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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSA2311KL1-R0078VAO Microchip Technology DSA2311KL1-R0078VAO -
RFQ
ECAD 1840 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KL1-R0078VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 10MHz 20MHz - -
DSA2311KL2-R0065TVAO Microchip Technology DSA2311KL2-R0065TVAO -
RFQ
ECAD 2424 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KL2-R0065TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 24MHz 48MHz - -
DSA2311KL2-R0073TVAO Microchip Technology DSA2311KL2-R0073TVAO -
RFQ
ECAD 7672 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KL2-R0073TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 40MHz 40MHz - -
DSA400-1111Q0169KI1VAO Microchip Technology DSA400-1111Q0169KI1VAO -
RFQ
ECAD 1954 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-1111Q0169KI1VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 56MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 44 MA 25MHz 50MHz 50MHz 25MHz
DSA400-4444Q0168KL2TVAO Microchip Technology DSA400-4444Q0168KL2TVAO -
RFQ
ECAD 2764 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0168KL2TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz
DSA612PA3A-01R6TVAO Microchip Technology DSA612PA3A-01R6TVAO -
RFQ
ECAD 5959 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 6-VFLGA xo (표준) LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA612PA3A-01R6TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 3 MA 10MHz 32.768kHz - -
DSA612RI2A-01JRVAO Microchip Technology DSA612RI2A-01JRVAO -
RFQ
ECAD 4703 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA612 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA612RI2A-01JRVAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA 12MHz 24MHz - -
DSA400-3333Q0001KI2VAO Microchip Technology DSA400-3333001KI2VAO -
RFQ
ECAD 8961 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-3333001KI2VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 100MHz 100MHz 100MHz 100MHz
DSA400-3333Q0172KI2VAO Microchip Technology DSA400-333333Q0172KI2VAO -
RFQ
ECAD 1749 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-333333Q0172KI2VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 156.25MHz 156.25MHz 156.25MHz 156.25MHz
DSA400-4441Q0170KI2TVAO Microchip Technology DSA400-4441Q0170KI2TVAO -
RFQ
ECAD 9283 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL, LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4441Q0170KI2TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 50MHz 100MHz 100MHz 100MHz
DSA400-3333Q0171KL1VAO Microchip Technology DSA400-333333Q0171KL1VAO -
RFQ
ECAD 3679 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-333333Q0171KL1VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 44 MA 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz
DSA400-4444Q0001KL2VAO Microchip Technology DSA400-4444Q0001KL2VAO -
RFQ
ECAD 4111 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0001KL2VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 100MHz 100MHz 100MHz 100MHz
DSA400-4444Q0168KI1TVAO Microchip Technology DSA400-4444Q0168KI1TVAO -
RFQ
ECAD 2738 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0168KI1TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 44 MA 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz
DSA400-4444Q0168KI2TVAO Microchip Technology DSA400-4444Q0168KI2TVAO -
RFQ
ECAD 9025 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0168KI2TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz
DSC6121JE2B-01QU Microchip Technology dsc6121je2b-01qu -
RFQ
ECAD 7537 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 4-VLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6121JE2B-01qu 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 45.1584MHz, 49.152MHz - - -
DSC400-3133Q0100KI1T Microchip Technology DSC400-3133Q0100KI1T -
RFQ
ECAD 9400 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS, LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 148.35MHz, 148.5MHz 156.25MHz 25MHz 197.8MHz, 198MHz
DSC613RI3A-01M8 Microchip Technology DSC613RI3A-01M8 -
RFQ
ECAD 9184 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC613 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC613 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC613RI3A-01M8 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 6.5MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 3 MA 3.072MHz 12.288MHz 48kHz -
DSC613RI2A-012ST Microchip Technology DSC613RI2A-012ST 1.4500
RFQ
ECAD 2803 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC613 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC613 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 6.5MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 12MHz 25MHz 32.768kHz -
DSA613PI2A-01QRVAO Microchip Technology DSA613PI2A-01QRVAO -
RFQ
ECAD 7221 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA613 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 6-VFLGA xo (표준) LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA613PI2A-01QRVAO 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 6.5MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 25MHz 50MHz 10kHz -
DSA2311KI2-R0077TVAO Microchip Technology DSA2311KI2-R0077TVAO -
RFQ
ECAD 7253 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KI2-R007777TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 8MHz 32MHz - -
DSC612NI3A-013C Microchip Technology DSC612NI3A-013C -
RFQ
ECAD 7925 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 6-VFLGA xo (표준) LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612NI3A-013C 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 3 MA 24MHz 32.768kHz - -
DSC2311KL1-R0002 Microchip Technology DSC2311KL1-R0002 -
RFQ
ECAD 3281 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 25MHz 125MHz - -
DSC6021JI1B-01HAT Microchip Technology DSC6021JI1B-01HAT -
RFQ
ECAD 3977 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 4-VLGA xo (표준) DSC6021 CMOS 1.8V, 2.5V, 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6021JI1B-01HATTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 50ppm - - - -
DSC2311KE2-R0090 Microchip Technology DSC2311KE2-R0090 -
RFQ
ECAD 4552 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2311KE2-R0090 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 32MHz 8MHz - -
DSC400-0111Q0117KE2T Microchip Technology DSC400-0111Q0117KE2T -
RFQ
ECAD 8647 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 16.64MHz 33MHz 25MHz -
DSC2041FI1-F0025T Microchip Technology DSC2041FI1-F0025T -
RFQ
ECAD 4848 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2041 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 xo (표준) DSC2041 HCSL, LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 49ma (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 100MHz 50MHz - -
DSC6023HI2A-00A6 Microchip Technology DSC6023HI2A-00A6 1.1700
RFQ
ECAD 800 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 4-VFLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 40MHz, 80MHz - - -
DSA612RL3A-01W6VAO Microchip Technology DSA612RL3A-01W6VAO -
RFQ
ECAD 6461 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA612 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA mems (실리콘) LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA612RL3A-01W6VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 3 MA 32.768kHz 25MHz 32.768kHz -
DSC2031FI2-F0023T Microchip Technology DSC2031FI2-F0023T -
RFQ
ECAD 5829 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2031 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 mems (실리콘) LVCMOS, LVD 2.25V ~ 3.6V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2031FI2-F0023TTR 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 49ma (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 125MHz - - -
DSC2010FI2-B0009T Microchip Technology DSC2010FI2-B0009T -
RFQ
ECAD 6238 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2010 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC2010 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 45.1584MHz, 49.152MHz - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고