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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSA400-3333Q0171KI2VAO Microchip Technology DSA400-333333Q0171KI2VAO -
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ECAD 4032 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-333333Q0171KI2VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz
DSA400-1111Q0169KI1TVAO Microchip Technology DSA400-1111Q0169KI1TVAO -
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ECAD 8055 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-1111Q0169KI1TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 56MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 44 MA 25MHz 50MHz 50MHz 25MHz
DSA612RL3A-01QATVAO Microchip Technology DSA612RL3A-01QATVAO -
RFQ
ECAD 9380 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA612RL3A-01QATVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 3 MA 32.768kHz 32.768kHz - -
DSA400-3333Q0078KL1TVAO Microchip Technology DSA400-333333Q0078KL1TVAO -
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ECAD 5139 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-333333Q0078KL1TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 44 MA 125MHz 125MHz 125MHz 125MHz
DSA400-4444Q0167KL1VAO Microchip Technology DSA400-4444Q0167KL1VAO -
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ECAD 3851 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0167KL1VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 44 MA 100MHz 125MHz 125MHz 100MHz
DSA400-3333Q0172KI1VAO Microchip Technology DSA400-33333Q0172KI1VAO -
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ECAD 4784 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-333333Q0172KI1VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 44 MA 156.25MHz 156.25MHz 156.25MHz 156.25MHz
DSA400-4444Q0001KI1TVAO Microchip Technology DSA400-4444Q0001KI1TVAO -
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ECAD 7655 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0001KI1TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 44 MA 100MHz 100MHz 100MHz 100MHz
DSA400-3333Q0078KL1VAO Microchip Technology DSA400-333333Q0078KL1VAO -
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ECAD 6446 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-333333Q0078KL1VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 44 MA 125MHz 125MHz 125MHz 125MHz
DSA400-3333Q0171KL2TVAO Microchip Technology DSA400-3333Q0171KL2TVAO -
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ECAD 4636 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-333333Q0171KL2TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz
DSA400-3333Q0171KL2VAO Microchip Technology DSA400-333333Q0171KL2VAO -
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ECAD 7447 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-333333Q0171KL2VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz 125MHz, 156.25MHz
DSC6121ML3B-01QHT Microchip Technology DSC6121ML3B-01QHT -
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ECAD 7883 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 4-VFLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6121ML3B-01QHTTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 1MHz, 64MHz - - -
DSA400-3333Q0172KI2TVAO Microchip Technology DSA400-3333Q0172KI2TVAO -
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ECAD 7768 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-333333Q0172KI2TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 156.25MHz 156.25MHz 156.25MHz 156.25MHz
DSA400-4444Q0167KL2TVAO Microchip Technology DSA400-4444Q0167KL2TVAO -
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ECAD 6164 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0167KL2TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 100MHz 125MHz 125MHz 100MHz
DSA400-4444Q0001KI2VAO Microchip Technology DSA400-444001KI2VAO -
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ECAD 7340 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0001KI2VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 100MHz 100MHz 100MHz 100MHz
DSA400-3333Q0001KL2VAO Microchip Technology DSA400-3333001KL2VAO -
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ECAD 8274 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-3333301KL2VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 100MHz 100MHz 100MHz 100MHz
DSA400-1111Q0169KI2VAO Microchip Technology DSA400-1111Q0169KI2VAO -
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ECAD 3820 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-1111Q0169KI2VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 56MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 25MHz 50MHz 50MHz 25MHz
DSA400-3333Q0078KL2VAO Microchip Technology DSA400-3333Q0078KL2VAO -
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ECAD 4654 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-333333Q0078KL2VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 125MHz 125MHz 125MHz 125MHz
DSC6121HA3B-01QJT Microchip Technology DSC6121HA3B-01QJT -
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ECAD 8522 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 4-VFLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6121HA3B-01QJTTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 8MHz, 64MHz - - -
DSA612RI2A-01VWTVAO Microchip Technology DSA612RI2A-01VWTVAO -
RFQ
ECAD 4729 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA mems (실리콘) LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA612RI2A-01VWTVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 3 MA 81.605kHz 25MHz 32.768kHz -
DSC2033FI2-G0006 Microchip Technology DSC2033FI2-G0006 -
RFQ
ECAD 9516 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2033 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC2033 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 38MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 100MHz, 125MHz, 156.25MHz, 312.5MHz 100MHz, 125MHz, 156.25MHz, 312.5MHz - -
DSA2311KI1-R0094TVAO Microchip Technology DSA2311KI1-R0094TVAO -
RFQ
ECAD 7346 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn mems (실리콘) LVCMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KI1-R0094TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 16.666667MHz 125MHz - -
DSA2041FL1-F0067VAO Microchip Technology DSA2041FL1-F0067VAO -
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ECAD 8147 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA20XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL, LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA2041FL1-F0067VAO 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 49ma (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 38.4MHz 38.4MHz - -
CD-700-EAT-KANN-64M1280000 Microchip Technology CD-700-EAT-KANN-64M1280000 -
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ECAD 7691 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 CD-700 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 0.295 "L x 0.200"W (7.49mm x 5.08mm) 16-SMD,, 없음 VCXO CMOS - - 영향을받지 영향을받지 150-CD-700-EAT-KANN-64M1280000TR 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 63MA 0.084 "(2.13mm) 결정 - 64.128MHz 32.064MHz - -
DSC6023JL3B-01SH Microchip Technology DSC6023JL3B-01SH -
RFQ
ECAD 1764 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 4-VLGA xo (표준) CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6023JL3B-01SH 귀 99 8542.39.0001 140 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 24MHz, 25MHz - - -
DSC6023MI2B-01TPT Microchip Technology DSC6023MI2B-01TPT -
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ECAD 1035 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 4-VFLGA xo (표준) CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6023MI2B-01TPTTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 24MHz, 48MHz - - -
DSC6021JI2B-01VBT Microchip Technology DSC6021JI2B-01VBT -
RFQ
ECAD 1256 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 4-VLGA xo (표준) CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6021JI2B-01VBTTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 10MHz, 20MHz - - -
DSC6121JI3B-01VGT Microchip Technology DSC6121JI3B-01VGT -
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ECAD 7602 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 4-VLGA xo (표준) CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6121JI3B-01VGTTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 12MHz, 24MHz - - -
DSC1212NI1-C0027T Microchip Technology DSC1212NI1-C0027T -
RFQ
ECAD 5175 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 6-vdfn xo (표준) lvpecl 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1212NI1-C0027TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 50MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm - - - -
DSC6021JI2B-01VB Microchip Technology DSC6021JI2B-01VB -
RFQ
ECAD 7160 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 4-VLGA xo (표준) CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6021JI2B-01VB 귀 99 8542.39.0001 140 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 10MHz, 20MHz - - -
DSC6021HE3B-0157T Microchip Technology DSC6021HE3B-0157T -
RFQ
ECAD 7447 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 4-VFLGA xo (표준) DSC6021 CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 40MHz, 80MHz - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고