEMS	± 25ppm	-		10MHz ~ 460 MHz	-
DSC6101CE2A-000.0000T	-	RFQ	3972	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)	MEMS	-	-		1MHz ~ 100MHz	± 25ppm
dsc6013me2a 프로그래밍 가능	-	RFQ	3080	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	대부분	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	12 µA	1MHz ~ 80MHz	± 25ppm
DSC8121BI2 프로그램 가능	11.5500	RFQ	5006	마이크로 마이크로 기술	DSC8121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	576-4714 프로그래밍 가능	귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	35MA	MEMS	-	-	22 MA	10MHz ~ 170MHz	± 25ppm

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

프로그래밍 프로그래밍 발진기 (700)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²