전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 -공급 (max) | 키 | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 짐 | 주파수 -. 1 | 주파수 -. 2 | 주파수-. 3 | 주파수-. 4 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DSA2311KL1-R0078VAO | - | ![]() | 1840 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA2311 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 6-vdfn | xo (표준) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA2311KL1-R0078VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 23MA | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 50ppm | 10MHz | 20MHz | - | - | ||
![]() | DSA2311KL2-R0065TVAO | - | ![]() | 2424 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA2311 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 6-vdfn | xo (표준) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA2311KL2-R0065TVAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 23MA | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 24MHz | 48MHz | - | - | |||
![]() | DSA2311KL2-R0073TVAO | - | ![]() | 7672 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA2311 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 6-vdfn | xo (표준) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA2311KL2-R0073TVAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 23MA | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 40MHz | 40MHz | - | - | ||
![]() | DSA400-1111Q0169KI1VAO | - | ![]() | 1954 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA400 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | mems (실리콘) | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA400-1111Q0169KI1VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) | 56MA | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 50ppm | 44 MA | 25MHz | 50MHz | 50MHz | 25MHz | |||
![]() | DSA400-4444Q0168KL2TVAO | - | ![]() | 2764 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA400 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | mems (실리콘) | HCSL | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA400-4444Q0168KL2TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) | 88ma | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 44 MA | 100MHz, 125MHz | 100MHz, 125MHz | 100MHz, 125MHz | 100MHz, 125MHz | |||
DSA612PA3A-01R6TVAO | - | ![]() | 5959 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA612 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 6-VFLGA | xo (표준) | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA612PA3A-01R6TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 6MA | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 20ppm | 3 MA | 10MHz | 32.768kHz | - | - | ||||
DSA612RI2A-01JRVAO | - | ![]() | 4703 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA612 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 6-VFLGA | xo (표준) | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA612RI2A-01JRVAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 6MA | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 25ppm | 3 MA | 12MHz | 24MHz | - | - | ||||
![]() | DSA400-3333001KI2VAO | - | ![]() | 8961 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA400 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | mems (실리콘) | LVD | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA400-3333001KI2VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) | 48MA | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 44 MA | 100MHz | 100MHz | 100MHz | 100MHz | |||
![]() | DSA400-333333Q0172KI2VAO | - | ![]() | 1749 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA400 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | mems (실리콘) | LVD | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA400-333333Q0172KI2VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) | 48MA | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 44 MA | 156.25MHz | 156.25MHz | 156.25MHz | 156.25MHz | |||
![]() | DSA400-4441Q0170KI2TVAO | - | ![]() | 9283 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA400 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | mems (실리콘) | HCSL, LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA400-4441Q0170KI2TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) | 88ma | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 44 MA | 50MHz | 100MHz | 100MHz | 100MHz | |||
![]() | DSA400-333333Q0171KL1VAO | - | ![]() | 3679 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA400 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | mems (실리콘) | LVD | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA400-333333Q0171KL1VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) | 48MA | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 50ppm | 44 MA | 125MHz, 156.25MHz | 125MHz, 156.25MHz | 125MHz, 156.25MHz | 125MHz, 156.25MHz | |||
![]() | DSA400-4444Q0001KL2VAO | - | ![]() | 4111 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA400 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | mems (실리콘) | HCSL | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA400-4444Q0001KL2VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) | 88ma | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 44 MA | 100MHz | 100MHz | 100MHz | 100MHz | |||
![]() | DSA400-4444Q0168KI1TVAO | - | ![]() | 2738 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA400 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | mems (실리콘) | HCSL | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA400-4444Q0168KI1TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) | 88ma | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 50ppm | 44 MA | 100MHz, 125MHz | 100MHz, 125MHz | 100MHz, 125MHz | 100MHz, 125MHz | |||
![]() | DSA400-4444Q0168KI2TVAO | - | ![]() | 9025 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA400 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | mems (실리콘) | HCSL | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA400-4444Q0168KI2TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) | 88ma | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 44 MA | 100MHz, 125MHz | 100MHz, 125MHz | 100MHz, 125MHz | 100MHz, 125MHz | |||
