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| DSA400-333333Q0078KL1TVAO | - | | 5139 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA400 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | mems (실리콘) | LVD | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA400-333333Q0078KL1TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) | 48MA | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 50ppm | 44 MA | 125MHz | 125MHz | 125MHz | 125MHz | |||
| DSA400-33333Q0172KI1VAO | - | | 4784 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA400 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | mems (실리콘) | LVD | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA400-333333Q0172KI1VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) | 48MA | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 50ppm | 44 MA | 156.25MHz | 156.25MHz | 156.25MHz | 156.25MHz | |||
| DSA400-4444Q0001KI1TVAO | - | | 7655 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA400 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | mems (실리콘) | HCSL | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA400-4444Q0001KI1TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) | 88ma | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 50ppm | 44 MA | 100MHz | 100MHz | 100MHz | 100MHz | |||
| DSA400-333333Q0078KL1VAO | - | | 6446 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA400 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | mems (실리콘) | LVD | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA400-333333Q0078KL1VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) | 48MA | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 50ppm | 44 MA | 125MHz | 125MHz | 125MHz | 125MHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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