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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 짐 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSC612RE3A-01M0 Microchip Technology DSC612RE3A-01M0 -
RFQ
 ECAD 8576 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612RE3A-01M0 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 3 MA 16MHz 32.768kHz - -
DSC2311KI1-R0040 Microchip Technology DSC2311KI1-R0040 -
RFQ
 ECAD 7205 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2311KI1-R0040 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 40MHz 20MHz - -
DSC612PI2A-01PAT Microchip Technology DSC612PI2A-01PAT -
RFQ
 ECAD 8495 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 6-VFLGA xo (표준) LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612PI2A-01PATTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA 19.2MHz 32.768kHz - -
DSC613PE2A-01KCT Microchip Technology DSC613PE2A-01KCT -
RFQ
 ECAD 9551 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC613 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC613 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC613PE2A-01KTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6.5MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA - - - -
DSC612PI2A-01M1T Microchip Technology DSC612PI2A-01M1T -
RFQ
 ECAD 8403 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612PI2A-01M1TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA 12MHz 16.384MHz - -
DSC613PE2A-01KDT Microchip Technology DSC613PE2A-01KDT -
RFQ
 ECAD 4995 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC613 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 6-VFLGA xo (표준) LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC613PE2A-01KDTTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6.5MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA - - - -
DSC612NI3A-013CT Microchip Technology DSC612NI3A-013CT -
RFQ
 ECAD 8326 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612NI3A-013TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 3 MA 24MHz 32.768kHz - -
DSC612RI2A-01P5T Microchip Technology DSC612RI2A-01P5T -
RFQ
 ECAD 1376 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612RI2A-01P5TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA 32MHz 48MHz - -
DSC6021JI2B-01KQ Microchip Technology DSC6021JI2B-01KQ -
RFQ
 ECAD 6063 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 4-VLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6021JI2B-01KQ 귀 99 8542.39.0001 140 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm - - - -
DSC2011FE1-F0057T Microchip Technology DSC2011FE1-F0057T -
RFQ
 ECAD 7104 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2011 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 xo (표준) CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2011FE1-F0057TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 30MHz 33MHz - -
DSC613RI2A-01P6T Microchip Technology DSC613RI2A-01P6T -
RFQ
 ECAD 9718 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC613 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC613 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC613RI2A-01P6TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6.5MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA 12MHz 16MHz 8MHz -
DSC6061HI1B-01MCT Microchip Technology DSC6061HI1B-01MCT -
RFQ
 ECAD 1921 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 4-VFLGA xo (표준) DSC6061 CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6061HI1B-01MTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 50ppm - - - -
DSC612RE2A-01MR Microchip Technology DSC612RE2A-01MR -
RFQ
 ECAD 2804 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612RE2A-01MR 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA 38.4MHz 32.768kHz - -
DSC612RI2A-01K9T Microchip Technology DSC612RI2A-01K9T -
RFQ
 ECAD 2899 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612RI2A-01K9TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA 25MHz 25MHz - -
DSA400-3333Q0172KI2VAO Microchip Technology DSA400-333333Q0172KI2VAO -
RFQ
 ECAD 1749 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-333333Q0172KI2VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 156.25MHz 156.25MHz 156.25MHz 156.25MHz
DSA400-4441Q0170KI2TVAO Microchip Technology DSA400-4441Q0170KI2TVAO -
RFQ
 ECAD 9283 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL, LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4441Q0170KI2TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 50MHz 100MHz 100MHz 100MHz
DSA400-3333Q0171KL1VAO Microchip Technology DSA400-333333Q0171KL1VAO -
RFQ
 ECAD 3679 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-333333Q0171KL1VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 44 MA 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz
DSA400-4444Q0001KL2VAO Microchip Technology DSA400-4444Q0001KL2VAO -
RFQ
 ECAD 4111 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0001KL2VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 100MHz 100MHz 100MHz 100MHz
DSA400-4444Q0168KI1TVAO Microchip Technology DSA400-4444Q0168KI1TVAO -
RFQ
 ECAD 2738 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0168KI1TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 44 MA 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz
DSA400-4444Q0168KI2TVAO Microchip Technology DSA400-4444Q0168KI2TVAO -
RFQ
 ECAD 9025 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0168KI2TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz
DSC6121JE2B-01QU Microchip Technology dsc6121je2b-01qu -
RFQ
 ECAD 7537 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 4-VLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6121JE2B-01qu 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 45.1584MHz, 49.152MHz - - -
DSA400-4444Q0168KL2TVAO Microchip Technology DSA400-4444Q0168KL2TVAO -
RFQ
 ECAD 2764 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0168KL2TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz
DSA612PA3A-01R6TVAO Microchip Technology DSA612PA3A-01R6TVAO -
RFQ
 ECAD 5959 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 6-VFLGA xo (표준) LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA612PA3A-01R6TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 3 MA 10MHz 32.768kHz - -
DSA612RI2A-01JRVAO Microchip Technology DSA612RI2A-01JRVAO -
RFQ
 ECAD 4703 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA612 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA612RI2A-01JRVAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA 12MHz 24MHz - -
DSA400-3333Q0001KI2VAO Microchip Technology DSA400-3333001KI2VAO -
RFQ
 ECAD 8961 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-3333001KI2VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 100MHz 100MHz 100MHz 100MHz
549BAJB001919BCG Skyworks Solutions Inc. 549BAJB001919BCG -
RFQ
 ECAD 8649 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. Ultra ™ SI549 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 8-smd,, 없음 xo (표준) LVD 1.8V ~ 3.3V 다운로드 863-549BAJB001919BCG 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 121ma 0.052 "(1.33mm) 결정 ± 20ppm 112 MA 156.273MHz, 161.157MHz, 312.547MHz, 322.314MHz - - -
564BAGA002058ACGR Skyworks Solutions Inc. 564baga002058acgr -
RFQ
 ECAD 9451 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. Ultra ™ SI564 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 8-smd,, 없음 xo (표준) LVD 1.8V ~ 3.3V 다운로드 863-564 baga002058acgr 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 130ma 0.052 "(1.33mm) 결정 ± 20ppm 73 MA 245.76MHz, 1.96608GHz - - -
569AACA002014ACGR Skyworks Solutions Inc. 569AACA002014ACGR -
RFQ
 ECAD 3063 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. Ultra ™ SI569 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 8-smd,, 없음 VCXO lvpecl 2.5V ~ 3.3V 다운로드 863-569AACA002014ACGR 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 170ma 0.052 "(1.33mm) 결정 ± 20ppm 83 MA 10MHz - - -
549CAHA001913ACGR Skyworks Solutions Inc. 549CAHA001913ACGR -
RFQ
 ECAD 3087 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. Ultra ™ SI549 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 8-smd,, 없음 xo (표준) CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 863-549CAHA001913ACGR 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 127ma 0.052 "(1.33mm) 결정 ± 20ppm 112 MA 10MHz, 100MHz - - -
547BCA002532BCG Skyworks Solutions Inc. 547BCA002532BCG -
RFQ
 ECAD 3973 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. Ultra ™ SI547 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 8-smd,, 없음 xo (표준) LVD 1.8V ~ 3.3V 다운로드 863-547BCA002532BCG 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 121ma 0.052 "(1.33mm) 결정 ± 7ppm 112 MA 106.25MHz, 155.25MHz, 156.25MHz, 192MHz - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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