![]() | dsc6121je2b-01qu | - | ![]() | 7537 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 4-VLGA | xo (표준) | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6121JE2B-01qu | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | - | 3MA (유형) | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 25ppm | 45.1584MHz, 49.152MHz | - | - | - | ||||
![]() | DSC400-3133Q0100KI1T | - | ![]() | 9400 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC400 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | xo (표준) | DSC400 | LVCMOS, LVD | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | - | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 50ppm | 148.35MHz, 148.5MHz | 156.25MHz | 25MHz | 197.8MHz, 198MHz | |||||
![]() | DSC613RI3A-01M8 | - | ![]() | 9184 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC613 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 6-VFLGA | xo (표준) | DSC613 | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC613RI3A-01M8 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 6.5MA | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 20ppm | 3 MA | 3.072MHz | 12.288MHz | 48kHz | - | |||
![]() | DSC613RI2A-012ST | 1.4500 | ![]() | 2803 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC613 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 6-VFLGA | xo (표준) | DSC613 | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 6.5MA | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 25ppm | 12MHz | 25MHz | 32.768kHz | - | ||||
DSA613PI2A-01QRVAO | - | ![]() | 7221 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA613 | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 6-VFLGA | xo (표준) | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA613PI2A-01QRVAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 6.5MA | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 25ppm | 25MHz | 50MHz | 10kHz | - | |||||
![]() | DSA2311KI2-R0077TVAO | - | ![]() | 7253 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA2311 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 6-vdfn | xo (표준) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA2311KI2-R007777TVAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 23MA | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 8MHz | 32MHz | - | - | |||
![]() | DSC612NI3A-013C | - | ![]() | 7925 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC612 | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 6-VFLGA | xo (표준) | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC612NI3A-013C | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 6MA | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 20ppm | 3 MA | 24MHz | 32.768kHz | - | - | ||||
![]() | DSC2311KL1-R0002 | - | ![]() | 3281 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC2311 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 6-vdfn | xo (표준) | DSC2311 | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | - | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 50ppm | 23 MA | 25MHz | 125MHz | - | - | ||||
![]() | DSC6021JI1B-01HAT | - | ![]() | 3977 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6021 | CMOS | 1.8V, 2.5V, 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6021JI1B-01HATTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 1.3MA (유형) | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | - | ||||
![]() | DSC2311KE2-R0090 | - | ![]() | 4552 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC2311 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 6-vdfn | xo (표준) | DSC2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC2311KE2-R0090 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | - | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 23 MA | 32MHz | 8MHz | - | - | |||
![]() | DSC400-0111Q0117KE2T | - | ![]() | 8647 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC400 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | xo (표준) | DSC400 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | - | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 16.64MHz | 33MHz | 25MHz | - | ||||
![]() | DSC2041FI1-F0025T | - | ![]() | 4848 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC2041 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 14-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC2041 | HCSL, LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 49ma (유형) | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 50ppm | 23 MA | 100MHz | 50MHz | - | - | ||||
![]() | DSC6023HI2A-00A6 | 1.1700 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 가방 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 4-VFLGA | xo (표준) | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | - | 1.3MA (유형) | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 25ppm | 40MHz, 80MHz | - | - | - | |||||
![]() | DSA612RL3A-01W6VAO | - | ![]() | 6461 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA612 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 6-VFLGA | mems (실리콘) | LVCMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA612RL3A-01W6VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 6MA | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 20ppm | 3 MA | 32.768kHz | 25MHz | 32.768kHz | - | ||||
![]() | DSC2031FI2-F0023T | - | ![]() | 5829 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC2031 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 14-SMD,, 없음 | mems (실리콘) | LVCMOS, LVD | 2.25V ~ 3.6V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC2031FI2-F0023TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 49ma (유형) | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 23 MA | 125MHz | - | - | - | ||||
![]() | DSC2010FI2-B0009T | - | ![]() | 6238 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC2010 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 14-vfqfn 노출 패드 | xo (표준) | DSC2010 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 35MA | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 23 MA | 45.1584MHz, 49.152MHz | - | - | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고