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핀 핀 핀 가능/선택 가능한 발진기 발진기 (8035)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 짐 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSA2311KA2-R0002TVAO Microchip Technology DSA2311KA2-R0002TVAO -
RFQ
 ECAD 6402 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KA2-R0002TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 25MHz 125MHz - -
DSA2311KA2-R0002VAO Microchip Technology DSA2311KA2-R0002VAO -
RFQ
 ECAD 7032 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KA2-R0002VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 25MHz 125MHz - -
DSA2311KA2-R0011TVAO Microchip Technology DSA2311KA2-R0011TVAO -
RFQ
 ECAD 1781 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KA2-R0011TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 50MHz 50MHz - -
DSA2311KA2-R0015VAO Microchip Technology DSA2311KA2-R0015VAO -
RFQ
 ECAD 1044 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KA2-R0015VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 24MHz 25MHz - -
DSA2311KA2-R0076TVAO Microchip Technology DSA2311KA2-R0076TVAO -
RFQ
 ECAD 6346 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KA2-R0076TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 20MHz 26.956522MHz - -
DSA2311KI2-R0064VAO Microchip Technology DSA2311KI2-R0064VAO -
RFQ
 ECAD 3342 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KI2-R0064VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 12.288MHz 24.999724MHz - -
DSA2311KI3-R0067TVAO Microchip Technology DSA2311KI3-R0067TVAO -
RFQ
 ECAD 3908 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KI3-R0067TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 20ppm 25MHz 16MHz - -
DSA2311KL1-R0078TVAO Microchip Technology DSA2311KL1-R0078TVAO -
RFQ
 ECAD 4000 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KL1-R0078TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 10MHz 20MHz - -
DSA2311KL1-R0078VAO Microchip Technology DSA2311KL1-R0078VAO -
RFQ
 ECAD 1840 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KL1-R0078VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 10MHz 20MHz - -
DSA2311KL2-R0065TVAO Microchip Technology DSA2311KL2-R0065TVAO -
RFQ
 ECAD 2424 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KL2-R0065TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 24MHz 48MHz - -
DSA2311KL2-R0073TVAO Microchip Technology DSA2311KL2-R0073TVAO -
RFQ
 ECAD 7672 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KL2-R0073TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 40MHz 40MHz - -
DSA400-4444Q0168KL2TVAO Microchip Technology DSA400-4444Q0168KL2TVAO -
RFQ
 ECAD 2764 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0168KL2TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz
DSA612PA3A-01R6TVAO Microchip Technology DSA612PA3A-01R6TVAO -
RFQ
 ECAD 5959 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 6-VFLGA xo (표준) LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA612PA3A-01R6TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 3 MA 10MHz 32.768kHz - -
DSA612RI2A-01JRVAO Microchip Technology DSA612RI2A-01JRVAO -
RFQ
 ECAD 4703 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA612 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA612RI2A-01JRVAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA 12MHz 24MHz - -
DSA400-3333Q0001KI2VAO Microchip Technology DSA400-3333001KI2VAO -
RFQ
 ECAD 8961 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-3333001KI2VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 100MHz 100MHz 100MHz 100MHz
DSA400-3333Q0172KI2VAO Microchip Technology DSA400-333333Q0172KI2VAO -
RFQ
 ECAD 1749 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-333333Q0172KI2VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 156.25MHz 156.25MHz 156.25MHz 156.25MHz
DSA400-4441Q0170KI2TVAO Microchip Technology DSA400-4441Q0170KI2TVAO -
RFQ
 ECAD 9283 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL, LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4441Q0170KI2TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 50MHz 100MHz 100MHz 100MHz
DSA400-3333Q0171KL1VAO Microchip Technology DSA400-333333Q0171KL1VAO -
RFQ
 ECAD 3679 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-333333Q0171KL1VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 44 MA 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz
DSA400-4444Q0001KL2VAO Microchip Technology DSA400-4444Q0001KL2VAO -
RFQ
 ECAD 4111 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0001KL2VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 100MHz 100MHz 100MHz 100MHz
DSA400-4444Q0168KI1TVAO Microchip Technology DSA400-4444Q0168KI1TVAO -
RFQ
 ECAD 2738 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0168KI1TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 44 MA 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz
DSA400-4444Q0168KI2TVAO Microchip Technology DSA400-4444Q0168KI2TVAO -
RFQ
 ECAD 9025 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0168KI2TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz
DSC6121JE2B-01QU Microchip Technology dsc6121je2b-01qu -
RFQ
 ECAD 7537 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 4-VLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6121JE2B-01qu 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 45.1584MHz, 49.152MHz - - -
DSC400-3133Q0100KI1T Microchip Technology DSC400-3133Q0100KI1T -
RFQ
 ECAD 9400 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS, LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 148.35MHz, 148.5MHz 156.25MHz 25MHz 197.8MHz, 198MHz
549FCEC002141ABG Skyworks Solutions Inc. 549FCEC002141ABG 16.9844
RFQ
 ECAD 8884 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. Ultra ™ SI549 조각 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 8-smd,, 없음 xo (표준) 549fce CMOS 1.8V, 2.5V, 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 336-549FCEC002141ABG 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 127ma 0.052 "(1.33mm) 결정 ± 7ppm 112 MA 1MHz, 40MHz - - -
AMPDAGH-A07T Abracon LLC AMPDAGH-A07T -
RFQ
 ECAD 7718 0.00000000 Abracon LLC AMPD 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 50ppm 19.44MHz, 25MHz - - -
534CB000366DGR Skyworks Solutions Inc. 534cb000366dgr 17.6644
RFQ
 ECAD 8338 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI534 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 8-smd,, 없음 xo (표준) 534cb CMOS 3.3v 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 88ma 0.071 "(1.80mm) 결정 ± 20ppm 75 MA 80MHz, 100MHz, 125MHz, 150MHz - - -
AMPDDFI-A14T3 Abracon LLC AMPDDFI-A14T3 -
RFQ
 ECAD 4490 0.00000000 Abracon LLC AMPD 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 27MHz, 32MHz - - -
552CF000171DG Skyworks Solutions Inc. 552CF000171DG 18.4148
RFQ
 ECAD 2496 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI552 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 6-SMD,, 없음 VCXO 552cf CMOS 3.3v 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 98ma 0.071 "(1.80mm) 결정 ± 50ppm 75 MA 35.328MHz, 70.656MHz - - -
554AC000405DG Skyworks Solutions Inc. 554AC000405DG 94.9310
RFQ
 ECAD 3750 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI554 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 8-smd,, 없음 VCXO 554AC lvpecl 3.3v 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 130ma 0.071 "(1.80mm) 결정 ± 50ppm 75 MA 622.08MHz, 644.53125MHz, 669.326582MHz - - -
532FA000270DG Skyworks Solutions Inc. 532FA000270DG 9.7390
RFQ
 ECAD 9676 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI532 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 6-SMD,, 없음 xo (표준) 532FA LVD 2.5V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 98ma 0.071 "(1.80mm) 결정 ± 50ppm 75 MA 148.351648MHz, 148.5MHz - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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