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핀 핀 핀 가능/선택 가능한 발진기 발진기 (8035)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 짐 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSC2033FI2-F0046T Microchip Technology DSC2033FI2-F0046T -
RFQ
 ECAD 7662 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2033 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2033FI2-F0046TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 38MA (유형) 0.037 "(0.95mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 27MHz - - -
DSC613RI2A-01P6 Microchip Technology DSC613RI2A-01P6 -
RFQ
 ECAD 1880 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC613 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC613 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC613RI2A-01P6 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 6.5MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA 12MHz 16MHz 8MHz -
DSC612RA1A-0102T Microchip Technology DSC612RA1A-0102T -
RFQ
 ECAD 1734 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612RA1A-0102TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 50ppm 3 MA 100MHz 90MHz - -
DSC6122MI2B-01MQT Microchip Technology DSC6122MI2B-01MQT -
RFQ
 ECAD 7979 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 4-VFLGA xo (표준) DSC6122 CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6122MI2B-01MQTTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm - - - -
DSC2043FI1-F0058T Microchip Technology DSC2043FI1-F0058T -
RFQ
 ECAD 2557 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2043 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 xo (표준) HCSL, LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2043FI1-F0058TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 76MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz - -
DSC612RE2A-01MRT Microchip Technology DSC612RE2A-01MRT -
RFQ
 ECAD 9220 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612RE2A-01MRTTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA 38.4MHz 32.768kHz - -
DSC2033FI2-F0059 Microchip Technology DSC2033FI2-F0059 -
RFQ
 ECAD 7306 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2033 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC2033 LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2033FI2-F0059 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 38MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 100MHz 100MHz - -
DSC613RI3A-01M7T Microchip Technology DSC613RI3A-01M7T -
RFQ
 ECAD 4943 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC613 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC613 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC613RI3A-01M7TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6.5MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 3 MA 1.536MHz 12.288MHz 48kHz -
DSC613PE2A-01KD Microchip Technology DSC613PE2A-01KD -
RFQ
 ECAD 2658 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC613 가방 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 6-VFLGA xo (표준) LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC613PE2A-01KD 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 6.5MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA - - - -
DSC612RI2A-01KAT Microchip Technology DSC612RI2A-01KAT -
RFQ
 ECAD 5185 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612RI2A-01KATTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA 75MHz 75MHz - -
DSA612RL3A-01QATVAO Microchip Technology DSA612RL3A-01QATVAO -
RFQ
 ECAD 9380 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA612RL3A-01QATVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 3 MA 32.768kHz 32.768kHz - -
DSA400-3333Q0078KL1TVAO Microchip Technology DSA400-333333Q0078KL1TVAO -
RFQ
 ECAD 5139 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-333333Q0078KL1TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 44 MA 125MHz 125MHz 125MHz 125MHz
DSA400-3333Q0172KI1VAO Microchip Technology DSA400-33333Q0172KI1VAO -
RFQ
 ECAD 4784 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-333333Q0172KI1VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 44 MA 156.25MHz 156.25MHz 156.25MHz 156.25MHz
DSA400-4444Q0001KI1TVAO Microchip Technology DSA400-4444Q0001KI1TVAO -
RFQ
 ECAD 7655 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0001KI1TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 44 MA 100MHz 100MHz 100MHz 100MHz
DSA400-3333Q0078KL1VAO Microchip Technology DSA400-333333Q0078KL1VAO -
RFQ
 ECAD 6446 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-333333Q0078KL1VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 44 MA 125MHz 125MHz 125MHz 125MHz
DSA400-3333Q0171KL2TVAO Microchip Technology DSA400-3333Q0171KL2TVAO -
RFQ
 ECAD 4636 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-333333Q0171KL2TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz
DSA400-3333Q0171KL2VAO Microchip Technology DSA400-333333Q0171KL2VAO -
RFQ
 ECAD 7447 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-333333Q0171KL2VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz
DSC6121ML3B-01QHT Microchip Technology DSC6121ML3B-01QHT -
RFQ
 ECAD 7883 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 4-VFLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6121ML3B-01QHTTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 1MHz, 64MHz - - -
DSA400-3333Q0172KI2TVAO Microchip Technology DSA400-3333Q0172KI2TVAO -
RFQ
 ECAD 7768 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-333333Q0172KI2TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 156.25MHz 156.25MHz 156.25MHz 156.25MHz
DSA400-4444Q0167KL2TVAO Microchip Technology DSA400-4444Q0167KL2TVAO -
RFQ
 ECAD 6164 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0167KL2TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 100MHz 125MHz 125MHz 100MHz
DSA400-4444Q0001KI2VAO Microchip Technology DSA400-444001KI2VAO -
RFQ
 ECAD 7340 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0001KI2VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 100MHz 100MHz 100MHz 100MHz
DSA400-3333Q0001KL2VAO Microchip Technology DSA400-3333001KL2VAO -
RFQ
 ECAD 8274 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-3333301KL2VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 100MHz 100MHz 100MHz 100MHz
DSA400-1111Q0169KI2VAO Microchip Technology DSA400-1111Q0169KI2VAO -
RFQ
 ECAD 3820 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-1111Q0169KI2VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 56MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 25MHz 50MHz 50MHz 25MHz
DSA400-3333Q0078KL2VAO Microchip Technology DSA400-3333Q0078KL2VAO -
RFQ
 ECAD 4654 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-333333Q0078KL2VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 125MHz 125MHz 125MHz 125MHz
DSC6121HA3B-01QJT Microchip Technology DSC6121HA3B-01QJT -
RFQ
 ECAD 8522 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 4-VFLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6121HA3B-01QJTTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 8MHz, 64MHz - - -
AMJDADJ-A12T3 Abracon LLC AMJDADJ-A12T3 -
RFQ
 ECAD 7510 0.00000000 Abracon LLC AMJD 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 75MHz, 100MHz - - -
534QB002492DGR Skyworks Solutions Inc. 534QB002492DGR 17.6644
RFQ
 ECAD 4169 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI534 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 8-smd,, 없음 xo (표준) 534QB CML 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 108ma 0.071 "(1.80mm) 결정 ± 20ppm 75 MA 74.1758242MHz, 74.25MHz, 148.351648MHz, 148.5MHz - - -
552EJ000105DG Skyworks Solutions Inc. 552EJ000105DG 35.3692
RFQ
 ECAD 7682 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI552 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 6-SMD,, 없음 VCXO 552EJ lvpecl 2.5V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 130ma 0.071 "(1.80mm) 결정 ± 20ppm 75 MA 155.52MHz, 161.13281MHz - - -
596FP001101DG Skyworks Solutions Inc. 596FP001101DG 12.4432
RFQ
 ECAD 2189 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI596 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 6-SMD,, 없음 VCXO LVD 2.5V 다운로드 1 (무제한) 863-596FP001101DG 귀 99 8542.39.0001 50 - 110ma 0.052 "(1.33mm) 결정 ± 20ppm 148.35164MHz 148.5MHz - -
561BAA001132BCGR Skyworks Solutions Inc. 561BAA001132BCGR 37.0397
RFQ
 ECAD 1644 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. Ultra ™ SI561 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 6-SMD,, 없음 xo (표준) LVD 1.8V, 2.5V, 3.3V 다운로드 1 (무제한) 863-561BAA001132BCGRTR 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 130ma 0.052 "(1.33mm) 결정 ± 20ppm 73 MA 1.575GHz 1.621GHz - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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